公开(公告)号：CN111211044A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910754012.6

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世真 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  成德镛 ,  李成基 ,  李在铉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请提供了衬底处理设备、衬底处理方法和制造半导体装置的方法。所述衬底处理方法包括：将衬底提供至处理腔室中；将参考光引入至处理腔室中；在处理腔室中生成等离子体光，同时对衬底执行蚀刻处理；接收参考光和等离子体光；以及，通过分析参考光和等离子体光来检测蚀刻结束点。检测蚀刻结束点包括补偿调整，补偿调整基于相对于等离子体光的发射信号的变化率的参考光的吸收信号的变化率。

公开(公告)号：CN111180303A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910883431.X

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李恩雨 ,  金教赫 ,  金晓星 ,  宣钟宇 ,  沈承辅 ,  李炅勋 ,  李在铉 ,  任志洙 ,  许敏宁

IPC: H01J37/32

Abstract: 等离子体处理设备包括基板卡盘、聚焦环和边缘块，基板卡盘具有用于支撑基板的第一表面、与第一表面相对的第二表面及侧壁，聚焦环用于包围基板的周界；边缘块用于支撑聚焦环。所述边缘块包括位于基板卡盘的侧壁上的侧电极和位于基板卡盘的第二表面上的底电极。

公开(公告)号：CN111180303B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN201910883431.X

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李恩雨 ,  金教赫 ,  金晓星 ,  宣钟宇 ,  沈承辅 ,  李炅勋 ,  李在铉 ,  任志洙 ,  许敏宁

IPC: H01J37/32

Abstract: 等离子体处理设备包括基板卡盘、聚焦环和边缘块，基板卡盘具有用于支撑基板的第一表面、与第一表面相对的第二表面及侧壁，聚焦环用于包围基板的周界；边缘块用于支撑聚焦环。所述边缘块包括位于基板卡盘的侧壁上的侧电极和位于基板卡盘的第二表面上的底电极。

公开(公告)号：CN111430208B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202010012899.4

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  沈承辅 ,  陈厦东 ,  许敏宁 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  李在铉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 根据控制等离子体的均匀性的方法，通过使具有第一频率的第一RF信号脉冲化来产生包括第一RF脉冲的第一RF驱动脉冲信号，通过使具有的较低的第二频率的第二RF信号脉冲化来产生包括第二RF脉冲的第二RF驱动脉冲信号。将第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号施加到等离子体腔室的顶电极和/或底电极。基于第一RF脉冲和第二RF脉冲的时序来产生包括谐波控制脉冲的谐波控制信号。经由由谐波控制信号控制的谐波控制电路的间歇性激活和去激活，来减少第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号的谐波分量。通过基于RF脉冲的时序的控制来改善等离子体的均匀性。

公开(公告)号：CN115206762A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210371327.4

申请日：2022-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣钟宇 ,  金教赫 ,  金泰和 ,  朴海重 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于等离子体蚀刻的装置，该装置具有：静电卡盘，包括基层、接合层、吸附层以及边缘环，该吸附层包括在接合层上并与衬底的下表面接触的多个突起，该边缘环与衬底的横向表面间隔开并围绕衬底的横向表面；多个冷却剂供应器，在多个突起之间注入冷却剂；多个管道，将冷却剂供应给多个冷却剂供应器以使冷却剂沿预定方向循环；冷却设备，其中等离子体蚀刻工艺包括第一操作和第二操作，其中注入冷却剂以使静电卡盘在第一操作期间达到第一温度，并在第二操作期间达到第二温度；以及控制器，控制与多个管道连接的阀门以确定冷却剂的循环方向。

公开(公告)号：CN111430208A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010012899.4

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  沈承辅 ,  陈厦东 ,  许敏宁 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  李在铉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 根据控制等离子体的均匀性的方法，通过使具有第一频率的第一RF信号脉冲化来产生包括第一RF脉冲的第一RF驱动脉冲信号，通过使具有的较低的第二频率的第二RF信号脉冲化来产生包括第二RF脉冲的第二RF驱动脉冲信号。将第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号施加到等离子体腔室的顶电极和/或底电极。基于第一RF脉冲和第二RF脉冲的时序来产生包括谐波控制脉冲的谐波控制信号。经由由谐波控制信号控制的谐波控制电路的间歇性激活和去激活，来减少第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号的谐波分量。通过基于RF脉冲的时序的控制来改善等离子体的均匀性。