公开(公告)号：CN109216251B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201810620351.0

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉成 ,  朴明修 ,  吕东玧 ,  成德镛 ,  李秀浩 ,  全允珖

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 一种静电吸盘、一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座、位于所述吸盘基座上的绝缘板、包括位于所述绝缘板中的单元加热器的第一加热器以及被配置成控制所述单元加热器的加热器控制器。所述加热器控制器获得所述单元加热器的电阻且将所述电阻与所述阈值进行比较以控制向所述单元加热器提供的加热电力。

公开(公告)号：CN109216251A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810620351.0

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉成 ,  朴明修 ,  吕东玧 ,  成德镛 ,  李秀浩 ,  全允珖

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 一种静电吸盘、一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座、位于所述吸盘基座上的绝缘板、包括位于所述绝缘板中的单元加热器的第一加热器以及被配置成控制所述单元加热器的加热器控制器。所述加热器控制器获得所述单元加热器的电阻且将所述电阻与所述阈值进行比较以控制向所述单元加热器提供的加热电力。