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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN116896866A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202211664705.4

申请日：2022-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙智慧 , 金浩中 , 金永信 , 金孝锡 , 崔捧植 , 具太雄 , 徐泰河

IPC: H10B12/00 , H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域的具有第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的第一有源图案；器件隔离层，在单元区域上位于限定第一有源图案的沟槽中；缓冲层，位于单元区域上；线结构，在第三方向上延伸，从单元区域延伸到边界区域，并且包括穿过缓冲层并接触第一源极/漏极区域的第一导电图案、位于第一导电图案上的位线以及位于位线与第一导电图案之间的第一阻挡图案；一对间隔件，分别位于线结构的两个侧壁上；接触件，位于第二源极/漏极区域上；接垫，位于接触件上；第一磨料颗粒，位于接触件与接垫之间；以及数据存储元件，位于接垫上。

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