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公开(公告)号：CN110783201A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910682987.2
申请日：2019-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置的形成方法包括：提供装置，其包括具有金属栅极层的栅极堆叠。装置亦包括位于栅极堆叠的侧壁上的间隔物层，以及与栅极堆叠相邻的源极/漏极结构。方法还包括对金属栅极层进行第一回蚀刻制程，以形成回蚀刻的金属栅极层。在一些实施例中，方法包括沉积金属层于回蚀刻的金属栅极层上。在一些例子中，形成半导体层于金属层与间隔物层上，以提供栅极堆叠与间隔物层上的T形盖层。
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公开(公告)号：CN109585378A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810917483.X
申请日：2018-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括形成栅极堆叠件，其中，栅极堆叠件包括栅极电介质和位于栅极电介质上方的金属栅电极。在栅极堆叠件的相对侧上形成层间电介质。平坦化栅极堆叠件和层间电介质。该方法还包括在栅极堆叠件上形成抑制膜，其中，暴露层间电介质的至少部分；在层间电介质上选择性地沉积介电硬掩模，其中，抑制膜防止在其上形成介电硬掩模；并且进行蚀刻以去除栅极堆叠件的部分，其中，介电硬掩模用作相应的蚀刻掩模的部分。本发明的实施例还提供了切割金属栅极的方法和半导体器件。
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公开(公告)号：CN104868905B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410206711.4
申请日：2014-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K19/018507 , H03K5/13 , H03K17/687 , H03K19/018521 , H03K2005/00013 , H03K2005/00019
Abstract: 本发明提供了一种电路，包括：第一电源节点，被配置为承载电压K·VDD；第二电源节点，被配置为承载零参考电平；输出节点；K个P型晶体管，串联连接在第一电源节点和输出节点之间；以及K个N型晶体管，串联连接在第二电源节点和输出节点之间。K个P型晶体管的栅极被配置为接收按照一个或多个源‑栅电压的绝对值或者漏‑栅电压的绝对值等于或小于VDD的方式而被设置在一个或多个电压电平的偏置信号。K个N型晶体管的栅极被配置为接收按照一个或多个栅‑源电压或栅‑漏电压的绝对值等于或小于VDD的方式而被设置在一个或多个电压电平的偏置信号。本发明提供了一种输入/输出电路。
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公开(公告)号：CN106711223A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610993908.6
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L23/535 , H01L27/0886 , H01L29/495 , H01L29/66545 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L29/66795
Abstract: 本揭示揭露一种半导体装置。此半导体装置包含：鳍片结构，其在基板上；第一源极/漏极特征，其安置于鳍片结构上；第一导电层，其直接安置于第一源极/漏极区上；第一栅极，其安置于鳍片结构上方；第一间隔件，其包含沿第一栅极的第一侧安置的第一部分及沿第一栅极的第二侧安置的第二部分，其中第一间隔件的第一部分具有实质上与第一栅极的顶部表面共面的顶部表面，且第一间隔件的第二部分具有面向第一间隔件的第一部分的侧壁；以及第二导电层，其安置于第一导电层上方且实体上接触间隔件的第一部分的顶部表面、第一栅极的顶部表面及第一间隔件的第二部分的侧壁。
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公开(公告)号：CN105915210A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201510575741.7
申请日：2015-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0944
CPC classification number: H03K5/1534 , H03K5/131 , H03K17/167 , H03K17/6872 , H03K19/00315 , H03K2005/00019 , H03K2005/00058
Abstract: 本发明提供了一种输入/输出电路。电路，包括：第一电源节点；输出节点；驱动器晶体管，连接在第一电源节点与输出节点之间；以及竞争电路。驱动器晶体管被配置为：响应于输入信号的第一类型的边沿而导通，以及响应于输入信号的第二类型的边沿而截止。驱动器晶体管具有源极、漏极和栅极，并且驱动器晶体管的源极与第一电源节点连接。竞争电路包括控制电路，该控制电路被配置为基于驱动器晶体管的栅极处的信号来生成控制信号；以及竞争晶体管，位于驱动器晶体管的漏极与第二电压之间。竞争晶体管具有被配置为接收控制信号的栅极。
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公开(公告)号：CN105322941A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410808386.9
