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公开(公告)号：CN119626880A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410445113.6
申请日：2024-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 衬底加工装置包括提供加工空间的加工室、位于加工室中并被配置为支撑衬底的工作台、耦合到加工室的一侧的窗口、以及耦合到窗口的一侧表面的闪烁体层。闪烁体层覆盖窗口的一侧表面的一部分，该部分小于整个窗口表面。与窗口的一侧表面的另一部分相对应的第二表面被暴露。由加工空间中的等离子体发射的光穿过窗口并由光学系统收集并进行分析。穿过闪烁体的紫外光被转换为更长波长的光，通常是可见光。将穿过裸露窗口的光与穿过闪烁体层的光进行比较可以对等离子体进行分析。
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公开(公告)号：CN109216147A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810696992.4
申请日：2018-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J2237/334 , H01L21/30655 , H01L21/67069 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H01J37/32431 , H01J37/32697
Abstract: 本申请提供了一种半导体制造装置和操作半导体制造装置的方法。该半导体制造装置包括等离子体腔室、源电源以及第一偏置电源和第二偏置电源。源电源在第一时间将第一源电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二源电压施加至等离子体腔室。第一偏置电源在第一时间将第一导通电压施加至等离子体腔室并且在第二时间将第一截止电压施加至等离子体腔室。第二偏置电源在第一时间将第二截止电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二导通电压施加至等离子体腔室。等离子体腔室基于源电压、导通电压和截止电压从等离子体腔室中的气体混合物形成不同条件的等离子体。
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公开(公告)号：CN107195568A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710145255.0
申请日：2017-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/67011 , H01L21/683
Abstract: 一种衬底处理装置包括静电卡盘，该静电卡盘由底座、底座上的电介质板、电介质板中的卡盘电极和电介质板中的在卡盘电极与底座之间的第一加热器部分组成。第一加热器部分包括在第一方向上彼此分开的第一加热器，以及设置在第一加热器与底座之间的各个第一上板电极。第一上板电极在第一方向上彼此分开并且分别连接到第一加热器。
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公开(公告)号：CN101740302A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910174899.8
申请日：2009-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 成德镛
Abstract: 本发明涉及一种等离子体蚀刻装置及其蚀刻方法，尤其涉及向反应室内的上部电极接通相比接通到下部电极的低频电源的频率低的电源以此改善氧化物与光致抗蚀剂的选择比的等离子体蚀刻装置及其蚀刻方法。为此，本发明实施例的等离子体蚀刻装置包括用于进行晶片蚀刻工艺的反应室、用于向所述反应室内部注入气体的气体注入装置、连接有用于使所述气体形成等离子体的高频电源的上部电极、连接有用于将所述等离子体引入到所述晶片侧的第一低频电源的下部电极，其中所述上部电极还连接有相比所述第一低频电源的频率低的第二低频电源。据此，本发明的等离子体蚀刻装置能够向上部电极入射少量的离子而释放高能二次电子，并将该二次电子入射到晶片上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109216251B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201810620351.0
申请日：2018-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种静电吸盘、一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座、位于所述吸盘基座上的绝缘板、包括位于所述绝缘板中的单元加热器的第一加热器以及被配置成控制所述单元加热器的加热器控制器。所述加热器控制器获得所述单元加热器的电阻且将所述电阻与所述阈值进行比较以控制向所述单元加热器提供的加热电力。
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公开(公告)号：CN107195568B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201710145255.0
申请日：2017-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 一种衬底处理装置包括静电卡盘，该静电卡盘由底座、底座上的电介质板、电介质板中的卡盘电极和电介质板中的在卡盘电极与底座之间的第一加热器部分组成。第一加热器部分包括在第一方向上彼此分开的第一加热器，以及设置在第一加热器与底座之间的各个第一上板电极。第一上板电极在第一方向上彼此分开并且分别连接到第一加热器。
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公开(公告)号：CN107039263B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201710064379.6
申请日：2017-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体蚀刻的方法以及包括该方法的制造半导体器件的方法。等离子体蚀刻的方法包括：将包括蚀刻对象的基板装载到腔室中的第一电极上，该腔室包括被布置为彼此面对的第一电极和第二电极；以及蚀刻该蚀刻对象。蚀刻该蚀刻对象包括将多个RF能施加到第一电极和第二电极中的一个。该多个RF能可以包括具有在从约40MHz至约300MHz的范围内的第一频率的第一RF能、具有在从约100kHz至约10MHz的范围内的第二频率的第二RF能、以及具有在从约10kHz至约5MHz的范围内的第三频率的第三RF能。
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公开(公告)号：CN111211044A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910754012.6
申请日：2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本申请提供了衬底处理设备、衬底处理方法和制造半导体装置的方法。所述衬底处理方法包括：将衬底提供至处理腔室中；将参考光引入至处理腔室中；在处理腔室中生成等离子体光，同时对衬底执行蚀刻处理；接收参考光和等离子体光；以及，通过分析参考光和等离子体光来检测蚀刻结束点。检测蚀刻结束点包括补偿调整，补偿调整基于相对于等离子体光的发射信号的变化率的参考光的吸收信号的变化率。
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公开(公告)号：CN107039263A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710064379.6
申请日：2017-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L27/11582 , H01L28/90 , H01J37/32137
Abstract: 本发明公开了一种等离子体蚀刻的方法以及包括该方法的制造半导体器件的方法。等离子体蚀刻的方法包括：将包括蚀刻对象的基板装载到腔室中的第一电极上，该腔室包括被布置为彼此面对的第一电极和第二电极；以及蚀刻该蚀刻对象。蚀刻该蚀刻对象包括将多个RF能施加到第一电极和第二电极中的一个。该多个RF能可以包括具有在从约40MHz至约300MHz的范围内的第一频率的第一RF能、具有在从约100kHz至约10MHz的范围内的第二频率的第二RF能、以及具有在从约10kHz至约5MHz的范围内的第三频率的第三RF能。
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