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公开(公告)号：CN119767869A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411985256.2
申请日：2024-12-31
IPC: H10F77/20 , H10F71/00 , H10F30/222 , H10F30/28
Abstract: 本发明涉及半导体结构技术领域，公开了一种可调谐双波段紫外光电探测器及其制备方法，可调谐双波段紫外光电探测器包括衬底；缓冲氮化镓层，位于衬底的一侧表面；P型氮化镓层，位于缓冲氮化镓层背向衬底一侧的表面；氧化镓层，位于P型氮化镓层背向缓冲氮化镓层的一侧表面；第二电极，位于氧化镓层的侧部的P型氮化镓层表面；第二电极与P型氮化镓层形成电接触；叉指电极，位于氧化镓层背向P型氮化镓层的一侧表面；叉指电极包括第一电极和第三电极，第一电极和第三电极分别与氧化镓层形成电接触。与相关技术相比，本发明可以在单个光电探测器上实现可调谐的双波段紫外光探测，提高探测效率，扩宽器件的应用场景。
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公开(公告)号：CN119092609A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411266439.9
申请日：2024-09-10
Abstract: 本发明涉及一种抗静电的LED器件及其制备方法。器件结构依次包括：衬底层；第一半导体层；第一应力释放层；第二应力释放层；有源层；第二半导体层；电极层；还包括：第一抗静电层，位于所述第一应力释放层和第二应力释放层之间，所述第一抗静电层为n型掺杂GaN层；其中，第一半导体层和第二半导体层是导电类型相反的半导体层；第一抗静电层的硅掺杂浓度与第一应力释放层的硅掺杂浓度不同，第一抗静电层的硅掺杂浓度与第二应力释放层的硅掺杂浓度不同。本发明提供的抗静电的LED器件能有效提高LED器件的抗静电能力和电学性能，进而提高器件在各种应用中的可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN118136754A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311755494.X
申请日：2023-12-19
Abstract: 本发明提供了Micro‑LED发光器件及其制备方法。Micro‑LED发光器件包括：层叠的半导体衬底层、N型半导体层；发光量子阱层，位于N型半导体层远离半导体衬底层的一侧表面；p型半导体层，位于发光量子阱层远离半导体衬底层的一侧；p型半导体层包括本征p型半导体层和掺杂p型半导体层，掺杂p型半导体层的电阻值高于本征p型半导体层；第一电极；位于掺杂p型半导体层一侧的本征p型半导体层远离半导体衬底层的一侧；第二电极；位于掺杂p型半导体层另一侧的本征p型半导体层远离半导体衬底层的一侧。本发明提供的Micro‑LED发光器件的发光效率高，且生产成本低，为后续工艺提供较大窗口。
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公开(公告)号：CN118136752A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311824432.X
申请日：2023-12-26
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法，其中，LED芯片结构包括：衬底层；GaN缓冲层；若干间隔排布的第一N型GaN层，位于GaN缓冲层背离衬底层的一侧表面，任意的第一N型GaN层的宽度自衬底层至GaN缓冲层方向逐渐递减；若干间隔排布的第二N型GaN层，位于第一N型GaN层背离衬底层的一侧表面，任意第二N型GaN层中具有纳米孔，第二N型GaN层与第一N型GaN层一一对应；若干间隔排布的I nGaN/GaN发光层，位于第二N型GaN层背离所述衬底层的一侧，I nGaN/GaN发光层与第二N型GaN层一一对应；P型GaN层。LED芯片结构的发光效率高。
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公开(公告)号：CN115293455A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211043486.8
申请日：2022-08-29
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及半导体制备参数的优化方法、装置及电子设备，该方法包括获取目标半导体的多组制备参数，所述制备参数包括多个参数；将所述制备参数输入至目标性能预测模型中，确定所述制备参数对应的预测性能，所述目标性能预测模型是基于源域性能预测模型确定的，所述源域性能预测模型是基于源域半导体的第一样本数据训练得到的；对比各个所述预测性能，在所述多组制备参数中确定所述目标半导体的目标制备参数。利用源域性能预测模型确定出目标性能预测模型，并结合目标性能预测模型对多组制备参数进行筛选得到目标制备参数，从而实现基于网络模型的方式进行制备参数的确定，保证了制备参数的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115249725A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202211043484.9
申请日：2022-08-29
