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公开(公告)号：CN1795545A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014685.X
申请日：2004-05-26
Applicant: 株式会社上睦可
Inventor： 浅川庆一郎
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02013 , B24B7/17 , B24B9/065 , B24B37/042 , B24B37/08 , B24B37/245 , H01L21/02008 , H01L21/30625
Abstract: 本发明提供了一种半导体晶片的制造方法，其中利用自由研磨剂颗粒的半固定研磨剂颗粒研磨降低了由线锯切割或双盘研磨产生的微小表面起伏，同时简化了常规半导体晶片的制造工艺步骤。半导体晶片的制造方法的特征在于，进行以下工艺：切割，然后倒角，蚀刻，以及一侧或双侧抛光，其中在所述切割工艺之后进行利用多孔抛光衬垫和自由研磨剂颗粒的半固定研磨剂研磨工艺。
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