公开(公告)号：CN101504944B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200910003998.X

申请日：2004-03-30

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 中田嘉信 ,  白木弘幸 ,  长谷川健

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供一种硅片热处理夹具和热处理方法，在相互隔开间隔地从支承框向中心点突出的3个支承臂部的上侧设有支承突起，在将硅片载置在上述支承突起上、在热处理炉内进行热处理时，支承突起全部在硅片的同一圆周上、且位于硅片半径的外侧方向85～99.5％的范围内，各支承臂部分别配置成相对于中心点构成120°的角度，由此，使从销迹点进入的位移的自由深度比器件形成区域深，而且，使这样的晶片表面上没有滑动的无滑动区域扩大到最大。

公开(公告)号：CN101504944A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910003998.X

申请日：2004-03-30

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 中田嘉信 ,  白木弘幸 ,  长谷川健

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供一种硅片热处理夹具和热处理方法，在相互隔开间隔地从支承框向中心点突出的3个支承臂部的上侧设有支承突起，在将硅片载置在上述支承突起上、在热处理炉内进行热处理时，支承突起全部在硅片的同一圆周上、且位于硅片半径的外侧方向85～99.5％的范围内，各支承臂部分别配置成相对于中心点构成120°的角度，由此，使从销迹点进入的位移的自由深度比器件形成区域深，而且，使这样的晶片表面上没有滑动的无滑动区域扩大到最大。

公开(公告)号：CN1932496A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610121917.2

申请日：2006-08-28

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 伊藤亘 ,  长谷川健 ,  盐多孝明

IPC: G01N27/00 ,  G01N1/28 ,  G01N21/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12

Abstract: 本发明提供了能够很容易检测具有小的晶体缺陷的区域的硅晶片表面缺陷评价方法。本发明的硅晶片表面缺陷评价方法的特征在于：快速热处理步骤，即，在可以使硅氮化的气氛中，以10－150℃/秒的升温速度从室温上升到不低于1170℃但低于硅熔点的温度对从硅单晶锭上切下的硅晶片进行热处理，将硅晶片在该处理温度保持1－120秒，然后将硅晶片以10－100℃/秒的降温速度冷却到室温；和采用表面光电压方法计算晶片表面上少数载流子扩散长度的步骤，以检测出晶片表面上的具有至少不能通过颗粒计数器检测出的小COP的区域。

公开(公告)号：CN1768421B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200480008600.7

申请日：2004-03-30

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 中田嘉信 ,  白木弘幸 ,  长谷川健

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供一种硅片热处理夹具和热处理方法，在相互隔开间隔地从支承框向中心点突出的3个支承臂部的上侧设有支承突起，在将硅片载置在上述支承突起上、在热处理炉内进行热处理时，支承突起全部在硅片的同一圆周上、且位于硅片半径的外侧方向85～99.5％的范围内，各支承臂部分别配置成相对于中心点构成120°的角度，由此，使从销迹点进入的位移的自由深度比器件形成区域深，而且，使这样的晶片表面上没有滑动的无滑动区域扩大到最大。

公开(公告)号：CN1768421A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480008600.7

申请日：2004-03-30

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 中田嘉信 ,  白木弘幸 ,  长谷川健

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供一种硅片热处理夹具和热处理方法，在相互隔开间隔地从支承框向中心点突出的3个支承臂部的上侧设有支承突起，在将硅片载置在上述支承突起上、在热处理炉内进行热处理时，支承突起全部在硅片的同一圆周上、且位于硅片半径的外侧方向85～99.5％的范围内，各支承臂部分别配置成相对于中心点构成120°的角度，由此，使从销迹点进入的位移的自由深度比器件形成区域深，而且，使这样的晶片表面上没有滑动的无滑动区域扩大到最大。