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公开(公告)号：CN107978581B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201710945679.5
申请日：2017-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/49 , H01L25/18
Abstract: 提供一种多芯片封装件，所述多芯片封装件包括：封装基底，包括第一基底焊盘；第一组半导体芯片，堆叠在封装基底上，第一组半导体芯片中的每个包括结合焊盘；第一螺柱凸部，布置在第一组半导体芯片的除了第一组中的最下侧半导体芯片之外的结合焊盘上；第一导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向下地延伸，并且连接到第一基底焊盘；第二导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向上地延伸，并且顺序地连接到第一螺柱凸部。
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公开(公告)号：CN107644864A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710584714.5
申请日：2017-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/45139 , H01L2224/45565 , H01L2224/48465 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2924/01046 , H01L2224/45644
Abstract: 本公开提供接合引线、引线接合方法以及半导体器件的电连接部。一种接合引线包括：引线芯，包括银钯合金；以及涂覆层，设置在引线芯的侧壁上。银钯合金的钯含量在从约0.1wt％至约1.5wt％的范围内。
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公开(公告)号：CN119839453A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411164437.9
申请日：2024-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B23K26/362 , B23K26/402 , B23K26/08 , B23K26/067 , B23K26/046 , B23K26/0622 , B23K26/06 , B23K26/064 , B23K26/073 , B23K26/70
Abstract: 本公开涉及激光加工装置、激光加工方法及使用其的基板切割方法。激光加工装置包括：载物台，配置为支撑待加工的基板；激光光源，配置为产生激光束；模式转换器，配置为将激光束转换成柱矢量光束；偏振滤波器，配置为使柱矢量光束偏振以形成双o形光束，在双o形光束中，两个光束在第一水平方向上彼此相邻地布置；聚光透镜，配置为在基板上在沿第一水平方向分开的第一光斑和第二光斑处将双o形光束会聚成第一激光束和第二激光束；以及驱动部分，配置为使第一激光束和第二激光束相对于基板在不同于第一水平方向的第二水平方向上相对移动。
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公开(公告)号：CN107978581A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710945679.5
申请日：2017-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/49 , H01L25/18
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种多芯片封装件，所述多芯片封装件包括：封装基底，包括第一基底焊盘；第一组半导体芯片，堆叠在封装基底上，第一组半导体芯片中的每个包括结合焊盘；第一螺柱凸部，布置在第一组半导体芯片的除了第一组中的最下侧半导体芯片之外的结合焊盘上；第一导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向下地延伸，并且连接到第一基底焊盘；第二导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向上地延伸，并且顺序地连接到第一螺柱凸部。
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