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公开(公告)号：CN113345858A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202011264611.9
申请日：2020-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L25/10 , H01L25/16 , H01L25/00 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体封装件包括：再分布层，其包括多个再分布绝缘层、构成下布线层的多个再分布线图案、以及在穿透多个再分布绝缘层中的至少一个再分布绝缘层的同时连接到多个再分布线图案中的一些再分布线图案的多个再分布通孔；至少一个半导体芯片，其被布置在再分布层上；扩展层，其围绕再分布层上的至少一个半导体芯片；以及覆盖布线层，其包括至少一个基本绝缘层、构成上布线层的多个布线图案、以及在穿透至少一个基本绝缘层的同时连接到多个布线图案中的一些布线图案的多个导电通孔。
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公开(公告)号：CN101692443A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910130468.1
申请日：2009-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/14 , H01L23/28 , G02F1/133
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜覆晶型半导体封装及显示装置。薄膜覆晶型半导体封装显示了提高的散热效率，并且能够稳定地固定到电子设备上，且能够长时间使用。COF型半导体封装包括：柔性绝缘基底；半导体器件，设置在绝缘基底的顶表面上；散热部件，设置在绝缘基底的底表面上；粘结剂部件，用于附着绝缘基底的底表面和散热部件，其中，能够减轻外部施加的压力的压力吸收区域形成在绝缘基底的底表面和散热部件之间。
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公开(公告)号：CN101692443B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910130468.1
申请日：2009-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/14 , H01L23/28 , G02F1/133
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜覆晶型半导体封装及显示装置。薄膜覆晶型半导体封装显示了提高的散热效率，并且能够稳定地固定到电子设备上，且能够长时间使用。COF型半导体封装包括：柔性绝缘基底；半导体器件，设置在绝缘基底的顶表面上；散热部件，设置在绝缘基底的底表面上；粘结剂部件，用于附着绝缘基底的底表面和散热部件，其中，能够减轻外部施加的压力的压力吸收区域形成在绝缘基底的底表面和散热部件之间。
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公开(公告)号：CN100590855C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200410068472.7
申请日：2004-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔敬世
CPC classification number: H01L21/4846 , H01L21/3122 , H01L23/3107 , H01L23/4985 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H05K1/0393 , H05K3/045 , H05K3/06 , H05K3/107 , H05K3/1258 , H05K3/243 , H05K3/28 , H05K3/388 , H05K2201/0108 , H05K2201/0376 , H05K2201/09036 , H05K2203/0108 , Y10T29/49227 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明公开了用于半导体封装的柔性衬底，制造该柔性衬底的方法，和包括该柔性衬底的半导体封装。电路图形形成区域形成在带有凹形的绝缘衬底中，使得该电路图形形成区域位于所述绝缘衬底的表面，并且由金属材料形成的电路图形形成在电路图形形成区域中。镀覆部分覆盖所述电路图形的上表面的第一部分。阻焊剂覆盖所述电路图形的所述上表面的第二部分。
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公开(公告)号：CN112397463B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202010489044.0
申请日：2020-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/07
Abstract: 提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括封装件衬底。封装件衬底包括衬底图案和至少部分地包围衬底图案的衬底绝缘层。封装件衬底具有凹槽。外部连接端子布置在封装件衬底下方。嵌入式半导体器件布置在封装件衬底的凹槽内。嵌入式半导体器件包括第一衬底。第一有源层布置在第一衬底上。第一芯片焊盘布置在第一有源层上。埋置绝缘层布置在封装件衬底的凹槽内，并且埋置绝缘层至少部分地包围嵌入式半导体器件的侧表面的至少一部分。安装式半导体器件布置在封装件衬底上，并且连接至封装件衬底和嵌入式半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107689365A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710598041.9
申请日：2017-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L24/48 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/1469 , H01L31/0203 , H01L31/024 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L25/0657 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2224/0233 , H01L2224/02381 , H01L2224/16148 , H01L2224/81 , H01L2224/85
Abstract: 可以提供一种半导体封装，其包括基板，基板上的存储器芯片，基板上的覆盖存储器芯片的侧表面的模制层，存储器芯片上的图像传感器芯片和模制层，以及连接端子，在存储器芯片和图像传感器芯片之间并将存储器芯片电连接到图像传感器芯片。
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公开(公告)号：CN1606158A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410079420.X
申请日：2004-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔敬世
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L31/02325 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H04N5/2253 , H04N5/2254 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于移动式照相机或PC照相机的CMOS型图像传感器模块，其包括封装在具有与芯片连接的电路的衬底上的聚合材料的透明块内的图像传感半导体芯片。图像传感半导体芯片设置在衬底的上表面，与安装在衬底下表面的数字信号处理第二半导体芯片垂直间隔开。透明聚合封装材料构成密封树脂单元。数字信号处理第二半导体芯片也可以用密封树脂单元封装。可以通过注入成型和/或转移模塑形成密封转移单元。借助于单一的模塑工艺形成密封树脂单元可维持较低的生产成本。
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公开(公告)号：CN102541120A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110380601.6
申请日：2011-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/24
CPC classification number: G05F1/463 , H01L23/34 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L25/16 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16265 , H01L2224/17181 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15151 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及控制其温度的方法。该半导体器件包括半导体封装件，在所述半导体封装件中半导体芯片安装在封装件衬底上。所述半导体封装件可以包括温度测量器件和温度控制电路。所述温度测量器件可以测量所述半导体封装件的温度。所述温度控制电路基于所述温度测量器件测量得到的所述半导体封装件的温度来改变所述半导体封装件的工作速度。
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公开(公告)号：CN1901183A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610121396.0
申请日：2006-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/488 , H01L23/12 , H01L21/48 , H01L21/60 , H05K1/02 , H05K1/18 , H05K3/00 , H05K3/32 , G06K19/077
CPC classification number: H01L23/49855 , H01L21/563 , H01L23/3121 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/90 , H01L2221/68377 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/484 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/85399 , H01L2224/90 , H01L2224/92125 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H05K3/244 , H05K3/4084 , H05K2201/0394 , H05K2201/09472 , H05K2201/09509 , H05K2203/049 , H05K2203/1189 , H05K2203/1461 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种衬底、具有该衬底的智能卡模块和制造它们的方法。还提供了具有在其双侧上形成的金属图案并可应用到引线接合和倒装片接合的衬底，具有其的智能卡模块，及其制造方法。衬底可包括绝缘层、上部金属图案、底部金属图案、第一电镀层、第二电镀层和衬底。绝缘层可以具有多个通孔。上部金属图案可形成在绝缘层和多个通孔的侧表面上。底部金属图案可以形成在绝缘层的底部并电连接到上部金属图案。第一电镀层可形成在上部金属图案和底部金属图案的上表面上。第二电镀层可形成在底部金属图案的底部上。衬底可以包括多个通孔的侧表面由上部金属图案和第一电镀层覆盖的接触孔。绝缘层的下表面可由底部金属图案和第一电镀层支撑。
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公开(公告)号：CN1671270A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510055125.5
申请日：2005-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/02 , C23F4/02 , H05K3/027 , H05K3/06 , H05K2203/0369 , H05K2203/0783 , H05K2203/1121 , H05K2203/1476
Abstract: 本发明公开了一种制造带式线路基底的方法。通过该方法用简化的制造工艺可以降低生产成本。可以形成具有细小节距的线路图案。在一实施例中，该方法包括提供基层膜，在基层膜上形成金属层，并且使用激光将金属层图案化为线路图案。在另一个实施例中，使用激光将金属层部分去除，并且通过例如后续的湿法蚀刻完成线路图案的形成。
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