公开(公告)号：CN103579174A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210382138.3

申请日：2012-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 涂国基 ,  朱文定

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/2436 ,  H01L28/40 ,  H01L29/94 ,  H01L45/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种工艺兼容去耦电容器器件及其制造方法。该去耦电容器器件包括在沉积工艺中沉积的第一介电层部分，该沉积工艺还沉积用于非易失性存储单元的第二介电层部分。使用单个掩模图案化这两部分。还提供了系统级芯片(SOC)器件，SOC包括RRAM单元和位于单个金属间介电层中的去耦电容器。还提供了用于形成工艺兼容去耦电容器的方法。该方法包括图案化顶部电极层、绝缘层和底部电极层以形成非易失性存储元件和去耦电容器。

公开(公告)号：CN103415921A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280012501.0

申请日：2012-02-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松林大介

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1085 ,  C23C14/08 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11514 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/40 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种在面积上尽可能小并具有极长数据保持周期的存储装置。将具有极低漏电流的晶体管用作存储装置中的存储元件的单元晶体管。此外，为降低存储单元的面积，将该晶体管形成为使得其源极及漏极在位线及字线彼此相交的区域中在垂直方向上层叠。另外，将电容器堆叠在该晶体管之上。

公开(公告)号：CN103403860A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280011799.3

申请日：2012-03-02

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 长仓浩太郎

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32105 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明涉及制造可抑制容量值的施加电场依赖性上升及电介质膜的初始缺陷这两者的双层多晶硅电容元件。该双层多晶硅电容元件包含：注入有磷离子的下部电极；形成在下部电极上的电介质膜；以及形成在该电介质膜上的上部电极，电介质膜包含将用来形成下部电极的多晶硅膜的一部分氧化而形成的表层部被蚀刻掉的热氧化膜以及形成在热氧化膜上的沉积氧化膜。

公开(公告)号：CN102113101B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980129804.9

申请日：2009-07-09

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 尼尚特·辛哈

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76882 ,  H01L28/90 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文中揭示用于从微电子衬底移除导电材料(例如，贵金属)的抛光系统及方法。所述方法的数个实施例包括在衬底材料中形成孔口，将导电材料安置于所述衬底材料上及所述孔口中，以及将填充材料安置于所述导电材料上。所述填充材料至少部分地填充所述孔口。接着抛光所述衬底材料以移除在所述孔口外部的所述导电材料和所述填充材料的至少一部分，在此期间所述填充材料大致防止所述导电材料在抛光所述衬底材料期间涂抹到所述孔口中。

公开(公告)号：CN103270593A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201180062109.2

申请日：2011-11-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： N·林德特

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: 描述了一种用于动态随机存取存储器（DRAM）的矩形电容器及形成其的双重光刻方法。例如，电容器包括在设置于衬底上方的第一电介质层中设置的沟槽。杯状金属板沿着所述沟槽的底部和侧壁设置。第二电介质层设置在所述杯状金属板上并与其共形。沟槽填充金属板设置在所述第二电介质层上。所述第二电介质层使所述沟槽填充金属板与所述杯状金属板隔离。从俯视角度观察，所述电容器具有矩形或近似矩形形状。

公开(公告)号：CN101714506B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200910260665.5

申请日：2004-06-30

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 吉德信 ,  卢载盛 ,  孙贤哲

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明涉及一种具有氧化铪及氧化铝合成介电层的电容器及其制造方法。所述电容器包括一下电极、一在所述下电极上形成的介电层、以及一在所述介电层上形成的上电极，其中与所述下电极及上电极中之一接触的所述介电层的部分是通过使氧化铪及氧化铝在一起形成合金而形成的。

公开(公告)号：CN103050376A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210057500.X

申请日：2012-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张耀文 ,  蔡正原 ,  林杏莲

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/792 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30612 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/365 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体器件的系统和方法。一个实施例包括采用原子层沉积(ALD)工艺形成沉积层。ALD工艺可以利用第一前体并持续第一时间周期；第一清除并持续比第一时间周期更长的第二时间周期；第二前体并持续比第一时间周期更长的第三时间周期；以及第二清除并持续比第三时间周期更长的第四时间周期。本发明还公开了沉积材料及形成方法。

公开(公告)号：CN102231361B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110159383.3

申请日：2007-11-13

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： 彼得·A·伯克 ,  沙丽·豪斯 ,  萨德哈玛·C·沙斯特瑞

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/53238 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体部件以及用于制造该半导体部件的方法。垂直集成的无源器件制造在基片之上。根据一个实施方案，电阻器制造在高于基片的第一层次中，电容器制造在垂直方向高于第一层次的第二层次中，且铜电感器制造在垂直方向高于第二层次的第三层次中。电容器具有铝极板。根据另一个实施方案，电阻器制造在高于基片的第一层次中，铜电感器制造在垂直方向高于第一层次的第二层次中，且电容器制造在垂直方向高于第二层次的第三层次中。电容器可以具有铝极板，或者铜电感器的一部分可以用作其中一个电容器极板。

公开(公告)号：CN102956353A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210249337.7

申请日：2012-07-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 服部和生 ,  藤本力

IPC: H01G2/06 ,  H01G4/30 ,  H01R33/76 ,  H01R43/00

CPC classification number: H01G4/232 ,  H01G2/065 ,  H01G4/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49805 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/09181 ,  H05K2201/099 ,  H05K2201/10015 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种结构设计和安装容易且具有与目前通常的安装结构相等的安装强度及电特性的芯片部件结构体及制造方法。层叠陶瓷电容器(20)是层叠了规定层数的平板状的内部电极(200)的结构。插板(30)具备比层叠陶瓷电容器(20)的外形还宽的基板(31)。在基板(31)的第一主面上形成有用于安装层叠陶瓷电容器(20)的第一表面电极(321、331)，在第二主面上形成有用于与外部电路基板(90)连接的第一背面电极(322、332)。在插板(30)的侧面上形成有凹部(310)，在凹部(310)的壁面上形成有连接导体(343)。在基板(31)的表面上沿着周边部形成有抗蚀剂膜(321A、331A)。

公开(公告)号：CN102903717A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210037951.7

申请日：2012-02-20

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 金宗洙

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/0629 ,  G11C5/141 ,  G11C5/147 ,  G11C11/4074 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明提供一种具有提供稳定电源的电容器的半导体集成电路及其制造方法。在外围电路区域中形成有虚设电容器组，且虚设电容器组包括虚设储存节点接触单元、电介质和虚设平板电极。在外围电路区域中形成有金属氧化物半导体(MOS)电容器，且MOS电容器与虚设电容器组并联连接。虚设电容器组的电容可以大于MOS电容器的电容。