公开(公告)号：CN101504944B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200910003998.X

申请日：2004-03-30

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 中田嘉信 ,  白木弘幸 ,  长谷川健

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供一种硅片热处理夹具和热处理方法，在相互隔开间隔地从支承框向中心点突出的3个支承臂部的上侧设有支承突起，在将硅片载置在上述支承突起上、在热处理炉内进行热处理时，支承突起全部在硅片的同一圆周上、且位于硅片半径的外侧方向85～99.5％的范围内，各支承臂部分别配置成相对于中心点构成120°的角度，由此，使从销迹点进入的位移的自由深度比器件形成区域深，而且，使这样的晶片表面上没有滑动的无滑动区域扩大到最大。

公开(公告)号：CN101504944A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910003998.X

申请日：2004-03-30

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 中田嘉信 ,  白木弘幸 ,  长谷川健

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供一种硅片热处理夹具和热处理方法，在相互隔开间隔地从支承框向中心点突出的3个支承臂部的上侧设有支承突起，在将硅片载置在上述支承突起上、在热处理炉内进行热处理时，支承突起全部在硅片的同一圆周上、且位于硅片半径的外侧方向85～99.5％的范围内，各支承臂部分别配置成相对于中心点构成120°的角度，由此，使从销迹点进入的位移的自由深度比器件形成区域深，而且，使这样的晶片表面上没有滑动的无滑动区域扩大到最大。

公开(公告)号：CN1768421B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200480008600.7

申请日：2004-03-30

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 中田嘉信 ,  白木弘幸 ,  长谷川健

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供一种硅片热处理夹具和热处理方法，在相互隔开间隔地从支承框向中心点突出的3个支承臂部的上侧设有支承突起，在将硅片载置在上述支承突起上、在热处理炉内进行热处理时，支承突起全部在硅片的同一圆周上、且位于硅片半径的外侧方向85～99.5％的范围内，各支承臂部分别配置成相对于中心点构成120°的角度，由此，使从销迹点进入的位移的自由深度比器件形成区域深，而且，使这样的晶片表面上没有滑动的无滑动区域扩大到最大。

公开(公告)号：CN1768421A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480008600.7

申请日：2004-03-30

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 中田嘉信 ,  白木弘幸 ,  长谷川健

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供一种硅片热处理夹具和热处理方法，在相互隔开间隔地从支承框向中心点突出的3个支承臂部的上侧设有支承突起，在将硅片载置在上述支承突起上、在热处理炉内进行热处理时，支承突起全部在硅片的同一圆周上、且位于硅片半径的外侧方向85～99.5％的范围内，各支承臂部分别配置成相对于中心点构成120°的角度，由此，使从销迹点进入的位移的自由深度比器件形成区域深，而且，使这样的晶片表面上没有滑动的无滑动区域扩大到最大。