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公开(公告)号：CN116995103B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310826379.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本申请提供一种抗单粒子加固功率器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；第一阳极区设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述第一阳极区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；第二阳极区设置于所述第一阳极区背离所述第一导电类型衬底层的一侧。本申请在正向导通时，第一阳极区、第二阳极区以及阳极结构之间形成空穴导通通道，在反向工作状态时，该区域可以为空穴提供通道，使得空穴流出器件，从而降低单粒子栅穿的风险，提升器件的抗单粒子辐射性能。
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公开(公告)号：CN118763113A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411013451.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请提供一种氧化镓超结鳍型场效应晶体管，将第一P型氧化物和氧化镓漂移层引入到氧化镓超结鳍型场效应晶体管中形成超结结构，在超结区域的顶部和底部分别设置缓冲层，通过第一氧化镓缓冲层将P柱与衬底进行隔离，使得器件不会在超结区域底部提前击穿，在氧化镓漂移层顶部也设置有缓冲层，降低鳍型场效应晶体管在栅氧介质层上的电场强度，防止器件在此处提前击穿。本申请设置的双缓冲层结构降低超结区域与其他区域交界处的电场强度，使得超结漂移区内部的电场先达到临界击穿场强，有效地避免了器件的破坏性击穿，以使氧化镓超结鳍型场效应晶体管具有低导通电阻和高击穿电压的优势。
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公开(公告)号：CN117790568A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311738372.X
申请日：2023-12-15
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供一种具有组合沟道的鳍型场效应晶体管，包括：漏极金属层；衬底层设置于漏极金属层上方；鳍型漂移层设置于衬底层背离漏极金属层一侧，且鳍型漂移层的凸出部远离衬底层；第一导电层的第一部分设置于鳍型漂移层上，第一导电层的第二部分覆盖凸出部的两个侧壁；屏蔽层设置于第一导电层的第一部分远离侧壁一端中；栅氧介质层的第一部分设置于屏蔽层和第一导电层的第一部分上，栅氧介质层的第二部分覆盖第一导电层的第二部分并与侧壁接触；栅金属层覆盖栅氧介质层；钝化层覆盖栅金属层；第二导电层设置于凸出部顶端；源极金属层设置于第二导电层上且通过钝化层与第一导电层、栅氧介质层、栅金属层分隔。
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公开(公告)号：CN117352558A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311407858.5
申请日：2023-10-26
Applicant: 重庆大学 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/80 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/267
Abstract: 本申请提供一种鳍型异质结型场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底层；漏电极金属层；第一导电类型漂移层设置于第一导电类型衬底层背离漏电极金属层的一侧，第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧平面设置有凸出部以形成鳍型结构；厚氧化物屏蔽层设置于第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型导电层设置于厚氧化物屏蔽层背离第一导电类型漂移层的一侧；栅金属层，其设置于第二导电类型导电层背离第一导电类型漂移层的一侧；钝化层设置于栅金属层背离第二导电类型导电层的一侧；第一导电类型介质层设置于凸出部远离第一导电类型衬底层的一侧；源极金属层设置于第一导电类型介质层背离凸出部的一侧。
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公开(公告)号：CN117352541A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311407846.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供了一种注入增强型快速薄顶层硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：衬底层；基区，设置于衬底层上；漂移区，相邻基区设置于衬底层上；缓冲区，相邻漂移区设置于衬底层上；高阻区，相邻缓冲区设置于衬底层上；发射区，设置于基区背离衬底层的一侧；栅极区，设置于基区上；集电区，设置于缓冲区背离衬底层的一侧，集电区与高阻区接触。非平衡电子从发射区向集电区方向运动，并以直接导通的方式通过缓冲区和高阻区而被集电区收集，相较于IE‑LIGBT，本发明的电流拖尾现象基本得到消除，提高了关断速度，减小了关断损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116960189A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310821634.2
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。
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公开(公告)号：CN116845112B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202310826403.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。
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公开(公告)号：CN119050154A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411191919.3
申请日：2024-08-28
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种抗单粒子辐照的金属氧化物半导体场效应晶体管，在场效应晶体管处于宇宙射线或重离子入射的状态时，因场效应晶体管内设置有第一导电类型多晶硅源极区域，使得寄生晶体管开启时电流增益降低，降低了器件的载流子倍增效应，以改善器件抗单粒子性能，再通过第二导电类型多晶硅源极区域形成一条空穴流动的通道，以将重离子入射时在氧化层下产生的空穴排除器件，使得氧化层内部的峰值电场降低。本申请在降低器件载流子倍增效应后，再通过空穴通道提高抗单粒子辐照性能，使得器件具有低的氧化层峰值电场和漏极电流，改善场效应晶体管的抗单粒子栅穿性能和烧毁性能，以提升了器件的抗单粒子辐照的能力。
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公开(公告)号：CN118969778A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411031982.0
申请日：2024-07-30
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 本申请提供一种肖特基接触超势垒整流器，该整流器基于阳极金属层、第一导电类型多晶硅层、氧化层和第二导电类型低电子势垒锗硅区域形成低电子势垒结构，该低电子势垒结构为整流器的阳极结构，当整流器正向导通时，电子将更容易从阴极向阳极流动，实现更小的导通电压。因此，整流器可以在不恶化正向导通电压和反向泄漏电流的前提下，增加氧化层的厚度；在不对基本电学特性造成退化的基础上，通过增加氧化层的厚度来改善肖特基接触超势垒整流器的单粒子栅穿特性，以改善抗单粒子栅穿性能。
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公开(公告)号：CN116960189B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310821634.2
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。
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