公开(公告)号：CN107017176B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201710001539.2

申请日：2017-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 普罗托波波夫·弗拉基米尔 ,  黄基镐 ,  成德镛 ,  吴世真 ,  印杰 ,  张圣虎 ,  全允珖

IPC: H01L21/66 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明可提供一种用于监视处理室的内部的设备，所述设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。

公开(公告)号：CN107017176A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710001539.2

申请日：2017-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 普罗托波波夫·弗拉基米尔 ,  黄基镐 ,  成德镛 ,  吴世真 ,  印杰 ,  张圣虎 ,  全允珖

IPC: H01L21/66 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32972 ,  H04N5/2252 ,  H01L22/26 ,  H01J37/32917 ,  H01L22/10

Abstract: 本发明可提供一种用于监视处理室的内部的设备，所述设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。

公开(公告)号：CN109216251B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201810620351.0

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉成 ,  朴明修 ,  吕东玧 ,  成德镛 ,  李秀浩 ,  全允珖

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 一种静电吸盘、一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座、位于所述吸盘基座上的绝缘板、包括位于所述绝缘板中的单元加热器的第一加热器以及被配置成控制所述单元加热器的加热器控制器。所述加热器控制器获得所述单元加热器的电阻且将所述电阻与所述阈值进行比较以控制向所述单元加热器提供的加热电力。

公开(公告)号：CN107195568B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201710145255.0

申请日：2017-03-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉成 ,  朴明修 ,  成德镛 ,  全允珖

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 一种衬底处理装置包括静电卡盘，该静电卡盘由底座、底座上的电介质板、电介质板中的卡盘电极和电介质板中的在卡盘电极与底座之间的第一加热器部分组成。第一加热器部分包括在第一方向上彼此分开的第一加热器，以及设置在第一加热器与底座之间的各个第一上板电极。第一上板电极在第一方向上彼此分开并且分别连接到第一加热器。

公开(公告)号：CN107979909B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201710993086.6

申请日：2017-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东协 ,  成德镛 ,  禹济宪 ,  金俸奭 ,  李柱昊 ,  全允珖 ,  赵贞贤

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明构思的实施例提供天线、等离子体产生电路、等离子体处理装置以及用于使用其制造半导体器件的方法。电路包括产生射频功率的射频功率源、接收射频功率以产生等离子体并具有第一互感的天线、以及将天线分别连接到射频功率源的电感器。电感器具有减小和/或消除第一互感的第二互感。

公开(公告)号：CN107195568A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710145255.0

申请日：2017-03-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉成 ,  朴明修 ,  成德镛 ,  全允珖

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/683

Abstract: 一种衬底处理装置包括静电卡盘，该静电卡盘由底座、底座上的电介质板、电介质板中的卡盘电极和电介质板中的在卡盘电极与底座之间的第一加热器部分组成。第一加热器部分包括在第一方向上彼此分开的第一加热器，以及设置在第一加热器与底座之间的各个第一上板电极。第一上板电极在第一方向上彼此分开并且分别连接到第一加热器。

公开(公告)号：CN107527782B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201710325905.X

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金学泳 ,  洪定杓 ,  宣钟宇 ,  成德镛 ,  林龙浩 ,  全允珖 ,  郑和俊

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：腔室；窗口板，设置在腔室的上部分中并在其中限定有紧固孔；注入器，具有包括多个喷嘴并构造为被紧固到紧固孔的主体部、和从主体部径向地延伸以在主体部被紧固到紧固孔时部分地覆盖窗口板的底表面的凸缘部；和制动器，构造为在窗口板的上表面上被紧固到主体部以在主体部被紧固到紧固孔时将注入器保持在紧固孔中。

公开(公告)号：CN109216251A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810620351.0

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉成 ,  朴明修 ,  吕东玧 ,  成德镛 ,  李秀浩 ,  全允珖

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 一种静电吸盘、一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座、位于所述吸盘基座上的绝缘板、包括位于所述绝缘板中的单元加热器的第一加热器以及被配置成控制所述单元加热器的加热器控制器。所述加热器控制器获得所述单元加热器的电阻且将所述电阻与所述阈值进行比较以控制向所述单元加热器提供的加热电力。

公开(公告)号：CN110391121B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201910025780.8

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世真 ,  姜泰钧 ,  金有信 ,  金载益 ,  牟燦滨 ,  成德镛 ,  安昇彬 ,  印杰 ,  全允珖

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种半导体基底测量设备以及使用其的等离子体处理设备，该半导体基底测量设备包括产生包括第一波段的光和第二波段的光的照射光的光源单元。光学单元将照射光照射到测量对象上，并且会聚反射光。分光单元将在光学单元中会聚的反射光分束到第一光路和第二光路中。第一检测单元设置在第一光路上并且检测反射光中的在第一波段中的第一干涉光。第二检测单元设置在第二光路上并且检测反射光中的在第二波段中的第二干涉光。控制单元计算测量对象的表面形状和厚度中的至少一种。控制单元计算测量对象的温度。

公开(公告)号：CN110391121A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910025780.8

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世真 ,  姜泰钧 ,  金有信 ,  金载益 ,  牟燦滨 ,  成德镛 ,  安昇彬 ,  印杰 ,  全允珖

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种半导体基底测量设备以及使用其的等离子体处理设备，该半导体基底测量设备包括产生包括第一波段的光和第二波段的光的照射光的光源单元。光学单元将照射光照射到测量对象上，并且会聚反射光。分光单元将在光学单元中会聚的反射光分束到第一光路和第二光路中。第一检测单元设置在第一光路上并且检测反射光中的在第一波段中的第一干涉光。第二检测单元设置在第二光路上并且检测反射光中的在第二波段中的第二干涉光。控制单元计算测量对象的表面形状和厚度中的至少一种。控制单元计算测量对象的温度。