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公开(公告)号：CN1184534C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN00126840.6
申请日：2000-09-06
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226 , G03F7/162
Abstract: 本发明提供了一种正型光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中，将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以1250至1350rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后，干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着，利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸3-甲氧基丁酯和γ-丁内酯，或者包括乙酸3-甲氧基丁酯、2-庚酮和γ-丁内酯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1297169A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00126840.6
申请日：2000-09-06
IPC: G03F7/16
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226 , G03F7/162
Abstract: 本发明提供了一种阳性光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中,将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以1250至1350rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后,干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着,利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸3－甲氧基丁酯和4－丁内酯,或者包括乙酸3－甲氧基丁酯、2－庚酮和4－丁内酯。
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公开(公告)号：CN1288178A
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：CN00126260.2
申请日：2000-08-30
IPC: G03F7/008
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226
Abstract: 本发明涉及一种感光速度及残膜率优秀,恶臭的发生量少,从而能够改善作业环境的正型光致抗蚀剂组合物,其包括:用以形成光致抗蚀剂层的高分子树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光性化合物以及作为溶剂的3－甲氧丁基乙酯、2－庚酮和4－丁内酯。
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公开(公告)号：CN1163797C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN00126260.2
申请日：2000-08-30
IPC: G03F7/008
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226
Abstract: 本发明涉及一种感光速度及残膜率优秀，恶臭的发生量少，从而能够改善作业环境的正型光致抗蚀剂组合物，其包括：用以形成光致抗蚀剂层的高分子树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光性化合物以及作为溶剂的3-甲氧丁基乙酯、2-庚酮和4-丁内酯。
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公开(公告)号：CN1158569C
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN00126263.7
申请日：2000-08-30
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226
Abstract: 本发明提供了一种光致抗蚀剂组合物，其包括：用以形成光致抗蚀剂层的聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光化学品以及作为溶剂的乙酸3-甲氧基丁酯和4-丁内酯。该组合物具有良好的感光性和残膜率，且没有恶臭。
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公开(公告)号：CN1289070A
公开(公告)日：2001-03-28
申请号：CN00126263.7
申请日：2000-08-30
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226
Abstract: 本发明提供了一种光致抗蚀剂组合物,其包括:用以形成光致抗蚀剂层的聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光化学品以及作为溶剂的乙酸3－甲氧基丁酯和4－丁内酯。该组合物具有良好的感光性和残膜率,且没有恶臭。
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