一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法

    公开(公告)号:CN116047252A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202310000308.5

    申请日:2023-01-03

    Abstract: 一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法涉及半导体器件可靠性领域。传统的利用陷阱释放过程中瞬态漏源电流变化来表征陷阱参数的方法忽视了测试条件引入的陷阱填充对于瞬态电流变化的影响,这部分影响被当作陷阱释放的一部分包含在瞬态曲线中,从而导致对于陷阱填充机理及陷阱幅值的错误分析。本申请针对这一瞬态电流曲线变化的测量误差提出了一种修正方法,在传统的瞬态电流曲线测试之前设计了表征测试条件导致的瞬态电流变化步骤,利用这一表征结果对最终的瞬态曲线变化进行校正。这种方法可以很好地修正测试条件对陷阱释放过程中瞬态电流变化的影响,获取更加准确的瞬态曲线变化,从而正确评估异质半导体器件内部陷阱参数及作用机理。

    一种采用射频切换电路实现HEMT热阻准在线测量的方法和装置

    公开(公告)号:CN117074893A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202310809170.3

    申请日:2023-07-04

    Abstract: 本发明提供了一种采用射频切换电路实现HEMT热阻准在线测量的方法和装置。本发明通过控制射频切换电路可将被测HEMT器件从工作回路与热阻测量电路中来回切换,同时实现器件射频工作功能以及热阻测量功能。射频切换电路将防自激电路与射频切换开关相结合;通过电路改进将热阻仪的状态切换与射频切换电路开关切换控制集成到一起,热阻测量流程可变更为首先射频开关与第二选通端连接,HEMT器件处于工作回路中的射频下工作状态,而后热阻测试仪开关切换到热阻测试仪测量状态同时使得射频开关一同切换,射频开关从工作回路中断开与热阻测试仪连接进行热阻测量,从而由射频下工作状态替代热阻测试仪工作状态,所得热阻为器件处于实际射频工作状态下的真实热阻。

    一种光电探测器热阻测试装置及方法

    公开(公告)号:CN115902564A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211464061.4

    申请日:2022-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种用于光电探测器热阻测量的光功率及反向偏置控制装置及方法,涉及半导体光电探测器热特性测量技术领域。本发明包括:第一门驱动电路与光功率设置模块连接;第二门驱动电路与绝缘栅开关器件的栅极连接;测试电流源与被测光电探测器的阳极连接;二极管的阳极与被测光电探测器的阳极连接,二极管的阴极与绝缘栅开关器的漏极连接;绝缘栅开关器的源极与电压源的一端连接;电压源的另一端与被测光电探测器的阴极连接;光功率设置模块通过光路与被测光电探测器连接。本发明可实现从同时设置光功率为通并施加反向偏置的加热状态到设置光功率为断并施加正向电流的测试状态的高速切换。

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