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公开(公告)号：CN119243328A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411336816.1
申请日：2024-09-24
Abstract: 本申请公开了一种4H‑SiC的P型重掺杂化学势调控的生长方法，包括：提供SiC衬底；对SiC衬底进行预处理；通入源气体，以在经过预处理后的SiC衬底的表面上生长P型重掺杂的4H‑SiC外延层；源气体包括：C源气体、Si源气体和P型掺杂源气体；在4H‑SiC外延层的生长过程中，从富C氛围开始生长4H‑SiC外延层，SiC衬底周期性的处于富C氛围和富Si氛围；富C氛围用于降低P型掺杂原子的吸附形成能，提升4H‑SiC外延层在SiC衬底表面的吸附强度；富Si氛围用于增强已吸附的P型掺杂原子与SiC晶体分子之间的成键能力，提高4H‑SiC外延层的生长速度。本申请可以实现外延层的快速均匀生长。
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公开(公告)号：CN113919576A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111203503.5
申请日：2021-10-15
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，提供一种太阳能结构性能的预测方法，主要是通过对太阳能电池结构的输入特征参数及对应的输出特征参数进行收集、提取，并建立相应的数据集及依据已知的准则对数据集中的数据进行预处理；利用机器学习算法搭建模型，并对此模型进行结构参数设定及初始化训练；运用经预处理后的前述数据集对经结构参数初始化训练后的模型进行训练优化，进而得到预测模型；将待预测的太阳能电池结构的输入特征参数的测试数据输入该预测模型，进而获得该待预测的太阳能电池结构的输出特征参数的预测值。藉此，可以对太阳能电池结构的性能进行快速预测，操作简便，准确性高。
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公开(公告)号：CN120035279A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510249949.3
申请日：2025-03-04
IPC: H10H20/01 , H01L21/265
Abstract: 本申请公开了高空穴浓度的高铝组分氮化物离子注入共掺杂方法，涉及半导体器件制备工艺技术领域，包括：制备半导体器件，半导体器件包括高铝组分氮化物层；对高铝组分氮化物层进行离子注入，以形成p型掺杂的高铝组分氮化物层；其中，离子注入将第一杂质原子和第二杂质原子注入高铝组分氮化物层；第一杂质原子用于在高铝组分氮化物层中形成p型掺杂；第二杂质原子至少用于降低第一杂质原子在高铝组分氮化物层中的形成能和激活能。本申请技术方案通过对于杂质原子和第二杂质原子共掺的方式，可以有效降低作为受主原子的第一杂质原子的形成能和激活能，可以提高第一杂质原子在高铝组分氮化物层中的稳定性和激活率，从而可以提高掺杂后的空穴浓度。
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公开(公告)号：CN115293455A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211043486.8
申请日：2022-08-29
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及半导体制备参数的优化方法、装置及电子设备，该方法包括获取目标半导体的多组制备参数，所述制备参数包括多个参数；将所述制备参数输入至目标性能预测模型中，确定所述制备参数对应的预测性能，所述目标性能预测模型是基于源域性能预测模型确定的，所述源域性能预测模型是基于源域半导体的第一样本数据训练得到的；对比各个所述预测性能，在所述多组制备参数中确定所述目标半导体的目标制备参数。利用源域性能预测模型确定出目标性能预测模型，并结合目标性能预测模型对多组制备参数进行筛选得到目标制备参数，从而实现基于网络模型的方式进行制备参数的确定，保证了制备参数的可靠性。
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公开(公告)号：CN113988389A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111203505.4
申请日：2021-10-15
Abstract: 本发明涉及半导体电子器件技术领域，提供一种LED结构性能的预测方法，主要是通过对LED结构的输入特征参数及输出特征参数进行收集、提取，并建立相应的数据集；依据已知的准则对数据集中的数据进行预处理；利用机器学习算法搭建模型，并对此模型进行结构参数设定及初始化训练；运用经预处理后的前述数据集对经结构参数初始化训练后的模型进行训练优化，进而得到预测模型；将待预测的LED结构的输入特征参数的测试数据输入该预测模型，进而获得该待预测的LED结构的输出特征参数的预测值。藉此，可以对LED结构的性能进行快速预测，预测时间快且预测精度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113292249B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110589903.8
申请日：2021-05-28
Abstract: 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。
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公开(公告)号：CN113292249A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110589903.8
申请日：2021-05-28
Abstract: 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。
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公开(公告)号：CN113871468B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110817730.0
申请日：2021-07-20
Abstract: 本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3材料结合为叠栅结构介质层，以氮等离子体对底层栅介质AlN进行表面钝化，实现了表面平整无重构，优化了底层栅介质与上层栅介质的界面连接，改善了碳化硅MIS器件的衬底和栅介质的界面特性，提高了载流子迁移率和临界击穿场强，最终提升器件性能。
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公开(公告)号：CN114904022A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210289553.8
申请日：2022-03-23
IPC: A61L2/10 , A61L2/26 , H01L25/075 , H01L33/60
Abstract: 本发明公开了一种大面积深紫外固态面光源及消杀装置，包含：水冷散热基板、大功率深紫外LED芯片阵列、嵌套在阵列上方的多孔状反射组件、覆盖在反射组件上方的石英窗片、驱动电源。其中多孔状反射组件的表面为铝材质，表面光滑；对应LED芯片的孔为喇叭状圆台形。本发明通过特定芯片阵列与优化倾角的圆台反射孔搭配，可实现对深紫外LED面阵朗伯出光角度的改善，获得光功率密度大、发散角小，辐照面无斑马纹现象、功率分布均匀的深紫外光束。光源所实现的低损耗、高均匀辐照光束特性，可满足细菌/病毒灭活所需的高光通量、高可靠性要求。
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公开(公告)号：CN113871468A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110817730.0
申请日：2021-07-20
Abstract: 本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3材料结合为叠栅结构介质层，以氮等离子体对底层栅介质AlN进行表面钝化，实现了表面平整无重构，优化了底层栅介质与上层栅介质的界面连接，改善了碳化硅MIS器件的衬底和栅介质的界面特性，提高了载流子迁移率和临界击穿场强，最终提升器件性能。
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