公开(公告)号：CN108028219B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201680055076.1

申请日：2016-09-13

Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司

Inventor： 前田进一 ,  三浦幸夫 ,  小坂井守 ,  河野仁

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明的静电卡盘装置具备：静电卡盘部，具有载置板状试样的载置面；温度调整用基部，与静电卡盘部的与载置面相反的一侧的面相对地配置；粘接部，将静电卡盘部与温度调整用基部之间进行粘接；及环状的聚焦环，包围载置面的周围，由静电卡盘部、聚焦环、粘接部及温度调整用基部的堤部所包围的空间的体积大于粘接部在使用温度下的体积膨胀量。

公开(公告)号：CN108028219A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680055076.1

申请日：2016-09-13

Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司

Inventor： 前田进一 ,  三浦幸夫 ,  小坂井守 ,  河野仁

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明的静电卡盘装置具备：静电卡盘部，具有载置板状试样的载置面；温度调整用基部，与静电卡盘部的与载置面相反的一侧的面相对地配置；粘接部，将静电卡盘部与温度调整用基部之间进行粘接；及环状的聚焦环，包围载置面的周围，由静电卡盘部、聚焦环、粘接部及温度调整用基部的堤部所包围的空间的体积大于粘接部在使用温度下的体积膨胀量。

公开(公告)号：CN106206233B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201510459206.5

申请日：2015-07-30

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 池永和幸 ,  石黑正贵 ,  角屋诚浩 ,  白米茂

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32715 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32724

Abstract: 本发明提供一种能够得到期望的蚀刻形状且能够抑制因异物附着引起的生产率的恶化的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置具备：处理室，对试样进行等离子体处理；高频电源，供给用于生成等离子体的高频电力；试样台，具备用于使所述试样被静电吸附的电极，该试样台搭载所述试样；和直流电源，对所述电极施加直流电压，该等离子体处理装置的特征在于，还具备：控制装置，在所述等离子体不存在的情况下，控制所述直流电源，以便施加使所述试样的电位的绝对值变小的直流电压。

公开(公告)号：CN104822857B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480003237.3

申请日：2014-01-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤长徹志 ,  松本昌弘 ,  新井真 ,  真濑江理子 ,  岩井治宪 ,  高桥康司 ,  井堀敦仁

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/02 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/345 ,  C23C14/50 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/3497 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6838

Abstract: 薄型电路板处理装置(10)具备：处理薄型电路板(S)的电路板处理部(20A；20B)；以及在电路板处理部(20A；20B)处理薄型电路板(S)时冷却薄型电路板(S)的冷却部(31；101)。冷却部(31；101)由静电卡盘(31)或气体冷却部(101)构成，静电卡盘(31)通过吸附由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型电路板(S)，气体冷却部(101)通过供应气体给由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型

公开(公告)号：CN105895570A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510724773.9

申请日：2015-10-30

Applicant: 麦丰密封科技股份有限公司

Inventor： 张佑语 ,  黄俊尧

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/20

CPC classification number: H01L21/6833 ,  F16J15/106 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3288 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/20

Abstract: 本发明提供的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其利用改进的密封件多层次的多个密封部的设置，使改进的密封件与静电吸附承盘的侧壁间具有多重密封点，并且完全填满静电吸附承盘的沟槽，使蚀刻制程长久作业之后，纵使该改进的密封件的其中一密封点被电浆气体侵蚀而破损，仍能有够效防止漏气的发生，并且提供一缓冲时间，供产线人员实时更换改进的密封件，降低密封件因为突然的纵裂而导致漏气的危险，使半导体蚀刻制程更加安全，产品合格率更加提升。

公开(公告)号：CN105706213A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480050258.0

申请日：2014-09-11

Applicant: 梅耶博格(德国)股份有限公司

Inventor： 约阿希姆·迈

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32697

Abstract: 本发明的主题是一种等离子体产生设备，在其中设置有用于将能量耦入到等离子体腔中的等离子体内的至少一个电感式设备和至少一个电容式设备。至少一个电感式设备和至少一个电容式设备可以彼此分开地通过不同的频率发生器来供应能量或也可以通过共同的频率发生器来供应能量。

