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公开(公告)号：CN108735806A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810540985.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生可控极化率的自旋电流的结构，该结构在基板上依次设置具有等离子激元金属材料的增强光吸收层、III-VI族硫属化物二维材料、具有铁磁金属团簇的铁磁金属层、沟道电极、BN二维材料保护层；采用激光垂直入射至该结构中，并通过III-VI族硫属化物二维材料表面的等离子激元金属材料增强光吸收效率，激发由铁磁金属层注入到III-VI族硫属化物二维材料的自旋极化电子的跃迁，经由与III-VI族硫属化物二维材料连接的沟道回路产生自旋电流；并可通过控制铁磁金属团簇的形貌及尺度，控制自旋电流的极化率。
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公开(公告)号：CN108767107B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810559006.0
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法，涉及自旋电流的产生和极化率的电场调控。器件结构包括第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构、与第一BN二维材料和第二BN二维材料连接的透明电极，以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道电极。铁磁金属掺杂在III‑VI族硫属化物二维材料的晶格替位或间隙位，使III‑VI族硫属化物二维材料的电子出现自旋极化；自旋极化的电子在入射激光激发下经由沟道回路产生自旋电流，通过外加垂直电场调节掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变，从而可在0～100％范围内调控自旋电流的极化率，构成极化率电可控的二维自旋电子器件。
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公开(公告)号：CN108732791A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810558544.8
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法，涉及波长连续可调的旋光的产生和极化率的调控。该器件基于III-VI族硫属化物二维材料与铁磁金属团簇异质结构，铁磁金属层经由界面耦合效应向III-VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，通过控制铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度，调节铁磁金属团簇内部磁矩方向以及与III-VI族硫属化物二维材料的磁耦合效应；进一步通过外加垂直电场调节III-VI族硫属化物二维材料的带隙宽度，使器件在入射光激发下产生具有可控自旋极化率，且波长从紫外到红外的宽波段范围内连续可调的旋光效应。
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公开(公告)号：CN108732791B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810558544.8
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法，涉及波长连续可调的旋光的产生和极化率的调控。该器件基于III‑VI族硫属化物二维材料与铁磁金属团簇异质结构，铁磁金属层经由界面耦合效应向III‑VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，通过控制铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度，调节铁磁金属团簇内部磁矩方向以及与III‑VI族硫属化物二维材料的磁耦合效应；进一步通过外加垂直电场调节III‑VI族硫属化物二维材料的带隙宽度，使器件在入射光激发下产生具有可控自旋极化率，且波长从紫外到红外的宽波段范围内连续可调的旋光效应。
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公开(公告)号：CN108535890A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810541755.0
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构，包括：由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III-VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上述的结构中，激发III-VI族硫属化物二维材料中自旋极化电子的跃迁，产生旋光现象，通过向第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III-VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构施加垂直电场，在0～100％范围内调控自旋极化电子的自旋极化率，实现电场可调极化率的旋光效应。本发明可解决旋光器件集成与兼容性问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108735806B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810540985.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生可控极化率的自旋电流的结构，该结构在基板上依次设置具有等离子激元金属材料的增强光吸收层、III‑VI族硫属化物二维材料、具有铁磁金属团簇的铁磁金属层、沟道电极、BN二维材料保护层；采用激光垂直入射至该结构中，并通过III‑VI族硫属化物二维材料表面的等离子激元金属材料增强光吸收效率，激发由铁磁金属层注入到III‑VI族硫属化物二维材料的自旋极化电子的跃迁，经由与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道回路产生自旋电流；并可通过控制铁磁金属团簇的形貌及尺度，控制自旋电流的极化率。
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公开(公告)号：CN108535890B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810541755.0
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构，包括：由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上述的结构中，激发III‑VI族硫属化物二维材料中自旋极化电子的跃迁，产生旋光现象，通过向第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构施加垂直电场，在0～100％范围内调控自旋极化电子的自旋极化率，实现电场可调极化率的旋光效应。本发明可解决旋光器件集成与兼容性问题。
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公开(公告)号：CN108767107A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810559006.0
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法，涉及自旋电流的产生和极化率的电场调控。器件结构包括第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构、与第一BN二维材料和第二BN二维材料连接的透明电极，以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道电极。铁磁金属掺杂在III‑VI族硫属化物二维材料的晶格替位或间隙位，使III‑VI族硫属化物二维材料的电子出现自旋极化；自旋极化的电子在入射激光激发下经由沟道回路产生自旋电流，通过外加垂直电场调节掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变，从而可在0～100％范围内调控自旋电流的极化率，构成极化率电可控的二维自旋电子器件。
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公开(公告)号：CN210866242U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201920997044.4
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开一种柔性二维磁存储阵列，包括柔性基片以及设置于柔性基片上表面的任意数量的以阵列形式排布的磁存储单元；每个磁存储单元包含层叠设置于柔性基片上表面的XN(X＝V,Cr,Mn)二维材料、过渡金属硫化物二维材料、表面掺杂层、BN二维材料、分别设置于BN二维材料上表面左右两端的第一注入电极与第二注入电极、以及分别设置于BN二维材料上表面前后两端的第一检测电极与第二检测电极；每个磁存储单元可独立工作，通过在第一注入电极与第二注入电极之间施加一个范围为‑5V～+5V的电压，可在第一检测电极与第二检测电极之间检测到一个自旋极化的电流，通过对柔性基片施加适当应力可调控自旋极化的电流的自旋极化率，从而实现磁存储。
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公开(公告)号：CN208722887U
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201820923579.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本实用新型公开一种具有可控极化率的二维自旋电子器件，包含基底、层叠设置在基底上表面的增强光吸收层、III-VI族硫属化物二维材料、铁磁金属层、BN二维材料保护层；以及与III-VI族硫属化物二维材料连接的第一和第二沟道电极；该器件中铁磁金属层经由界面耦合效应向III-VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，使器件在激光入射下激发产生自旋极化电子，并且在沟道回路中形成自旋电流，且自旋电流的极化率可由铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度控制。
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