公开(公告)号：CN109709141B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN201910052090.1

申请日：2019-01-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  王晟 ,  石帮兵 ,  李轩 ,  白昆

IPC: G01N25/20 ,  G01R31/26

Abstract: 一种IGBT温升和热阻构成测试装置和方法属于IGBT可靠性设计和测试领域。本发明设计了通过采集IGBT集电极‑发射极寄生二极管在小电流下压降获得IGBT热阻构成的测试装置与相应热阻构成测试方法。解决了现有的功率MOS热阻测试仪，通过采集MOS反向寄生二极管的参数提取被测器件热阻的方法用于IGBT测量时，受IGBT拖尾电流影响，难以做到快速切换的问题。

公开(公告)号：CN109709141A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910052090.1

申请日：2019-01-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  王晟 ,  石帮兵 ,  李轩 ,  白昆

IPC: G01N25/20 ,  G01R31/26

Abstract: 一种IGBT温升和热阻构成测试装置和方法属于IGBT可靠性设计和测试领域。本发明设计了通过采集IGBT集电极-发射极寄生二极管在小电流下压降获得IGBT热阻构成的测试装置与相应热阻构成测试方法。解决了现有的功率MOS热阻测试仪，通过采集MOS反向寄生二极管的参数提取被测器件热阻的方法用于IGBT测量时，受IGBT拖尾电流影响，难以做到快速切换的问题。