公开(公告)号：CN118946144A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410584961.5

申请日：2024-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成根 ,  黄水奂 ,  金冈昱 ,  金利桓 ,  金池训 ,  朴晋亨 ,  申铉守 ,  严泰民 ,  郑盛旭

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底的第一区上形成第一栅极结构，在第一栅极结构上形成位线结构，在衬底上形成包括非晶硅的初步接触插塞层，在初步接触插塞层上形成反射层结构，从初步接触插塞层形成接触插塞层，并且在接触插塞层上形成电容器。反射层结构可以包括第一反射层和第二反射层。第二反射层的折射率可以大于第一反射层的折射率。第二反射层的位于衬底的第一区和第二区上的部分可以具有不同的厚度。形成接触插塞层的步骤可以包括对反射层结构执行熔融激光退火(MLA)工艺以将初步接触插塞层的非晶硅转换为多晶硅。

公开(公告)号：CN116528584A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310081373.5

申请日：2023-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成根 ,  朴载星 ,  金永锡 ,  金永信 ,  文大荣 ,  李锦珠 ,  郑盛旭 ,  洪成德 ,  黄水奂

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和由单元区域的外围部限定的外围区域，单元区域包括虚设单元区域和正常单元区域以及由单元元件隔离膜限定的有源区域。所述装置还包括在基底中限定单元区域的单元区域分离膜，虚设单元区域在正常单元区域与单元区域分离膜之间与单元区域分离膜限定边界。所述装置还包括：正常位线，位于正常单元区域上并且在第一方向上延伸；虚设位线组，位于虚设单元区域上，虚设位线组包括在第一方向上延伸的多条虚设位线；以及多个存储接触件，连接到有源区域并且沿着与第一方向垂直的第二方向定位。