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制备方法，制备方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧有若干间隔的Mi cro‑LED芯片；提供第二基板，第二基板的一侧表面有若干导电层；在第二基板上形成隔离层，隔离层中有若干开口组，每个开口组均包括暴露出导电层的表面的第一开口和第二开口，第一开口的宽度小于P型电极的宽度，第二开口的宽度小于N型电极的宽度；在第一开口中形成第一键合层，在第二开口中形成第二键合层；以隔离层对芯片本体支撑将P型电极与第一键合层进行键合的同时将N型电极与第二键合层进行键合，P型电极嵌入第一键合层中，N型电极嵌入第二键合层中。所述方法避免M i cro‑LED芯片与第一键合层、第二键合层之间键合失效。
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公开(公告)号：CN113988389A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111203505.4
申请日：2021-10-15
Abstract: 本发明涉及半导体电子器件技术领域，提供一种LED结构性能的预测方法，主要是通过对LED结构的输入特征参数及输出特征参数进行收集、提取，并建立相应的数据集；依据已知的准则对数据集中的数据进行预处理；利用机器学习算法搭建模型，并对此模型进行结构参数设定及初始化训练；运用经预处理后的前述数据集对经结构参数初始化训练后的模型进行训练优化，进而得到预测模型；将待预测的LED结构的输入特征参数的测试数据输入该预测模型，进而获得该待预测的LED结构的输出特征参数的预测值。藉此，可以对LED结构的性能进行快速预测，预测时间快且预测精度高。
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公开(公告)号：CN119789623A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411969264.8
申请日：2024-12-30
IPC: H10H20/01 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件。本发明提供的氮化镓器件的形成方法，包括以下步骤：提供待刻蚀基体；待刻蚀基体至少包括层叠设置的：衬底层、第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层；干法刻蚀待刻蚀基体；在刻蚀气体环境下，通过电感耦合等离子刻蚀，在待刻蚀基体形成刻蚀槽，使待刻蚀基体形成初步刻蚀器件；其中化学腐蚀与物理轰击共同作用；损伤修复；在修复气体环境下，通过电感耦合等离子刻蚀，使初步刻蚀器件形成目标刻蚀器件。其中化学腐蚀起主导作用。本发明可以解决干法刻蚀氮化镓器件会对产品结构侧壁造成损伤，加重侧壁缺陷，导致非辐射复合几率变大的问题。
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公开(公告)号：CN115249725B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211043484.9
申请日：2022-08-29
IPC: H10H29/30 , H10H29/01 , H10H29/49 , H10H20/816
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制备方法，制备方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧有若干间隔的Mi cro‑LED芯片；提供第二基板，第二基板的一侧表面有若干导电层；在第二基板上形成隔离层，隔离层中有若干开口组，每个开口组均包括暴露出导电层的表面的第一开口和第二开口，第一开口的宽度小于P型电极的宽度，第二开口的宽度小于N型电极的宽度；在第一开口中形成第一键合层，在第二开口中形成第二键合层；以隔离层对芯片本体支撑将P型电极与第一键合层进行键合的同时将N型电极与第二键合层进行键合，P型电极嵌入第一键合层中，N型电极嵌入第二键合层中。所述方法避免M i cro‑LED芯片与第一键合层、第二键合层之间键合失效。
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公开(公告)号：CN119421622A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411535317.5
申请日：2024-10-30
Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，公开了梯度带隙光电二极管探测器及其制备方法、重构光谱仪。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧表面形成导电层；在衬底上形成第一载流子传输层；在第一载流子传输层上形成初始半导体光敏层；将衬底沿第一预设方向浸入到反应溶液中；从反应溶液中提拉出衬底，形成梯度带隙半导体光敏层；在梯度带隙半导体光敏层上形成第二载流子传输层；在第二载流子传输层上形成阵列排布的多个第一电极结构，在衬底上形成与导电层连接的第二电极结构。本发明的梯度带隙半导体光敏层与阵列的第一电极结构构成了光电二极管阵列光电探测器阵列，具有不同的光谱响应和宽动态响应范围，提高光谱重构算法线性求解准确性和光谱分辨率。
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