公开(公告)号：CN114156268A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202110571210.6

申请日：2021-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东均 ,  金永信 ,  朴基振 ,  宋昊柱 ,  杨同官 ,  尹详皓 ,  李奎贤 ,  李知垠 ,  韩昇煜 ,  洪润基

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/423 ,  H01L21/027 ,  H01L21/266

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅极结构，位于基底上；第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于栅极结构的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及第一源极/漏极层和第二源极/漏极层，分别位于基底的与栅极结构的第一侧壁相邻的上部和基底的与栅极结构的第二侧壁相邻的上部处。栅极结构的上表面具有参照作为基准面的基底的上表面从栅极结构的中心部分到栅极结构的第一侧壁减小并且从栅极结构的中心部分到栅极结构的第二侧壁基本恒定的高度。