-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108732791B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810558544.8
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法，涉及波长连续可调的旋光的产生和极化率的调控。该器件基于III‑VI族硫属化物二维材料与铁磁金属团簇异质结构，铁磁金属层经由界面耦合效应向III‑VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，通过控制铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度，调节铁磁金属团簇内部磁矩方向以及与III‑VI族硫属化物二维材料的磁耦合效应；进一步通过外加垂直电场调节III‑VI族硫属化物二维材料的带隙宽度，使器件在入射光激发下产生具有可控自旋极化率，且波长从紫外到红外的宽波段范围内连续可调的旋光效应。
-
公开(公告)号：CN108735806A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810540985.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生可控极化率的自旋电流的结构，该结构在基板上依次设置具有等离子激元金属材料的增强光吸收层、III-VI族硫属化物二维材料、具有铁磁金属团簇的铁磁金属层、沟道电极、BN二维材料保护层；采用激光垂直入射至该结构中，并通过III-VI族硫属化物二维材料表面的等离子激元金属材料增强光吸收效率，激发由铁磁金属层注入到III-VI族硫属化物二维材料的自旋极化电子的跃迁，经由与III-VI族硫属化物二维材料连接的沟道回路产生自旋电流；并可通过控制铁磁金属团簇的形貌及尺度，控制自旋电流的极化率。
-
公开(公告)号：CN108735806B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810540985.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生可控极化率的自旋电流的结构，该结构在基板上依次设置具有等离子激元金属材料的增强光吸收层、III‑VI族硫属化物二维材料、具有铁磁金属团簇的铁磁金属层、沟道电极、BN二维材料保护层；采用激光垂直入射至该结构中，并通过III‑VI族硫属化物二维材料表面的等离子激元金属材料增强光吸收效率，激发由铁磁金属层注入到III‑VI族硫属化物二维材料的自旋极化电子的跃迁，经由与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道回路产生自旋电流；并可通过控制铁磁金属团簇的形貌及尺度，控制自旋电流的极化率。
-
公开(公告)号：CN108732791A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810558544.8
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法，涉及波长连续可调的旋光的产生和极化率的调控。该器件基于III-VI族硫属化物二维材料与铁磁金属团簇异质结构，铁磁金属层经由界面耦合效应向III-VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，通过控制铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度，调节铁磁金属团簇内部磁矩方向以及与III-VI族硫属化物二维材料的磁耦合效应；进一步通过外加垂直电场调节III-VI族硫属化物二维材料的带隙宽度，使器件在入射光激发下产生具有可控自旋极化率，且波长从紫外到红外的宽波段范围内连续可调的旋光效应。
-
公开(公告)号：CN208722887U
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201820923579.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本实用新型公开一种具有可控极化率的二维自旋电子器件，包含基底、层叠设置在基底上表面的增强光吸收层、III-VI族硫属化物二维材料、铁磁金属层、BN二维材料保护层；以及与III-VI族硫属化物二维材料连接的第一和第二沟道电极；该器件中铁磁金属层经由界面耦合效应向III-VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，使器件在激光入射下激发产生自旋极化电子，并且在沟道回路中形成自旋电流，且自旋电流的极化率可由铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度控制。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.012 seconds)
