-
公开(公告)号：CN102456588A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110342795.0
申请日：2011-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/78 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05599 , H01L2224/32145 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/78251 , H01L2224/78301 , H01L2224/85048 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/00015 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种引线接合设备及使用该设备的引线接合方法。所述引线接合设备包括：加热器块，被配置为支持包括芯片安装框架和叠置在该芯片安装框架上的多个芯片的堆叠。加热器块被配置为将热能提供给堆叠的第一部分。所述设备还包括：芯片加热单元，被布置在与加热器块不同的高度。芯片加热单元被配置为将热能提供给高度与第一部分不同的堆叠的第二部分。所述设备还包括：第一温度感测单元，位于第一高度处并确定堆叠的第一部分的第一温度；第二温度感测单元，位于第二高度处并确定堆叠的第二部分的第二温度；温度调整单元，被配置为将第一温度与第二温度相比较并根据比较的结果调整由加热器块和芯片加热单元中的至少一个提供的热能的大小。
-
公开(公告)号：CN102386161A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110265698.6
申请日：2011-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L22/32 , H01L23/3128 , H01L23/5256 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/06155 , H01L2224/06515 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/4912 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06596 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种多芯片封装件及其制造方法。该多芯片封装件可以包括封装基底、多个半导体芯片和导电连接构件。半导体芯片可以顺序地堆叠在封装基底上。每个半导体芯片可以包括信号焊盘和测试焊盘。导线可以经由上部的半导体芯片之下的下部的半导体芯片的测试焊盘电连接在半导体芯片中的上部的半导体芯片的信号焊盘与封装基底之间。测试焊盘可以通过切断熔丝转变成哑焊盘。
-
公开(公告)号：CN102386161B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201110265698.6
申请日：2011-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L22/32 , H01L23/3128 , H01L23/5256 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/06155 , H01L2224/06515 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/4912 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06596 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种多芯片封装件及其制造方法。该多芯片封装件可以包括封装基底、多个半导体芯片和导电连接构件。半导体芯片可以顺序地堆叠在封装基底上。每个半导体芯片可以包括信号焊盘和测试焊盘。导线可以经由上部的半导体芯片之下的下部的半导体芯片的测试焊盘电连接在半导体芯片中的上部的半导体芯片的信号焊盘与封装基底之间。测试焊盘可以通过切断熔丝转变成哑焊盘。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109817596A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811374350.9
申请日：2018-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体器件包括：具有第一焊盘的第一器件；具有第二焊盘的第二器件；以及接合引线，通过第一焊盘和第二焊盘将第一器件和第二器件彼此电连接。接合引线包括：第一接合结构，提供在接合引线的第一端处，电连接到第一器件，并包括第一球接合区域和第一针脚式接合区域；和第二接合结构，提供在接合引线的与第一端相反的第二端处并电连接到第二器件。
-
公开(公告)号：CN107978581A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710945679.5
申请日：2017-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/49 , H01L25/18
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种多芯片封装件，所述多芯片封装件包括：封装基底，包括第一基底焊盘；第一组半导体芯片，堆叠在封装基底上，第一组半导体芯片中的每个包括结合焊盘；第一螺柱凸部，布置在第一组半导体芯片的除了第一组中的最下侧半导体芯片之外的结合焊盘上；第一导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向下地延伸，并且连接到第一基底焊盘；第二导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向上地延伸，并且顺序地连接到第一螺柱凸部。
-
公开(公告)号：CN107978581B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201710945679.5
申请日：2017-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/49 , H01L25/18
Abstract: 提供一种多芯片封装件，所述多芯片封装件包括：封装基底，包括第一基底焊盘；第一组半导体芯片，堆叠在封装基底上，第一组半导体芯片中的每个包括结合焊盘；第一螺柱凸部，布置在第一组半导体芯片的除了第一组中的最下侧半导体芯片之外的结合焊盘上；第一导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向下地延伸，并且连接到第一基底焊盘；第二导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向上地延伸，并且顺序地连接到第一螺柱凸部。
-
公开(公告)号：CN107644864A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710584714.5
申请日：2017-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/45139 , H01L2224/45565 , H01L2224/48465 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2924/01046 , H01L2224/45644
Abstract: 本公开提供接合引线、引线接合方法以及半导体器件的电连接部。一种接合引线包括：引线芯，包括银钯合金；以及涂覆层，设置在引线芯的侧壁上。银钯合金的钯含量在从约0.1wt％至约1.5wt％的范围内。
-
公开(公告)号：CN102456588B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201110342795.0
申请日：2011-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/78 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05599 , H01L2224/32145 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/78251 , H01L2224/78301 , H01L2224/85048 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/00015 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种引线接合设备及使用该设备的引线接合方法。所述引线接合设备包括：加热器块，被配置为支持包括芯片安装框架和叠置在该芯片安装框架上的多个芯片的堆叠。加热器块被配置为将热能提供给堆叠的第一部分。所述设备还包括：芯片加热单元，被布置在与加热器块不同的高度。芯片加热单元被配置为将热能提供给高度与第一部分不同的堆叠的第二部分。所述设备还包括：第一温度感测单元，位于第一高度处并确定堆叠的第一部分的第一温度；第二温度感测单元，位于第二高度处并确定堆叠的第二部分的第二温度；温度调整单元，被配置为将第一温度与第二温度相比较并根据比较的结果调整由加热器块和芯片加热单元中的至少一个提供的热能的大小。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.018 seconds)
