-
公开(公告)号：CN102214673B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201010567688.3
申请日：2010-12-01
Applicant: 海力士半导体有限公司
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/55 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1641
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：下部电极；设置在下部电极之上的可变电阻层，可变电阻层包括夹在多个氧化物电阻层之间的反应性金属层；以及设置在可变电阻层之上的上部电极。
-
公开(公告)号：CN101299421A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200710306332.2
申请日：2007-12-28
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: H01L21/8242 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L27/108 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/32136 , H01L21/32115 , H01L21/76843 , H01L21/76865 , H01L28/65
Abstract: 本发明涉及一种包含钌电极的半导体器件及其制造方法，一种半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底上的绝缘图案；绝缘图案上的蚀刻停止层，绝缘图案与蚀刻停止层限定的暴露所述衬底的接触孔；填充接触孔的一部分的第一塞；在第一塞上方以及接触孔的其余部分的底部和侧壁上形成的扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成并填充接触孔的第二塞；和连接第二塞并形成在其上的存储节点。
-
-
公开(公告)号：CN101630661B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200910008586.5
申请日：2009-02-03
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/41 , H01L29/92
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/3146 , H01L21/3185 , H01L27/10808 , H01L27/10852 , H01L28/91
Abstract: 一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述方法能够防止在相邻存储节点之间发生倾斜现象。所述方法包括：形成多个多层柱状物型存储节点，每一个节点均掩埋在多个模层中，其中所述多层柱状物型存储节点的最上层由支撑层固定；蚀刻支撑层的一部分以形成开口；和通过所述开口供给蚀刻溶液以移除所述多个模层。通过实施沉积和蚀刻模层的工艺2次或更多次来形成所述多层柱状物型存储节点。因此，充分确保期望的电容并避免相邻存储节点之间的倾斜现象。
-
公开(公告)号：CN100490061C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200610149857.5
申请日：2006-10-27
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/65 , H01L27/10852 , H01L28/91
Abstract: 提供一种制造半导体器件中的电容器的方法。该方法包括在衬底上形成绝缘层；将金属源材料铺填到绝缘层上以改变绝缘层的表面特性，从而改善基于金属的材料对绝缘层表面的附着性；在铺填的绝缘层上形成包含基于金属的材料的存储节点；和随后在基于金属的存储节点上顺序形成介电层和平板电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100481461C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510097530.3
申请日：2005-12-30
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/31 , H01B3/10
CPC classification number: B82Y10/00 , C23C16/405 , C23C16/45531 , H01L21/3142 , H01L27/1085 , H01L28/40
Abstract: 提供了一种具有纳米复合电介质结构的电容器及其制造方法。所述电容器包括：下电极、纳米复合电介质结构和上电极。通过以纳米组合物形式混合氧化铪(HfO2)层和介电常数等于或大于所述HfO2层的介电常数的电介质层获得所述纳米复合电介质结构。所述电介质层包括选自ZrO2、La2O3和Ta2O5的材料，每个层具有约25到约30的介电常数和约4.3到约7.8的带隙能级。
-
公开(公告)号：CN1619820A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410062628.0
申请日：2004-06-30
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/316 , H01L21/285 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/02194 , C23C16/40 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3142 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L27/10873
Abstract: 本发明涉及一种氧化铪及氧化铝合成介电层及其制造方法。所述介电层通过采用原子层沉积技术沉积形成。制造氧化铪及氧化铝合成介电层的方法包含下列步骤：通过重复进行原子层沉积技术的第一循环沉积氧化铪单原子层；通过重复进行原子层沉积技术的第二循环沉积氧化铝单原子层；及通过重复进行包含混合第一与第二循环的第三循环，沉积氧化铪单原子层与氧化铝单原子层的介电层。
-
公开(公告)号：CN102214673A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010567688.3
申请日：2010-12-01
Applicant: 海力士半导体有限公司
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/55 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1641
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：下部电极；设置在下部电极之上的可变电阻层，可变电阻层包括夹在多个氧化物电阻层之间的反应性金属层；以及设置在可变电阻层之上的上部电极。
-
-
公开(公告)号：CN101714506A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910260665.5
申请日：2004-06-30
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/316 , H01L29/92
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L21/31645
Abstract: 本发明涉及一种具有氧化铪及氧化铝合成介电层的电容器及其制造方法。所述电容器包括一下电极、一在所述下电极上形成的介电层、以及一在所述介电层上形成的上电极，其中与所述下电极及上电极中之一接触的所述介电层的部分是通过使氧化铪及氧化铝在一起形成合金而形成的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.045 seconds)