申请日：2014-12-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K19/018507 , H03K19/0185 , H03K19/018521
Abstract: 本发明提供了电平位移装置，包括第一电容器，第一电容器的第一侧被配置为接收第一电压。电平位移装置还包括被配置为接收第一电压的边沿检测器。电平位移装置还包括连接至第一电容器的第二侧的输出反相器，输出反相器被配置为输出电平位移装置的电压电平位移信号。电平位移装置还包括锁存器回路，锁存器回路被配置为将输出信号反馈至输出反相器的输入端，其中，边沿检测器被配置为选择性地中断输出信号至输出反相器的输入端的反馈。本发明还提供了一种使用电平位移装置的方法。
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公开(公告)号：CN104868885A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410206668.1
申请日：2014-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K5/14
CPC classification number: H03K5/14 , H03K5/133 , H03K2005/00019 , H03K2005/00071
Abstract: 本发明提供了一种延迟线电路，包括多个延迟单元，多个延迟单元配置为接收输入信号并改变输入信号以产生第一输出信号。延迟线电路也包括可变延迟线单元，可变延迟线单元包括：输入端，配置为接收第一输出信号；输出端，配置为输出第二输出信号；第一线，位于输入端和输出端之间，第一线包括串联的第一反相器、第二反相器、第一速度控制单元和第三反相器；第二线，位于输入端和输出端之间，第二线包括串联的第四反相器、第二速度控制单元、第五反相器和第六反相器。延迟线电路也配置为通过第一线或第二线选择性地传输接收的第一输出信号。本发明提供了具有可变延迟线单元的延迟线电路。
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公开(公告)号：CN102386764B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201110037701.9
申请日：2011-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H02M3/10
CPC classification number: H03K19/0941 , H03K3/356182 , H03K19/018514
Abstract: 本发明提供一种电压移转器，包括动态偏压电流源电路、第一与第二单向电流导通装置、第一与第二下拉装置以及上拉装置。动态偏压电流源电路接收第一电压。第一与第二单向电流导通装置耦接至动态偏压电流源电路。第一与一第二下拉装置分别耦接至第一与第二单向电流导通装置。上拉装置接收一第二电压，并耦接至动态偏压电流源电路与第一单向电流导通装置，上拉装置用以动态偏压动态偏压电流源电路，使得当上拉装置输出第二电压至动态偏压电流源电路，第一下拉装置不导通并且第二下拉装置导通时，第二单向电流导通装置的一压降于电压输出端被输出。根据本发明的实施例，电压移转器可与低电压核心装置被实施，并且不会具有过度电性应力的问题。
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公开(公告)号：CN101860356B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010161459.1
申请日：2010-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K19/017509 , H03K19/018521 , H05K13/00 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明提供一种电压电平移位器、电压电平移位方法以及集成电路，该电压电平移位器包括可以接收输入电压信号的一输入端，上述输入电压信号包括从第一电压状态至第二电压状态的一第一状态转换，一输出端输出具有相对于上述输入电压信号的上述第一状态转换的由第三电压状态至第二电压状态的一第二状态转换的一输出电压信号，一驱动级包括一第一晶体管和一第二晶体管，从一对应于上述第一电压状态和上述第二电压状态的电压电平的平均值的一时间开始，避免施加上述第二电压状态至上述第一晶体管的栅极以使得第一晶体管不导通。本发明可以避免在高电压操作下的闪存的各装置、晶体管和/或电路损坏。
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公开(公告)号：CN102253645A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010290529.3
申请日：2010-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03B5/30
Abstract: 一种微机电系统电路和控制微机电系统电路的方法，该方法包括根据微机电系统装置的移动以产生一电流，其中此移动被一控制信号所控制；根据该电流以产生一峰值电压；以及当该峰值电压超出一预定范围时调整该控制信号。本发明的微机电系统电路的操作电压是根据机械元件的移动距离来控制，所以会比其他方法消耗更少的功率。更进一步，因为上述的操作电压已控制，所以由PVT及Q因素所造成机械元件移动距离的变异也随之消除。
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