公开(公告)号：CN102959632A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180032004.2

申请日：2011-06-29

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 山·D·唐 ,  尼尚特·辛哈

IPC: G11C7/18 ,  G11C16/02 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11551 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明揭示存储器及其形成。一个此种存储器具有：在所述存储器的第一垂直层级处的第一及第二存储器单元；在所述存储器的第二垂直层级处的第一及第二存储器单元；选择性地耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第一存储器单元的第一数据线；及在所述第一数据线上方且选择性地耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第二存储器单元的第二数据线。

公开(公告)号：CN102113101B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980129804.9

申请日：2009-07-09

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 尼尚特·辛哈

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76882 ,  H01L28/90 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文中揭示用于从微电子衬底移除导电材料(例如，贵金属)的抛光系统及方法。所述方法的数个实施例包括在衬底材料中形成孔口，将导电材料安置于所述衬底材料上及所述孔口中，以及将填充材料安置于所述导电材料上。所述填充材料至少部分地填充所述孔口。接着抛光所述衬底材料以移除在所述孔口外部的所述导电材料和所述填充材料的至少一部分，在此期间所述填充材料大致防止所述导电材料在抛光所述衬底材料期间涂抹到所述孔口中。

公开(公告)号：CN102959632B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201180032004.2

申请日：2011-06-29

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 山·D·唐 ,  尼尚特·辛哈

IPC: G11C7/18 ,  G11C16/02 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11551 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明揭示存储器及其形成。一个此种存储器具有：在所述存储器的第一垂直层级处的第一及第二存储器单元；在所述存储器的第二垂直层级处的第一及第二存储器单元；选择性地耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第一存储器单元的第一数据线；及在所述第一数据线上方且选择性地耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第二存储器单元的第二数据线。

公开(公告)号：CN102341890B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201080010975.2

申请日：2010-02-04

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 尼尚特·辛哈 ,  古尔特杰·S·桑胡 ,  约翰·斯迈思

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明揭示包括接合到晶片或衬底的体区域的半导体层的电子设备、系统及方法，其中可使用电磁辐射将所述半导体层接合到所述体区域。本发明还揭示额外设备、系统及方法。

公开(公告)号：CN103503116A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280018861.1

申请日：2012-03-13

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 山·D·唐 ,  斯科特·E·西里斯 ,  惠特尼·L·韦斯特 ,  罗布·B·古德温 ,  尼尚特·辛哈

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L45/1266 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53247 ,  H01L23/53252 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L45/14

Abstract: 本发明揭示形成半导体结构和存储器单元的例如互连件和电极等导电元件的方法。所述方法包括：在至少一个开口的一部分中形成第一导电材料和包含银的第二导电材料；以及执行抛光工艺，从而以所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者填充所述至少一个开口。可执行退火工艺以形成银与材料的混合物或合金。所述方法使得能够形成具有减小的尺寸(例如，小于约20nm)的含银导电元件。所得导电元件具有所要的电阻率。举例来说，所述方法可用于形成用于电连接有源装置的互连件且用于形成存储器单元的电极。还揭示包括此导电结构的半导体结构和存储器单元。

公开(公告)号：CN107275282A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710243903.6

申请日：2012-03-13

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 山·D·唐 ,  斯科特·E·西里斯 ,  惠特尼·L·韦斯特 ,  罗布·B·古德温 ,  尼尚特·辛哈

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1266 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53247 ,  H01L23/53252 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示形成至少一个导电元件的方法，形成半导体结构的方法，形成存储器单元的方法以及相关的半导体结构。所述方法包括：在至少一个开口的一部分中形成第一导电材料和包含银的第二导电材料；以及执行抛光工艺，从而以所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者填充所述至少一个开口。可执行退火工艺以形成银与材料的混合物或合金。所述方法使得能够形成具有减小的尺寸(例如，小于约20nm)的含银导电元件。所得导电元件具有所要的电阻率。举例来说，所述方法可用于形成用于电连接有源装置的互连件且用于形成存储器单元的电极。还揭示包括此导电结构的半导体结构和存储器单元。

公开(公告)号：CN102341890A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010975.2

申请日：2010-02-04

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 尼尚特·辛哈 ,  古尔特杰·S·桑胡 ,  约翰·斯迈思

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明揭示包括接合到晶片或衬底的体区域的半导体层的电子设备、系统及方法，其中可使用电磁辐射将所述半导体层接合到所述体区域。本发明还揭示额外设备、系统及方法。

公开(公告)号：CN102113101A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980129804.9

申请日：2009-07-09

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 尼尚特·辛哈

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76882 ,  H01L28/90 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文中揭示用于从微电子衬底移除导电材料(例如，贵金属)的抛光系统及方法。所述方法的数个实施例包括在衬底材料中形成孔口，将导电材料安置于所述衬底材料上及所述孔口中，以及将填充材料安置于所述导电材料上。所述填充材料至少部分地填充所述孔口。接着抛光所述衬底材料以移除在所述孔口外部的所述导电材料和所述填充材料的至少一部分，在此期间所述填充材料大致防止所述导电材料在抛光所述衬底材料期间涂抹到所述孔口中。