公开(公告)号：CN119020778A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410577132.4

申请日：2024-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王允宣 ,  南廷勋 ,  金永权 ,  崔玹瑞 ,  金建佑 ,  成德镛 ,  任埈澔

IPC: C23C26/00 ,  H01L21/67

Abstract: 一种表面处理的方法包括：在第一工艺室中提供部件；利用连接到所述第一工艺室的远程等离子体源生成氟等离子体；以及通过向所述第一工艺室提供所述氟等离子体在所述部件的表面上形成保护层，其中所述保护层包括氟化镁，其中所述部件的镁含量为约0.5wt％至约5.5wt％，并且其中所述保护层的厚度为约100nm至约300nm。

公开(公告)号：CN110620029B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN201910115417.5

申请日：2019-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金学泳 ,  申菲儿 ,  尹宝拉 ,  任埈澔

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了等离子体处理设备的控温装置、用于等离子体处理设备的测温器以及等离子体处理设备，所述控温装置包括控温器，所述控温器包括：可移动冷却板，被构造成选择性地接触等离子体腔室上的介电窗，冷却板具有用于冷却介电窗的冷却剂可流动穿过其的至少一个冷却槽；至少一个冷却端口，包括连接到所述至少一个冷却槽的冷却通道；以及弹性构件，被构造成朝向冷却板弹性地按压冷却端口，使得冷却板关于介电窗相对可移动。

公开(公告)号：CN119626880A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202410445113.6

申请日：2024-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜璨秀 ,  姜大元 ,  金敏周 ,  金泰铉 ,  南象基 ,  成德镛 ,  梁正模 ,  吴世真 ,  林建熙 ,  任埈澔

IPC: H01J37/32

Abstract: 衬底加工装置包括提供加工空间的加工室、位于加工室中并被配置为支撑衬底的工作台、耦合到加工室的一侧的窗口、以及耦合到窗口的一侧表面的闪烁体层。闪烁体层覆盖窗口的一侧表面的一部分，该部分小于整个窗口表面。与窗口的一侧表面的另一部分相对应的第二表面被暴露。由加工空间中的等离子体发射的光穿过窗口并由光学系统收集并进行分析。穿过闪烁体的紫外光被转换为更长波长的光，通常是可见光。将穿过裸露窗口的光与穿过闪烁体层的光进行比较可以对等离子体进行分析。

公开(公告)号：CN110620029A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910115417.5

申请日：2019-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金学泳 ,  申菲儿 ,  尹宝拉 ,  任埈澔

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了等离子体处理设备的控温装置、用于等离子体处理设备的测温器以及等离子体处理设备，所述控温装置包括控温器，所述控温器包括：可移动冷却板，被构造成选择性地接触等离子体腔室上的介电窗，冷却板具有用于冷却介电窗的冷却剂可流动穿过其的至少一个冷却槽；至少一个冷却端口，包括连接到所述至少一个冷却槽的冷却通道；以及弹性构件，被构造成朝向冷却板弹性地按压冷却端口，使得冷却板关于介电窗相对可移动。