正型光致抗蚀剂层及其使用方法

    公开(公告)号:CN1297169A

    公开(公告)日:2001-05-30

    申请号:CN00126840.6

    申请日:2000-09-06

    CPC classification number: G03F7/0048 G03F7/0226 G03F7/162

    Abstract: 本发明提供了一种阳性光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中,将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以1250至1350rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后,干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着,利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸3-甲氧基丁酯和4-丁内酯,或者包括乙酸3-甲氧基丁酯、2-庚酮和4-丁内酯。

    用于线路的蚀刻液、制造线路的方法和包括此方法的制造薄膜晶体管阵列板的方法

    公开(公告)号:CN100371809C

    公开(公告)日:2008-02-27

    申请号:CN02816648.5

    申请日:2002-07-03

    Inventor: 朴弘植 姜圣哲

    CPC classification number: H01L27/124 G02F1/136286

    Abstract: 在制造TFT阵列基板的方法中,在绝缘基板上形成栅线路。栅线路含有栅线、栅电极和与栅线相连的栅垫。依次形成栅绝缘层和半导体层。形成包括多个与栅线交叉的数据线、多个与数据线相连并位于栅电极附近的源电极、多个依照栅电极与源电极正对的漏电极以及与数据线相连的数据垫的数据线路。沉积形成保护层,在保护层上形成图案以形成至少使漏电极暴露的接触孔。在保护层上沉积银或银合金导电层。用包括磷酸、硝酸、乙酸、过氧一硫酸钾和超纯水的蚀刻液或包括硝酸、乙酸、乙二醇和超纯水的蚀刻液在保护层上形成图案,因此形成反射层。反射层是通过接触孔与漏电极连接的。

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