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公开(公告)号：CN110911376A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811076664.0
申请日：2018-09-14
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/52
Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片封装件及其制造方法，该封装件包括一个引线框架、设置在该引线框架上的一个芯片衬垫、设置在上述芯片衬垫上的一个半导体芯片，其中，该半导体芯片与引线框架通过芯片衬垫电连接。并且，上述芯片衬垫的热膨胀系数大于半导体芯片的热膨胀系数而小于引线框架的热膨胀系数。通过在引线框架与半导体芯片之间设置一芯片衬垫，且该芯片衬垫的热膨胀系数大于半导体芯片的热膨胀系数而小于引线框架的热膨胀系数，缓解半导体芯片内部应力较大问题，减缓半导体芯片内部晶胞损伤程度，改善半导体芯片翘曲出现能带弯曲，提高半导体芯片封装器件的可靠性能。
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公开(公告)号：CN110808235A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810884478.3
申请日：2018-08-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及晶体管封装技术领域，公开了一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构及其制作方法，该沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构包括：沟槽型绝缘栅双极型晶体管，沟槽型绝缘栅双极型晶体管包括与发射极电连接的发射极金属层以及位于发射极金属层一侧的沟槽型栅极；引线框架，引线框架包括用于固定沟槽型绝缘栅双极型晶体管的芯片放置区以及发射极引出端；连接发射极金属层与发射极引脚的第一焊线，第一焊线一端与发射极金属层背离沟槽型栅极的表面连接形成条形的第一焊点，另一端与发射极引出端连接形成第二焊点，且第一焊点的延伸方向垂直于沟槽型栅极沟槽的延伸方向。该封装结构减小了单个沟槽的应力，提高了焊线良率，提高了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN110767623A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910872432.4
申请日：2019-09-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种基材及其制备方法与电路基板，涉及电子器件领域。该基材包括：用于贴装金属片的贴片区和包围所述贴片区的隔离区；其中，所述隔离区的至少一个表面设有锯齿槽。该基材能够解决现有技术中小型化的功率模块击穿率高的问题，利用该基材制备的功率器件能够提高功率器件的绝缘性能，降低击穿率。
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公开(公告)号：CN110752149A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910883126.0
申请日：2019-09-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种功率器件加工方法，包括：在衬底设置硬掩模，并在所述硬掩模光刻出刻蚀窗口；通过所述刻蚀窗口对所述衬底进行沟槽刻蚀，保留所述硬掩模；对所述硬掩模进行横向刻蚀，用于形成离子注入窗口；进行N+离子注入工艺，对应所述硬掩模被刻蚀区域形成N型导电层，刻蚀形成的离子注入窗口，降低了N+工艺光刻的技术难度，硬掩模对N+离子注入进行自对准阻挡，从而解决N+离子注入对偏问题，保证功率器件的电性及动态参数的稳定。
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公开(公告)号：CN110416200A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910589440.8
申请日：2019-07-02
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L21/98 , H01L23/04 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及电子功率器件技术领域，特别涉及一种功率模块封装结构及制作方法。该功率模块封装结构包括绝缘外壳和基板组件，绝缘外壳封装于基板组件外以至少覆盖基板组件的功能结构部分；基板组件包括第一基板和第二基板；第一基板朝向第二基板的表面设置有功率因数校正开关芯片、功率因数校正二极管以及三相逆变芯片；第二基板朝向绝缘外壳的表面设置有功率因数校正驱动芯片、三相逆变驱动芯片以及自举二极管芯片，第二基板朝向第一基板的表面设置有电路层；电路层分别与功率因数校正开关芯片、功率因数校正二极管以及三相逆变芯片电性连接。在满足功能要求的基础上缩小了结构占板面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109442707A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811285691.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明涉及空调控制器散热技术领域，具体涉及到一种空调控制器的散热器、空调及其散热器的制作方法。所述空调上设有相对的进风口与出风口，所述散热器设置于进风口与出风口之间，所述散热器包括基座、若干翅片，所述若干翅片固定于基座上且相邻翅片间隔形成散热风道，所述散热风道的通风方向与进风口的进风方向形成倾角。本发明的空调控制器的散热器上设有多个的散热翅片并形成多个散热风道，散热风道的通风方向与进风口的进风方向形成倾角，该种倾斜角度的做法不仅能够增大散热器翅片面积，还能够将翅片处的空气流动由层流改变为紊流，加快空气与翅片撞击速率以加速散热，延长空调控制器的使用时间，本发明提供的制作方法工艺合理，便于加工。
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公开(公告)号：CN106571395A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610942673.8
申请日：2016-10-31
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66621 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型金属氧化物半导体功率器件及其制作方法，在制作时利用同一光罩来同时制作元胞区和截止环的结构，相对于传统的采用不同光罩分别实现元胞区和终端耐压区结构的制作，在保证器件耐压性能的同时，可以减少工艺过程及光罩层数，从而降低生产成本。并且，在器件中采用与元胞区相类似的沟槽结构来实现终端耐压区的截止环结构，可以减少在采用光罩利用注入掺杂和扩散推结制作各截止环时，为避免各截止环相互连接时需要在各截止环之间设定较大距离的间隔，有利于在保证终端耐压区性能的同时，缩小终端耐压区所占面积，从而增加器件的有效管芯数量，进一步减低器件成本。
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公开(公告)号：CN112635430B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN201910951438.0
申请日：2019-10-08
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H10D80/20
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块及具有其的电子设备；智能功率模块包括陶瓷基板和分别连接于所述陶瓷基板两侧第一框架和第二框架，所述陶瓷基板包括沿预设方向依次设置的多个陶瓷板块，相邻两个所述陶瓷板块通过连接组件连接。根据本发明提供的智能功率模块，将陶瓷基板分割多个陶瓷板块，多个陶瓷板块通过连接组件拼接形成一整体，避免应力集中，防止陶瓷基板在安装时因受力不均匀而产生裂痕。
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公开(公告)号：CN113345874B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010135151.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明涉及智能功率模块技术领域，公开了一种智能功率模块、封装结构及封装结构的制备方法，该智能功率模块包括驱动电路以及与驱动电路连接且受驱动电路驱动的多个桥臂，其中，每个桥臂均包括串联连接的上桥臂开关管和下桥臂开关管，每个桥臂中的下桥臂开关管的发射极，均与驱动电路中驱动下桥臂开关管的驱动芯片的共地端连接。该智能功率模块中驱动信号加到各个下桥臂开关管的路线不共用大电流线路，从而可以大大降低电流剧烈变化时对各个下桥臂开关管的控制端电压的影响，降低开关损耗，使得智能功率模块的开关速度加快，同时消除各个下桥臂开关管产生的噪音及延迟。
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公开(公告)号：CN112768356B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201911074969.2
申请日：2019-11-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT制作方法，包括以下步骤：在有源区形成主结P+区以及在终端区形成多个P+耐压环，在有源区制备多个源区沟槽，并在源区沟槽内制备栅极氧化层，在多个源区沟槽内部的栅极氧化层上以及有源区和终端区的栅极氧化层上制备厚度高达 的多晶硅，在多个源区沟槽之间以及在主结P+区与环绕所述主结P+区的沟槽之间制备P阱区、N+区和N+截止环，然后形成介质层，并进行接触孔刻蚀填充，再形成金属层，最后制备钝化层。本发明由于采用了较厚的多晶硅，故在减薄多晶硅工序后仍保留了 厚的多晶硅，在进行N型离子注入的时候无需再使用光刻版为掩膜，从而减少了一张光刻版降低了制造成本。
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