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公开(公告)号：CN100505200C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610012078.0
申请日：2006-06-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法，属于半导体器件失效评估领域，它由在衬底上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台，固接在平台表面的一排电极，在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成，相邻电极之间的距离互不相等，测量方法包括在电极和辅助电极间加考核电流一段时间，断开考核电流，测量相邻电极之间的总电阻及间距，用传输线法作图并计算欧姆接触的电阻率。使用本发明的芯片和测量方法，能避免考核电流对半导体材料的损伤，准确评估欧姆接触退化程度的方法。
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公开(公告)号：CN1734259A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510085223.3
申请日：2005-07-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属半导体测量领域。目前恒温装置恒温过程长。特征在于：将半导体冷堆(202)上下面涂上导热脂，分别与导热材料平台(201)、水套平台(205)粘接；水套平台中流有换热循环水，通过水泵(203)和水箱(204)将半导体冷堆(202)产生的热量或冷量散掉；导热材料平台连接温度传感器(107)，温度传感器(107)连接到温度信号放大器(105)，输出连接到A/D转换器(104)，输入连到微处理器(101)；微处理器输出驱动指令到D/A转换器(109)，输出驱动信号到功率放大器(106)，输出驱动电流给半导体冷堆(202)；温度控制设定通过键盘(103)输入到微处理器内的；显示器(102)用于显示输入的温度指令和系统温度；本发明使恒温过程变短，提高了控温和恒温的能力。
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公开(公告)号：CN1074541C
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN95117943.8
申请日：1995-11-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 砷化镓场效应管沟道温度测试装置特征在于，它是由计算机和控制器组成控制中心，通过时序调整电路分别控制带有两个可编程控制电源的漏极、栅极开关，实现了对被测管施加安全的任意工作条件与测试条件的转换。并通过电流、电压转换电路、漏极隔离放大电路显示被测管的漏极工作条件；通过栅极电压测量获得被测管工作条件下的沟道温度。因而本装置具有适用于器件工作条件下沟道温度的精确测量等优点。
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公开(公告)号：CN1148706A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：CN94113392.3
申请日：1994-12-29
Applicant: 北京工业大学科技开发管理部 , 北京市崇文区国家税务局
IPC: G06F17/60
Abstract: 增值税发票自动录入法及其录入器属于数据录入仪领域，其特征是：采用有0～9个数字键、A～E个双功能键和一个第二功能设置键F的键盘并在单片机控制下录入，其录入器由键盘经接口与其相连的单片机、分别经锁存器与单片机输出口相连且又互连的程序存储器和带掉电保护电路的数据存储器经电平转换后与单片机收、发端相连的PC机接口、由单片机控制的液晶点阵显示模块及电源组成，它可自动、快速而准确地录入企业增值税发票，需要时可传入税务局的计算机。
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公开(公告)号：CN119471280A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411611878.9
申请日：2024-11-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种p‑GaN HEMT瞬态阈值电压变化的准确测量方法，该方法可用于电学偏置下p‑GaN HEMT器件阈值电压瞬态变化测量。在栅极电压偏置施加和瞬态阈值电压测试之前，设计并增加了对采样电流引入瞬态电压变化的测试且测试条件与阈值电压瞬态曲线的测试条件保持一致。在瞬态阈值电压曲线实测完成后，将该部分额外引入的因素从实测曲线中剔除。这种方法可以修正采集电流对瞬态阈值电压变化的影响，以获取准确的阈值电压随时间变化量，从而正确评估p‑GaN HEMT器件在电学偏置下阈值电压漂移及陷阱作用情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113865742B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202110964595.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 一种基于探测光纤用于半导体激光器腔面镀膜内侧测温的方法及装置属于光热反射测温技术领域，所述方法包括：对待测激光器腔面进行光热反射系数CTR的校准；对待测激光器的驱动加以调制；使用一波长大于待测激光器激射波长的激光光束作为探测光，探测光被尾纤发出，垂直投射到待测激光器腔面；反射光携带温度信号再次进入尾纤，滤波后被探测器接收，对其进行计算后得到半导体激光器腔面温度信息。本发明能较为有效地测得半导体激光器工作时有源区前腔面内侧因光吸收而形成的热源并其周围区域的真实温度。相应的测量装置引入光纤进行探测与信号传输，对传统的光热反射测温系统进行了简化，有效提高了测量效率。
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公开(公告)号：CN117907787A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410113792.7
申请日：2024-01-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基结温敏特性的GaN基HEMT温升和热阻测试系统，本发明采用电学法，以栅源肖特基结正向压降为温敏参数，以栅漏肖特基结正向压降为温敏参数对GaN基HEMT进行温升和热阻测量。本发明可以实现采用栅漏肖特基结正向压降作为温敏参数，对GaN基HEMT进行温升和热阻测量，这使得测量结果比现有技术测量的待测器件温升更高；利用基于FPGA的时序控制电路对器件的三端开关进行灵活的控制，分别实现以栅源、栅漏以及将源漏短接后的肖特基结正向压降为温敏参数的温升和热阻的测量，且开关时间控制在微秒级别，实现加热状态和测试状态的快速切换。该系统能够提供稳定的测试电流，并且该测试电流值可以在一定范围内根据需要进行自主设置。
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公开(公告)号：CN114217198B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202111482805.0
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于短脉冲大电流的碳化硅MOSFET模块热阻测量方法，可用于碳化硅MOSFET模块或者分立器件的热阻准确测量。所述测量方法的适用条件为，(1)给定了施加栅压的区间；(2)给定了加热栅压与测试栅压的施加条件；(3)给定了测试电流的选取范围；(4)给定了脉冲宽度的选取标准。首先，根据适用条件做出特定测试脉冲电流等级下的校温曲线，得到温敏系数K值，利用测试源表及散热平台先进行碳化硅MOSFET分立器件的热阻测量，通过数据手册上的热阻值验证该测试条件的可行性，并用碳化硅MOSFET模块进行热阻测量的验证。利用该适用条件，可在短脉冲大电流正向导通压降法的基础上，无需增加额外设备，即可实现碳化硅MOSFET模块结温及热阻的测量。
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公开(公告)号：CN116047252A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310000308.5
申请日：2023-01-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法涉及半导体器件可靠性领域。传统的利用陷阱释放过程中瞬态漏源电流变化来表征陷阱参数的方法忽视了测试条件引入的陷阱填充对于瞬态电流变化的影响，这部分影响被当作陷阱释放的一部分包含在瞬态曲线中，从而导致对于陷阱填充机理及陷阱幅值的错误分析。本申请针对这一瞬态电流曲线变化的测量误差提出了一种修正方法，在传统的瞬态电流曲线测试之前设计了表征测试条件导致的瞬态电流变化步骤，利用这一表征结果对最终的瞬态曲线变化进行校正。这种方法可以很好地修正测试条件对陷阱释放过程中瞬态电流变化的影响，获取更加准确的瞬态曲线变化，从而正确评估异质半导体器件内部陷阱参数及作用机理。
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公开(公告)号：CN109709141B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910052090.1
申请日：2019-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种IGBT温升和热阻构成测试装置和方法属于IGBT可靠性设计和测试领域。本发明设计了通过采集IGBT集电极‑发射极寄生二极管在小电流下压降获得IGBT热阻构成的测试装置与相应热阻构成测试方法。解决了现有的功率MOS热阻测试仪，通过采集MOS反向寄生二极管的参数提取被测器件热阻的方法用于IGBT测量时，受IGBT拖尾电流影响，难以做到快速切换的问题。
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