公开(公告)号：CN103053011B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201180037768.0

申请日：2011-06-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉金德尔·德辛德萨 ,  阿列克谢·马拉哈托夫 ,  安德鲁·D·贝利三世

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/6831 ,  H01L22/26

Abstract: 一种半导体晶片处理装置包括暴露于第一等离子体产生容积的第一电极、暴露于第二等离子体产生容积的第二电极以及布置在所述第一和第二等离子体产生容积之间的气体分配单元。所述第一电极被限定为将射频（RF）功率传送到第一等离子体产生容积并且将第一等离子体处理气体分配到第一等离子体产生容积。第二电极被限定为将RF功率传送到第二等离子体容积，并且保持暴露于第二等离子体产生容积的衬底。气体分配单元包括被限定为将第一等离子体产生容积与第二等离子体产生容积流体连接的通孔布置。气体分配单元还包括被限定为将第二等离子体处理气体分配到第二等离子体产生容积的气体供给端口布置。

公开(公告)号：CN105374704A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410504987.0

申请日：2014-09-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明的课题在于使形成在衬底上的膜厚和膜的特性在衬底面内不同，并使生产能力提高。本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法，衬底处理装置具有：收纳衬底的处理室；从衬底上方供给第一处理气体的第一处理气体供给部；从衬底上方供给第一反应气体的第一反应气体供给部；从衬底侧方供给第二处理气体的第二处理气体供给部；从衬底侧方供给第二反应气体的第二反应气体供给部；和控制部，其以如下方式控制：在处理气体供给工序和反应气体供给工序中的任一工序或者两个工序中，使向衬底中心侧供给的处理气体供给量与向衬底外周侧供给的处理气体供给量不同、或者使向衬底中心侧供给的反应气体供给量与向衬底外周侧供给的反应气体供给量不同。

公开(公告)号：CN104576280A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310504954.1

申请日：2013-10-23

Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 杜若昕 ,  梁洁 ,  王洪青 ,  刘志强 ,  苏兴才

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/20 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明第一方面提供了一种等离子体处理腔室及其去夹持装置和方法，其中，包括：一腔体；基台，其设置于腔体下方，基片放置于所述基台表面；设置于所述基台内部的若干冷却气体通道，其中通有冷却气体，所述冷却气体通道在所述基台和基片之间设置有一个喷气孔，所述冷却气体能够通过喷气孔将冷却气体喷向基片背面；若干升举顶针，其可移动地设置于基台内部，能够向上顶起基片，静电夹盘，位于所述基台的上部，其最上层设置有一绝缘层，在所述绝缘层中设置有一电极，其中，所述电极分别连接有一直流电源和一交流电源。本发明能够有效解决基片或者静电夹盘上的残余电荷问题导致的去夹持失败问题，且可以解决基片部分去夹持而产生的误判。

公开(公告)号：CN103984790A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410042674.8

申请日：2014-01-29

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 约翰·C·小瓦尔考 ,  布拉德福德·J·林达克

IPC: G06F17/50 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32926 ,  G01R19/0061 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/327

Abstract: 本发明涉及使用模型确定与等离子体系统关联的晶片偏置，具体描述了用于确定晶片偏置的系统和方法。这些方法中的一种包括：检测发生器的输出以识别出发生器输出复电压和电流(V＆I)。所述发生器耦合到阻抗匹配电路，而所述阻抗匹配电路耦合到静电卡盘（ESC）。该方法进一步包括：从所述发生器输出复V＆I确定沿着所述阻抗匹配电路的模型的输出和所述ESC的模型之间的路径的点处的投射的复V＆I。所述投射的复V＆I的确定的操作使用所述路径的至少部分的模型来执行。该方法包括施加所述投射的复V＆I作为函数的输入以将所述投射的复V＆I映射到在所述ESC模型处的晶片偏置值。