公开(公告)号：CN1881547A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610105541.6

申请日：2006-06-07

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 梅野繁 ,  大浦康浩 ,  加藤浩二

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/20 ,  H01L29/739 ,  H01L29/02 ,  C30B15/00 ,  C30B33/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L29/32 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3225 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种IGBT用硅晶片的制造方法，通过直拉法形成晶格间的氧浓度为7.0×1017原子/cm3或以下的硅锭，对该硅锭照射中子束掺杂磷后，切取晶片，在至少含有氧的氛围气中、在满足指定的式子的温度下，对该晶片进行氧化氛围气退火处理，并在前述晶片的一面侧上具有多晶硅层或应变层。

公开(公告)号：CN100527369C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200610105541.6

申请日：2006-06-07

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 梅野繁 ,  大浦康浩 ,  加藤浩二

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/20 ,  H01L29/739 ,  H01L29/02 ,  C30B15/00 ,  C30B33/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L29/32 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3225 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种IGBT用硅晶片的制造方法，通过直拉法形成晶格间的氧浓度为7.0×1017原子/cm3或以下的硅锭，对该硅锭照射中子束掺杂磷后，切取晶片，在至少含有氧的氛围气中、在满足指定的式子的温度下，对该晶片进行氧化氛围气退火处理，并在前述晶片的一面侧上具有多晶硅层或应变层。