公开(公告)号：CN109216147A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810696992.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  崔明善 ,  姜南俊 ,  成德镛 ,  郑相旻 ,  韩丙勋

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32697

Abstract: 本申请提供了一种半导体制造装置和操作半导体制造装置的方法。该半导体制造装置包括等离子体腔室、源电源以及第一偏置电源和第二偏置电源。源电源在第一时间将第一源电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二源电压施加至等离子体腔室。第一偏置电源在第一时间将第一导通电压施加至等离子体腔室并且在第二时间将第一截止电压施加至等离子体腔室。第二偏置电源在第一时间将第二截止电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二导通电压施加至等离子体腔室。等离子体腔室基于源电压、导通电压和截止电压从等离子体腔室中的气体混合物形成不同条件的等离子体。

公开(公告)号：CN109216147B

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN201810696992.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  崔明善 ,  姜南俊 ,  成德镛 ,  郑相旻 ,  韩丙勋

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本申请提供了一种半导体制造装置和操作半导体制造装置的方法。该半导体制造装置包括等离子体腔室、源电源以及第一偏置电源和第二偏置电源。源电源在第一时间将第一源电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二源电压施加至等离子体腔室。第一偏置电源在第一时间将第一导通电压施加至等离子体腔室并且在第二时间将第一截止电压施加至等离子体腔室。第二偏置电源在第一时间将第二截止电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二导通电压施加至等离子体腔室。等离子体腔室基于源电压、导通电压和截止电压从等离子体腔室中的气体混合物形成不同条件的等离子体。

公开(公告)号：CN108257843A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711457340.7

申请日：2017-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙敏圭 ,  成德镛 ,  沈承辅 ,  郑载园 ,  韩丙勋

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32972 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种等离子体系统包括电极和向电极提供射频(RF)功率以在电极上产生等离子体的射频(RF)功率供应单元。RF功率被提供为脉冲，该脉冲在脉冲的脉冲导通间隔期间具有谷形部分。谷形部分由谷角度和谷宽度限定。通过控制谷角度和谷宽度，等离子体可以控制基板的蚀刻。