-
公开(公告)号：CN118829223A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410201528.9
申请日：2024-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有提高的可靠性的半导体存储器装置和一种电子系统。半导体存储器装置包括：单元衬底；模制堆叠件，其包括交替地堆叠在单元衬底上的模制绝缘层和栅电极；半导体层，其在与单元衬底的上表面相交的竖直方向上延伸，以穿过模制堆叠件；阻挡绝缘图案，其在半导体层与栅电极中的每一个之间；电荷存储层，其包括半导体层与阻挡绝缘图案之间的电荷俘获部分和半导体层与模制绝缘层中的每一个之间的第一电荷阻挡部分；以及隧道绝缘层，其在半导体层与电荷存储层之间，其中，第一电荷阻挡部分的氧浓度高于电荷俘获部分的氧浓度。
-
公开(公告)号：CN118265293A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311401219.8
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：衬底；模制结构，所述模制结构包括多个栅电极以及多个模制绝缘层，其中，所述多个栅电极以阶梯形状堆叠；沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述模制结构；单元接触，所述单元接触延伸穿过所述模制结构，所述单元接触连接到第一栅电极，所述单元接触不电连接到所述多个栅电极之中的第二栅电极，其中，所述第一栅电极包括延伸部、垂直厚度大于所述延伸部的垂直厚度的焊盘部、和将所述焊盘部电连接到所述单元接触的连接部，所述连接部的垂直厚度小于所述焊盘部的垂直厚度；以及一个或更多个第一绝缘环，所述一个或更多个第一绝缘环位于所述连接部上。
-
公开(公告)号：CN117998857A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202310763121.0
申请日：2023-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置可以包括：栅极堆叠件，包括第一绝缘图案、与第一绝缘图案相邻的第二绝缘图案、与第二绝缘图案相邻的第三绝缘图案、在第一绝缘图案与第二绝缘图案之间的第一导电图案以及在第二绝缘图案与第三绝缘图案之间的第二导电图案；沟道层，在栅极堆叠件中延伸；隧道绝缘层，在沟道层上；以及第一数据存储图案和第二数据存储图案，在隧道绝缘层上。第一数据存储图案可以包括在第一绝缘图案与第二绝缘图案之间的第一外部部分以及在第一外部部分上的第一内部部分。
-
公开(公告)号：CN117641933A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310908347.5
申请日：2023-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置和电子系统，半导体装置包括：导电图案；绝缘图案；沟道膜，其在沟道孔内在竖直方向上延伸；电荷陷阱图案，其在沟道孔内在导电图案和沟道膜之间；隧穿介电膜，其在电荷陷阱图案和沟道膜之间；以及阻挡介电膜，其在导电图案和电荷陷阱图案之间以及绝缘图案和隧穿介电膜之间延伸。绝缘图案包括在竖直方向上与导电图案交叠的第一绝缘图案以及在横向方向上从第一绝缘图案朝着沟道膜突出到沟道孔中的第二绝缘图案。第一绝缘图案具有第一介电常数，第二绝缘图案具有低于第一介电常数的第二介电常数。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681806B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201310412779.3
申请日：2013-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11556 , H01L29/42332 , H01L29/7889 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置具有竖直沟道并包括：第一隧道绝缘层，邻近于阻挡绝缘层；第三隧道绝缘层，邻近于沟道柱；第二隧道绝缘层，位于第一隧道绝缘层和第三隧道绝缘层之间。第三隧道绝缘层的能带间隙小于第一隧道绝缘层的能带间隙并大于第二隧道绝缘层的能带间隙。
-
公开(公告)号：CN1248776A
公开(公告)日：2000-03-29
申请号：CN99109547.2
申请日：1999-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/22
Abstract: 一种包括内部时钟发生电路的同步存储器件。内部时钟发生电路包括输入缓冲电路,复位电路和动态倒相器电路。输入缓冲电路缓冲外部时钟信号以输出与外部时钟信号互补的输入信号。在输入信号被激活并经过一段时间后,复位电路生成脉冲形式的复位信号。动态倒相器电路将输入信号倒相以输出经倒相的输入信号作为用于数据输出的内部时钟信号。动态倒相器电路根据生成的复位信号被去激活。按照所述电路结构,可以加速内部时钟信号的激活。
-
公开(公告)号：CN110858619B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910534229.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：存储单元，包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的第二电极；选择图案，设置在存储单元上；以及覆盖结构，覆盖选择图案的侧壁。覆盖结构可以包括顺序堆叠在选择图案的至少一个侧壁上的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以是硅图案，第二覆盖图案可以包括氮化物。
-
公开(公告)号：CN110858623B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201910782346.4
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B63/00
Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：沿第一方向延伸的多条第一导线；沿第二方向延伸的多条第二导线；多个存储单元，相对于自上而下的视图，每个存储单元在第一导线中的相应一条与第二导线中的相应一条之间的各交叉点处，每个存储单元包括夹在顶部电极和底部电极之间的可变电阻结构和开关元件；和第一电介质层，填充存储单元的开关元件之间的空间。第一电介质层的顶表面设置在存储单元的顶部电极的底表面和顶表面之间。
-
公开(公告)号：CN110828368A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910604163.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764 , H01L27/24 , H01L45/00
Abstract: 提供了一种可变电阻式存储器装置，包括：第一电极线层，包括在第一方向上延伸并在衬底上彼此间隔开的第一电极线；第二电极线层，位于第一电极线层上方，并包括在与第一方向正交的第二方向上延伸并彼此间隔开的第二电极线；和存储器单元层，包括位于第一电极线层和第二电极线层之间的存储器单元。存储器单元的每一个包括选择装置层、中间电极层和可变电阻层。第一绝缘层位于第一电极线之间，第二绝缘层位于存储器单元之间，第三绝缘层位于第二电极线之间。第二绝缘层包括在存储器单元的侧表面上的气隙。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.029 seconds)
