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公开(公告)号：CN115293455A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211043486.8
申请日：2022-08-29
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及半导体制备参数的优化方法、装置及电子设备，该方法包括获取目标半导体的多组制备参数，所述制备参数包括多个参数；将所述制备参数输入至目标性能预测模型中，确定所述制备参数对应的预测性能，所述目标性能预测模型是基于源域性能预测模型确定的，所述源域性能预测模型是基于源域半导体的第一样本数据训练得到的；对比各个所述预测性能，在所述多组制备参数中确定所述目标半导体的目标制备参数。利用源域性能预测模型确定出目标性能预测模型，并结合目标性能预测模型对多组制备参数进行筛选得到目标制备参数，从而实现基于网络模型的方式进行制备参数的确定，保证了制备参数的可靠性。
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公开(公告)号：CN114121596A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010873491.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/477 , H01L21/67
Abstract: 一种改变生长薄膜取向的方法，涉及真空蒸发沉积薄膜工艺。在室温下利用酒精、丙酮和去离子水对衬底进行清洗，在超声波清洗器中清洗以除去衬底表面的杂质，将清洗后的样品置入快速进样室；利用机械泵和涡轮分子泵获得10‑8mbar真空度的生长腔后，将衬底从快速进样室传送进生长设备的生长腔，在O气氛下对样品进行退火处理；同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长完成后，将样品取出。可解决昂贵的六边形衬底、复杂的工艺条件以及极性和非极性的选择等相关问题，并实现纯净、可控、精确生长。可在温度、气压等各项工艺参数不变的情况下，在相同材料上沉积出结晶取向不同的生长薄膜。
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公开(公告)号：CN113988389A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111203505.4
申请日：2021-10-15
Abstract: 本发明涉及半导体电子器件技术领域，提供一种LED结构性能的预测方法，主要是通过对LED结构的输入特征参数及输出特征参数进行收集、提取，并建立相应的数据集；依据已知的准则对数据集中的数据进行预处理；利用机器学习算法搭建模型，并对此模型进行结构参数设定及初始化训练；运用经预处理后的前述数据集对经结构参数初始化训练后的模型进行训练优化，进而得到预测模型；将待预测的LED结构的输入特征参数的测试数据输入该预测模型，进而获得该待预测的LED结构的输出特征参数的预测值。藉此，可以对LED结构的性能进行快速预测，预测时间快且预测精度高。
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公开(公告)号：CN113471341A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110577770.2
申请日：2021-05-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，特别涉及一种基于红光A l I nGaAs量子点的Mi cro‑LED结构及其制备方法。所述Mi cro‑LED结构自下而上依次包括衬底、n型层、多量子阱有源层以及p型层；所述多量子阱有源层包括势阱层；所述势阱层包括A l I nGaAs量子点层。其能够降低侧壁及其边缘处的非辐射复合，有效提高低电流密度下的发光效率；且其发光波长可实现在红光波长范围的调控；且其结构简单，制备工艺简便，易于生产应用。
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公开(公告)号：CN112117356B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010813127.0
申请日：2020-08-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种全彩有源寻址Micro‑LED芯片结构及其制作方法，包括具有驱动电路阵列的支撑衬底、位于支撑衬底上的堆叠层，以及贯穿堆叠层与驱动电路阵列连接的互联电极，其中堆叠层从下至上包括有衬底金属键合层、多色发光外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与驱动像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、连接第三外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、贯穿堆叠层分别与多色发光外延层n型面连接的共用电极。本发明技术方案可制造出高分辨率且高效的全彩驱动融合Micro‑LED芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112531070A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011337981.0
申请日：2020-11-25
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器及其制备方法。其中基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器包括衬底和位于衬底之上的氮化镓层，氮化镓层的上半部分形成氮化镓纳米柱阵列，氮化镓纳米柱阵列与包覆其上表面外的氧化镓构成核‑壳纳米柱阵列异质结；金属电极分别设在氮化镓层和氧化镓层表面的电极区域上，并形成肖特基接触。通过核‑壳异质结的形成可有效降低深紫外探测器的暗电流，提高器件的响应度，改善基于半导体异质结的光电探测器件性能。本发明提供的一种基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器，其结构简单，制备容易，便于规模化生产。
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公开(公告)号：CN112234118A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011042977.1
申请日：2020-09-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/153 , H01L31/18 , H04B10/114 , H04B10/116 , H04B10/40 , H04J14/02
Abstract: 本发明涉及一种可见光通信的微型阵列光收发集成芯片及制作方法，包括具有信号处理电路的支撑衬底、位于支撑衬底上的微型收发单元阵列以及互联电极，其中每个微型收发单元包括由下至上的衬底金属键合层、多个堆叠外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、光接收台面和钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与光发射模块像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与光发射模块像素的贯穿阵列电极、贯穿微型收发单元阵列分别与每个外延层n型面连接的共用电极。使用本发明技术方案可制造出实用化、高速、多场景应用的可见光通信终端产品。
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公开(公告)号：CN112186052A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011085614.6
申请日：2020-10-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种高外量子效率的深紫外多波长MSM窄带光电探测器及其制备方法。所述的光电探测器包括衬底、缓冲层、至少两组超短周期超晶格层、金属叉指电极，每组超短周期超晶格层的分子层数不同；超短周期超晶格层的上表面沉积金属纳米颗粒阵列；不同的超短周期超晶格层对应沉积不同尺寸、形状及周期的金属纳米颗粒阵列；金属叉指电极设置在超短周期超晶格层上表面，形成肖特基接触。本发明通过将多组不同尺寸、形状及周期的金属纳米颗粒阵列设置在超短周期超晶格层上，能够针对超短周期超晶格层的特定窄带光吸收进行有效地局域表面等离激元增强，进一步提高对深紫外光的吸收效率，最终改善多波长MSM窄带探测器的响应度和外量子效率。
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公开(公告)号：CN109216401B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810803231.4
申请日：2018-07-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种二维柔性磁存储阵列及其制备方法，其采用三明治结构，设计合理，通过精确控制生长源的温度、比例、生长时间来生长空位掺杂的III‑VI族硫属化物层以达到电学调控的可实现性，从而实现各磁存储单元器件及二维柔性磁存储阵列的存储与记录功能，其磁矩调控范围为0～1μB，可在在液氮低温到室温，空气环境或真空环境中使用，磁存储功能稳定，结合柔性基底，应用范围广泛，适用性强。
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公开(公告)号：CN108732791B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810558544.8
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法，涉及波长连续可调的旋光的产生和极化率的调控。该器件基于III‑VI族硫属化物二维材料与铁磁金属团簇异质结构，铁磁金属层经由界面耦合效应向III‑VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，通过控制铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度，调节铁磁金属团簇内部磁矩方向以及与III‑VI族硫属化物二维材料的磁耦合效应；进一步通过外加垂直电场调节III‑VI族硫属化物二维材料的带隙宽度，使器件在入射光激发下产生具有可控自旋极化率，且波长从紫外到红外的宽波段范围内连续可调的旋光效应。
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