公开(公告)号：CN119855143A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202410935171.7

申请日：2024-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  朴圭述 ,  林晟洙 ,  徐泰河 ,  李贤奎

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器装置包括：导线，在第一方向上延伸；沟道区，在导线上方在第一方向上彼此间隔开并且各自电连接到导线；后栅电极，在第三方向上与导线间隔开并且在从沟道区选择的第一沟道区和第二沟道区之间在第二方向上延伸；一对字线，在第一方向上彼此间隔开并且在从沟道区选择的第二沟道区和第三沟道区之间；以及外延直接接触插塞，在沟道区与导线之间在第三方向上延伸并且各自包括接触沟道区中的一个的接触面、至少部分地被导线围绕的突出接触部分、以及在接触面与突出接触部分之间的垂直接触部分。

公开(公告)号：CN116896866A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202211664705.4

申请日：2022-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙智慧 ,  金浩中 ,  金永信 ,  金孝锡 ,  崔捧植 ,  具太雄 ,  徐泰河

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域的具有第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的第一有源图案；器件隔离层，在单元区域上位于限定第一有源图案的沟槽中；缓冲层，位于单元区域上；线结构，在第三方向上延伸，从单元区域延伸到边界区域，并且包括穿过缓冲层并接触第一源极/漏极区域的第一导电图案、位于第一导电图案上的位线以及位于位线与第一导电图案之间的第一阻挡图案；一对间隔件，分别位于线结构的两个侧壁上；接触件，位于第二源极/漏极区域上；接垫，位于接触件上；第一磨料颗粒，位于接触件与接垫之间；以及数据存储元件，位于接垫上。