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公开(公告)号：CN109216401A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810803231.4
申请日：2018-07-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种二维柔性磁存储阵列及其制备方法，其采用三明治结构，设计合理，通过精确控制生长源的温度、比例、生长时间来生长空位掺杂的III-VI族硫属化物层以达到电学调控的可实现性，从而实现各磁存储单元器件及二维柔性磁存储阵列的存储与记录功能，其磁矩调控范围为0～1μB，可在在液氮低温到室温，空气环境或真空环境中使用，磁存储功能稳定，结合柔性基底，应用范围广泛，适用性强。
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公开(公告)号：CN106637416A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611236161.6
申请日：2016-12-28
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: C30B30/04 , C30B23/002 , C30B23/025 , C30B23/06 , C30B29/02 , H01L22/14 , H01L43/12 , C30B23/02 , G01R33/07 , G01R33/09
Abstract: 矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置，涉及分子束外延及其原位表征。提供超高真空强磁场下，样品生长平面与磁场夹角可调节的分子束外延生长，及以霍尔效应与磁阻测试为主的原位表征装置。该装置主要由结构紧致的倒T型超高真空生长与表征腔体和具有较小室温腔的强磁体构成。其中置于强磁体室温腔内的倒T型真空腔部分，包含紧致的外延生长样品台、可调节磁场与样品台夹角和原位表征装置；置于强磁体下方部分包含蒸发源、等离子体源等分子束源部件以及抽真空系统，利用超高真空中分子束流自由程长的特点，使多束源能移出强磁场腔体。有效克服了强磁场腔体积小与生长测试系统部件多的技术难题，实现强磁场下分子束外延生长及原位表征。
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公开(公告)号：CN108735806A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810540985.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生可控极化率的自旋电流的结构，该结构在基板上依次设置具有等离子激元金属材料的增强光吸收层、III-VI族硫属化物二维材料、具有铁磁金属团簇的铁磁金属层、沟道电极、BN二维材料保护层；采用激光垂直入射至该结构中，并通过III-VI族硫属化物二维材料表面的等离子激元金属材料增强光吸收效率，激发由铁磁金属层注入到III-VI族硫属化物二维材料的自旋极化电子的跃迁，经由与III-VI族硫属化物二维材料连接的沟道回路产生自旋电流；并可通过控制铁磁金属团簇的形貌及尺度，控制自旋电流的极化率。
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公开(公告)号：CN109216401B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810803231.4
申请日：2018-07-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种二维柔性磁存储阵列及其制备方法，其采用三明治结构，设计合理，通过精确控制生长源的温度、比例、生长时间来生长空位掺杂的III‑VI族硫属化物层以达到电学调控的可实现性，从而实现各磁存储单元器件及二维柔性磁存储阵列的存储与记录功能，其磁矩调控范围为0～1μB，可在在液氮低温到室温，空气环境或真空环境中使用，磁存储功能稳定，结合柔性基底，应用范围广泛，适用性强。
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公开(公告)号：CN108732791B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810558544.8
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法，涉及波长连续可调的旋光的产生和极化率的调控。该器件基于III‑VI族硫属化物二维材料与铁磁金属团簇异质结构，铁磁金属层经由界面耦合效应向III‑VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，通过控制铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度，调节铁磁金属团簇内部磁矩方向以及与III‑VI族硫属化物二维材料的磁耦合效应；进一步通过外加垂直电场调节III‑VI族硫属化物二维材料的带隙宽度，使器件在入射光激发下产生具有可控自旋极化率，且波长从紫外到红外的宽波段范围内连续可调的旋光效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108707875A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810541023.1
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B29/46
Abstract: 本发明公开了一种二维材料生长装置及其接头，以及运用装置的生长方法和制备的组分可调二维材料，包括层状二维材料及其异质结和非层状二维薄膜材料，进一步包括多元二维材料、组分可调的二维混晶材料和二维异质结材料，所述异质结包括单层或多层的垂直异质结和侧向异质结。本发明装置和方法创造性地在CVD生长设备上设计多个可观察的、可独立控制加热温度和时间、可准确控制蒸发源材料通断的蒸发源加热腔，从而提高了二维材料组分和异质结界面的可控性，很好地改善了管式CVD炉多温区蒸发源之间温度的互相影响，解决了二维材料生长过程中元素组分不易调控和异质结界面互扩散的问题，提高二维材料及其异质结的生长效率和晶体质量。
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公开(公告)号：CN108535890A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810541755.0
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构，包括：由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III-VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上述的结构中，激发III-VI族硫属化物二维材料中自旋极化电子的跃迁，产生旋光现象，通过向第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III-VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构施加垂直电场，在0～100％范围内调控自旋极化电子的自旋极化率，实现电场可调极化率的旋光效应。本发明可解决旋光器件集成与兼容性问题。
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公开(公告)号：CN117388656A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310603326.2
申请日：2023-05-26
Applicant: 厦门大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于表面光电压的量子化能级测量装置及方法，所述装置包括：可调波长单色光源模块、信号发生与调控模块以及信号接收与检测模块，所述可调波长单色光源模块用于使复色发散光转变为可调波长的单色光，所述信号发生与调控模块用于进行大气或真空环境中量子能级测量、自旋能级测量以及量子能级调控；所述信号接收与检测模块用于接收样品的光电压信号，得到光电压与波长的依赖关系。所述装置具有价格低、便于局部更换与维修且功能扩展方便等优点。
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公开(公告)号：CN114383760B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111659632.5
申请日：2021-12-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种力学参数的测量装置，包括：夹具、线圈、磁铁、光源、滤光片、第一偏振片、第二偏振片、三脚支架、光功率计或光谱仪及其探头、直流电源和电阻；夹具用于将待测材料两端固定，所述线圈悬挂于水平放置的待测材料中点处或悬挂于竖直放置的待测材料下端，且置于磁铁两极中间匀强磁场处；所述光源、滤光片、第一偏振片、第二偏振片、光功率计或光谱仪探头高度一致，且光源发出的光线依次垂直通过滤光片、第一偏振片、第二偏振片、光功率计或光谱仪探头；第二偏振片固定于三脚支架上，三脚支架的一个尖足置于夹具上，另外两个尖足高度固定放置于一水平板上，线圈导线的两端与电阻及直流电源连接，形成闭合回路。本发明装置操作简单，结果准确，具有可控易调、稳定连续、抗干扰性强等优点。
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公开(公告)号：CN114383760A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111659632.5
申请日：2021-12-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种力学参数的测量装置，包括：夹具、线圈、磁铁、光源、滤光片、第一偏振片、第二偏振片、三脚支架、光功率计或光谱仪及其探头、直流电源和电阻；夹具用于将待测材料两端固定，所述线圈悬挂于水平放置的待测材料中点处或悬挂于竖直放置的待测材料下端，且置于磁铁两极中间匀强磁场处；所述光源、滤光片、第一偏振片、第二偏振片、光功率计或光谱仪探头高度一致，且光源发出的光线依次垂直通过滤光片、第一偏振片、第二偏振片、光功率计或光谱仪探头；第二偏振片固定于三脚支架上，三脚支架的一个尖足置于夹具上，另外两个尖足高度固定放置于一水平板上，线圈导线的两端与电阻及直流电源连接，形成闭合回路。本发明装置操作简单，结果准确，具有可控易调、稳定连续、抗干扰性强等优点。
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