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公开(公告)号：CN116845112B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202310826403.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。
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公开(公告)号：CN116995103B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310826379.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本申请提供一种抗单粒子加固功率器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；第一阳极区设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述第一阳极区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；第二阳极区设置于所述第一阳极区背离所述第一导电类型衬底层的一侧。本申请在正向导通时，第一阳极区、第二阳极区以及阳极结构之间形成空穴导通通道，在反向工作状态时，该区域可以为空穴提供通道，使得空穴流出器件，从而降低单粒子栅穿的风险，提升器件的抗单粒子辐射性能。
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公开(公告)号：CN117352558A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311407858.5
申请日：2023-10-26
Applicant: 重庆大学 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/80 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/267
Abstract: 本申请提供一种鳍型异质结型场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底层；漏电极金属层；第一导电类型漂移层设置于第一导电类型衬底层背离漏电极金属层的一侧，第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧平面设置有凸出部以形成鳍型结构；厚氧化物屏蔽层设置于第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型导电层设置于厚氧化物屏蔽层背离第一导电类型漂移层的一侧；栅金属层，其设置于第二导电类型导电层背离第一导电类型漂移层的一侧；钝化层设置于栅金属层背离第二导电类型导电层的一侧；第一导电类型介质层设置于凸出部远离第一导电类型衬底层的一侧；源极金属层设置于第一导电类型介质层背离凸出部的一侧。
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公开(公告)号：CN116960189A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310821634.2
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。
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公开(公告)号：CN116960189B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310821634.2
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116995103A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310826379.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本申请提供一种抗单粒子加固功率器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；第一阳极区设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述第一阳极区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；第二阳极区设置于所述第一阳极区背离所述第一导电类型衬底层的一侧。本申请在正向导通时，第一阳极区、第二阳极区以及阳极结构之间形成空穴导通通道，在反向工作状态时，该区域可以为空穴提供通道，使得空穴流出器件，从而降低单粒子栅穿的风险，提升器件的抗单粒子辐射性能。
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公开(公告)号：CN117790569A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311738402.7
申请日：2023-12-15
Applicant: 重庆大学 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供了一种具有栅氧介质层的鳍型异质结场效应晶体管，包括：漏极金属层；衬底层设置于漏极金属层上方；鳍型漂移层设置于衬底层背离漏极金属层的一侧，且鳍型漂移层的凸出部远离衬底层；第一导电层的第一部分设置于鳍型漂移层上，第一导电层的第二部分覆盖凸出部的两个侧壁；屏蔽层设置于第一导电层的第一部分上，并与第一导电层的第二部分接触；栅氧介质层的第一部分设置于屏蔽层上，栅氧介质层的第二部分覆盖第一导电层的第二部分；栅金属层设置于栅氧介质层上；钝化层覆盖栅金属层，且部分与凸出部的两个侧壁接触；第二导电层设置于凸出部的顶部；源极金属层设置于第二导电层上。
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公开(公告)号：CN116845112A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310826403.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。
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公开(公告)号：CN114709259B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210313758.5
申请日：2022-03-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的横向绝缘栅双极型晶体管，包括自下而上依次层叠设置的衬底区、有源区和表面功能区；本发明在阳极侧集成肖特基势垒栅，并延申到器件内部的N缓冲区形成肖特基接触。当器件从导通态转变至关断态时，阳极加在辅助栅上的电压使得阳极侧打开一条额外的电子提取通路，过剩载流子的复合时间大大缩短，从而提升器件关断时的速度，降低关断损耗。正向导通时，通过调整阳极结构，使得阳极侧的电子提取通路在阳极P+开始向N区注入空穴后开启，可以解决正向导通时的负阻效应，从而实现无正向折回现象。
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公开(公告)号：CN116190458A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310177029.6
申请日：2023-02-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/872
Abstract: 本发明公开一种包含肖特基二极管的肖特基接触超势垒整流器，包括阳极金属层(1)、重掺杂第二导电类型多晶硅层(2)、栅氧化层(3)、重掺杂第二导电类型阳极区域(4)、轻掺杂第一导电类型漂移区(5)、重掺杂第一导电类型衬底层(6)；本发明在肖特基接触超势垒整流器(SSBR)基础上进行改进，改善了器件的正向特性，相较于SSBR整流器，本发明的正向阈值电压更低。
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