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公开(公告)号:CN109817596A
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201811374350.9
申请日:2018-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体器件包括:具有第一焊盘的第一器件;具有第二焊盘的第二器件;以及接合引线,通过第一焊盘和第二焊盘将第一器件和第二器件彼此电连接。接合引线包括:第一接合结构,提供在接合引线的第一端处,电连接到第一器件,并包括第一球接合区域和第一针脚式接合区域;和第二接合结构,提供在接合引线的与第一端相反的第二端处并电连接到第二器件。
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公开(公告)号:CN107507823A
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201710443435.7
申请日:2017-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/528 , H01L21/02
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/561 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/16 , H01L2224/16227 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2224/81 , H01L21/02697 , H01L23/5286
Abstract: 本发明概念的实施例提供一种用于制造半导体封装的方法。方法包含提供包括衬底、半导体芯片和模塑层的封装,所述衬底包括在所述衬底的一个表面处暴露的接地图案;以及将包含金属粒子和导电碳材料的溶液涂覆到所述模塑层上以形成屏蔽层。所述屏蔽层包括:所述金属粒子;以及连接到所述金属粒子中的至少一个金属粒子的所述导电碳材料。所述屏蔽层延伸到所述衬底的所述一个表面上且电连接到所述接地图案。
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公开(公告)号:CN107507823B
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN201710443435.7
申请日:2017-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/528 , H01L21/02
Abstract: 本发明概念的实施例提供一种用于制造半导体封装的方法。方法包含提供包括衬底、半导体芯片和模塑层的封装,所述衬底包括在所述衬底的一个表面处暴露的接地图案;以及将包含金属粒子和导电碳材料的溶液涂覆到所述模塑层上以形成屏蔽层。所述屏蔽层包括:所述金属粒子;以及连接到所述金属粒子中的至少一个金属粒子的所述导电碳材料。所述屏蔽层延伸到所述衬底的所述一个表面上且电连接到所述接地图案。
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公开(公告)号:CN110246779A
公开(公告)日:2019-09-17
申请号:CN201910173525.8
申请日:2019-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了分割半导体裸片的方法和制造半导体封装件的方法。制造半导体封装件的方法包括:将衬底设置在台面上,所述衬底包括多个半导体裸片和沿分割线的改性层,并且在所述衬底的表面上依次具有粘合膜和基膜,使得所述粘合膜和所述基膜的底表面面向所述台面,所述粘合膜和所述基膜的顶表面远离所述台面,并且所述粘合膜的底表面面向所述基膜的顶表面;通过沿横向方向对所述衬底施加力,将所述多个半导体裸片彼此分离;对所述多个半导体裸片中每一个半导体裸片的顶表面施加气体压力;以及在对所述多个半导体裸片中每一个半导体裸片的顶表面施加气体压力之后,向所述粘合膜照射紫外线。
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