-
公开(公告)号：CN109216401B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810803231.4
申请日：2018-07-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种二维柔性磁存储阵列及其制备方法，其采用三明治结构，设计合理，通过精确控制生长源的温度、比例、生长时间来生长空位掺杂的III‑VI族硫属化物层以达到电学调控的可实现性，从而实现各磁存储单元器件及二维柔性磁存储阵列的存储与记录功能，其磁矩调控范围为0～1μB，可在在液氮低温到室温，空气环境或真空环境中使用，磁存储功能稳定，结合柔性基底，应用范围广泛，适用性强。
-
公开(公告)号：CN109216401A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810803231.4
申请日：2018-07-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种二维柔性磁存储阵列及其制备方法，其采用三明治结构，设计合理，通过精确控制生长源的温度、比例、生长时间来生长空位掺杂的III-VI族硫属化物层以达到电学调控的可实现性，从而实现各磁存储单元器件及二维柔性磁存储阵列的存储与记录功能，其磁矩调控范围为0～1μB，可在在液氮低温到室温，空气环境或真空环境中使用，磁存储功能稳定，结合柔性基底，应用范围广泛，适用性强。
-
公开(公告)号：CN210379112U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201921002454.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开一种电可调的各向异性隧穿磁阻结构，包括半导体基底半导体基底、设置于半导体基底下表面的背栅电极，层叠设置在半导体基底上表面的介电层、石墨稀透明电极、过渡金属硫化物二维材料、铁磁金属纳米团簇异质结构、隧穿层、磁性参考层、以及顶电极；所述磁性参考层具有垂直于表面且被钉扎的磁化方向，所述该隧穿磁电阻结构可通过施加门电压对过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构进行静电掺杂，由此调控铁磁金属纳米团簇的磁各向异性，使得从顶电极流经磁性参考层的自旋极化电流在隧穿注入至过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构过程中产生不同的高低磁阻态。
-
公开(公告)号：CN210866183U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201920997049.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本实用新型公开一种电可控的二维自旋电子器件阵列，包括半导体基片、设置于基片下表面的光栅结构的背栅电极，层叠设置在基片上表面的介电层、过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构、设置于过渡金属硫化物二维材料上表面两侧的两列电极对、BN二维材料钝化层，所述两列电极对由置于过渡金属硫化物二维材料上表面两侧的若干对位置一一对应的电极对等间距排列构成；所述自旋电子器件阵列可通过施加背栅电压对过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构进行静电掺杂，由此调控异质结构的磁各向异性及费米能级附近电子态的自旋极化方向，从而在电极对之间电压的作用下产生极化方向独立可控的自旋电流。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.016 seconds)
