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公开(公告)号：CN111293108B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201911217424.2
申请日：2019-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L23/498
Abstract: 本公开提供一种中介体及包括其的半导体封装件，所述半导体封装件包括具有多个连接结构和钝化层的中介体，多个连接结构均包括彼此电连接的重新分布层，钝化层覆盖连接结构中的每个的至少一部分，并填充连接结构之间的空间。第一半导体芯片设置在中介体上并具有第一连接垫，并且第二半导体芯片在中介体上与第一半导体芯片相邻设置并具第二连接垫。连接结构独立地被布置为均在第一半导体芯片和第二半导体芯片在中介体上的堆叠方向上与第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一者或两者至少部分地叠置。连接结构中的每个的重新分布层经由凸块下金属电连接到第一连接垫和第二连接垫中的至少一个。
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公开(公告)号：CN109755206B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201810399546.7
申请日：2018-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种连接构件及其制造方法以及半导体封装件。所述半导体封装件包括：半导体芯片；连接构件，具有第一表面和与第一表面背对的第二表面，半导体芯片设置在第一表面上；包封件，设置在连接构件的第一表面上，并包封半导体芯片；钝化层，位于连接构件的第二表面上；以及凸块下金属层，部分地嵌在钝化层中，其中，凸块下金属层包括：凸块下金属过孔，嵌在钝化层中并连接到连接构件的重新分布层；以及凸块下金属焊盘，连接到凸块下金属过孔，并从钝化层的表面突出，并且凸块下金属过孔的与凸块下金属焊盘接触的部分的宽度比凸块下金属过孔的与重新分布层接触的部分的宽度窄。
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公开(公告)号：CN112992872A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011224033.6
申请日：2020-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装件包括：具有贯通开口的框架；第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片设置在贯通开口中并且具有其上设置有第一连接焊盘的第一有源表面和与第一有源表面相对的第一无源表面，第二半导体芯片设置在第一半导体芯片上并且具有其上设置有第二连接焊盘的第二有源表面和与所述第二有源表面相对的第二无源表面；第一和第二凸块，分别电连接到第一连接焊盘和第二连接焊盘；第一和第二虚设凸块，分别设置在与第一凸块的水平高度相同的水平高度和第二凸块的水平高度相同的水平高度；第一和第二柱，分别电连接到第一凸块和第二凸块；连接构件，包括电连接到第一柱和第二柱中的每一者的再分布层；以及虚设柱，设置在框架与连接构件之间。
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公开(公告)号：CN111293108A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911217424.2
申请日：2019-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/498
Abstract: 本公开提供一种中介体及包括其的半导体封装件，所述半导体封装件包括具有多个连接结构和钝化层的中介体，多个连接结构均包括彼此电连接的重新分布层，钝化层覆盖连接结构中的每个的至少一部分，并填充连接结构之间的空间。第一半导体芯片设置在中介体上并具有第一连接垫，并且第二半导体芯片在中介体上与第一半导体芯片相邻设置并具第二连接垫。连接结构独立地被布置为均在第一半导体芯片和第二半导体芯片在中介体上的堆叠方向上与第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一者或两者至少部分地叠置。连接结构中的每个的重新分布层经由凸块下金属电连接到第一连接垫和第二连接垫中的至少一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110858571B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910097843.0
申请日：2019-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供一种包括有机中介器的半导体封装件，所述包括有机中介器的半导体封装件包括：半导体芯片；连接构件，位于所述半导体芯片上并且包括焊盘层、重新分布层以及绝缘层；结合构件，位于所述半导体芯片和所述焊盘层之间；表面处理层，位于所述焊盘层上并且包括至少一个金属层；以及凸块下金属(UBM)层，嵌入在所述连接构件中。所述UBM层包括：UBM焊盘、位于所述UBM焊盘上的至少一个镀层以及UBM过孔。所述表面处理层仅设置在所述焊盘层的一个表面上，并且所述镀层仅设置在所述UBM焊盘的一个表面上，并且所述镀层的侧表面的至少一部分与所述绝缘层的围绕所述镀层的侧表面间隔开。
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公开(公告)号：CN109841589B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201810438061.4
申请日：2018-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L21/683 , H01L21/48
Abstract: 本公开提供一种载体基板及其制造方法以及制造半导体封装件的方法。所述载体基板包括：芯层；第一金属层，设置在所述芯层上；释放层，设置在所述第一金属层上；及第二金属层，设置在所述释放层上。所述第一金属层、所述释放层和所述第二金属层形成多个单元图案部，或者所述释放层和所述第二金属层形成多个单元图案部，所述多个单元图案部的面积小于所述芯层的面积。
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公开(公告)号：CN109712952B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201810539777.3
申请日：2018-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及其制造方法，该半导体封装件包括支撑构件，支撑构件具有腔并且包括布线结构，布线结构使支撑构件的彼此相对的第一表面和第二表面连接。连接构件，位于支撑构件的第二表面上并且包括连接到布线结构的第一重新分布层。半导体芯片，位于连接构件上，位于腔中，并且具有连接到第一重新分布层的连接焊盘。包封件，包封设置于腔中的半导体芯片并且覆盖支撑构件的第一表面。第二重新分布层，位于支撑构件的第一表面上并且包括布线图案和连接过孔，布线图案嵌入在包封件中并且具有暴露的表面，连接过孔贯穿包封件以使布线结构和布线图案彼此连接。
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公开(公告)号：CN113345858A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202011264611.9
申请日：2020-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L25/10 , H01L25/16 , H01L25/00 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体封装件包括：再分布层，其包括多个再分布绝缘层、构成下布线层的多个再分布线图案、以及在穿透多个再分布绝缘层中的至少一个再分布绝缘层的同时连接到多个再分布线图案中的一些再分布线图案的多个再分布通孔；至少一个半导体芯片，其被布置在再分布层上；扩展层，其围绕再分布层上的至少一个半导体芯片；以及覆盖布线层，其包括至少一个基本绝缘层、构成上布线层的多个布线图案、以及在穿透至少一个基本绝缘层的同时连接到多个布线图案中的一些布线图案的多个导电通孔。
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公开(公告)号：CN110858571A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910097843.0
申请日：2019-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供一种包括有机中介器的半导体封装件，所述包括有机中介器的半导体封装件包括：半导体芯片；连接构件，位于所述半导体芯片上并且包括焊盘层、重新分布层以及绝缘层；结合构件，位于所述半导体芯片和所述焊盘层之间；表面处理层，位于所述焊盘层上并且包括至少一个金属层；以及凸块下金属(UBM)层，嵌入在所述连接构件中。所述UBM层包括：UBM焊盘、位于所述UBM焊盘上的至少一个镀层以及UBM过孔。所述表面处理层仅设置在所述焊盘层的一个表面上，并且所述镀层仅设置在所述UBM焊盘的一个表面上，并且所述镀层的侧表面的至少一部分与所述绝缘层的围绕所述镀层的侧表面间隔开。
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