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公开(公告)号：CN102403233A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110410898.6
申请日：2011-12-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/0692 , H01L29/165 , H01L29/66356
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种垂直沟道的隧穿晶体管的制造方法。围栅型的栅极结构增强了栅极的控制能力，窄禁带宽度材料的源极使得器件的驱动电流得到提升。采用本发明所提出的垂直沟道的型隧穿晶体管的制造方法，可以精确地控制沟道的长度，工艺过程简单，易于控制，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN102386128A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110208255.3
申请日：2011-07-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种修饰SiCOH薄膜微结构的方法。该发明首先通过溶胶-凝胶方法和旋涂技术制备SiCOH薄膜，然后进行热退火处理，最后将该薄膜置于宽普紫外灯下照射，实现对SiCOH薄膜微结构的修饰，使得薄膜中交联成键结构增加。本发明方法可显著改善SiCOH薄膜的力学性能。
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公开(公告)号：CN102332430A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110285132.X
申请日：2011-09-23
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1616
Abstract: 本发明属于低温原子层淀积技术领域，具体为一种柔性透明1T1R存储单元的制造方法。本发明通过全低温工艺在柔性衬底上生长全透明的1T1R存储单元，包括透明的氧化层介质、透明电极和透明衬底，这些透明层通过低温工艺淀积到一起，实现了一个全透明的器件，其同样能够实现非透明器件的功能。本发明可在未来柔性低温存储单元制造中得到应用，并且改变目前器件的封装和存在方式，使得可折叠和可弯曲式便携式存储单元成为可能。
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公开(公告)号：CN102332426A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110285348.6
申请日：2011-09-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/18 , C23C16/45534 , H01L21/76846 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种铜的扩散阻挡层的制备方法。本发明选用合适的反应前躯体，采用原子层沉积技术在TaN层上生长Co或者Ru，可以得到用于32nm或以下工艺节点中的互连中的扩散阻挡层，克服PVD淀积Ta/TaN双层结构作为铜的扩散阻挡层在台阶覆盖和保形性上的不足，有效解决Cu/low-k双镶嵌工艺中所面临的沟槽和通孔中空洞的产生以及电迁移稳定性的严重问题。
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公开(公告)号：CN102290333A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110219738.3
申请日：2011-08-02
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种适用于石墨烯基器件的栅氧介质的形成方法。本发明是在石墨烯基器件中采用原子层淀积方法生长氮化硼（BN），作为高k栅氧介质。生长BN可以突破目前BN靠机械剥离形成、大小难以控制、无法整合到石墨烯基电路集成工艺中的巨大难题，并且通过控制原子层淀积生长参数可以控制BN的结构与缺陷，进而能够提供多种不同石墨烯基器件应用，实现具有较高迁移率的石墨烯基场效应晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102208441A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110112347.1
申请日：2011-05-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/12 , H01L21/336 , C23C16/44 , C23C16/40 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管有源层及其生长方法。本发明提出的薄膜晶体管为由ZnO掺杂Hf元素的HfZnO薄膜，其生长方法包括：用原子层淀积技术在基板上周期性地生长HfO2和ZnO薄膜，得到特定厚度的HfZnO有源沟道层。本发明方法所淀积的薄膜具有薄膜厚度的精确控制性，优异的保形性，良好的界面控制能力，极好的大面积均匀性，可以减少薄膜的缺陷密度，因此可大大降低沟道层中的缺陷以及介质层和沟道层界面处的缺陷，最终提高TFT的性能。
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公开(公告)号：CN102185105A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110101360.7
申请日：2011-04-22
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L27/2445 , H01L27/2472 , H01L29/7391 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种半导体存储器结构及其制造方法。该半导体存储器采用隧穿场效应晶体管对相变存储器或阻变存储器进行比如擦写操作和读操作的控制，一方面，隧穿场效应晶体管的正向偏置p-n结电流可以满足相变存储器或阻变存储器需要较大的电流来进行擦写操作的特点；另一方面，垂直结构的场效应晶体管可以大大提高存储器件阵列的密度。本发明还公开了一种使用自对准工艺来制造所述半导体存储器结构的方法，非常适用于存储器芯片的制造。
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公开(公告)号：CN102097586A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010562566.5
申请日：2010-11-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于低温原子层淀积（ALD）技术领域，具体涉及一种基于全低温工艺的柔性纳米点阻变存储器及其制造方法。首先利用低温PVD方法在柔性衬底上生长底电极，然后通过低温ALD方法生长氧化层，之后生长纳米点，再通过低温ALD方法生长氧化层，最后生长顶电极。在氧化层中接入纳米点可以有效改善RRAM的高低阻态变换的稳定性，降低误差出现的概率，从而解决可靠性和实用性的问题。本发明可在未来柔性低温存储器制造中得到应用，并且改变目前存储器件的封装和存在方式，使得折叠和弯曲便携式存储器成为可能。
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公开(公告)号：CN102097447A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010545127.3
申请日：2010-11-16
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L25/167 , G03B21/2033 , H01L25/0753 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种亮度可调的发光器件、阵列及其制造方法。所述发光器件包括包括一个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上的MOSFET和发光二极管。发光二极管（LED）及其控制元件（MOSFET）集成在同一个芯片上，使单个芯片就可以实现图像的发射。由多个所述的发光器件还可以构成发光器件阵列。同时，本发明还公开了所述发光器件的制造方法。采用本发明所提出的发光器件制造的投影设备具有体积小、可便携性、功耗低等优点，而且，集成电路芯片的使用，使得投影设备系统大大简化，降低了生产成本，并且可以大大提高像素及亮度。
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公开(公告)号：CN102064111A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010574126.1
申请日：2010-12-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种利用含氟（F）等离子体释放金属栅/高k栅介质体系费米能级钉扎的方法。高k栅介质中缺陷的主要类型是氧空位，F具有较小的离子半径能够对氧空位进行填补，它是电负性最强的元素，也是唯一一种电负性比氧强的元素。用含F的等离子体对淀积好的高k栅介质进行处理，能够很好地对高k栅介质中的氧空位进行钝化，从而达到释放费米能级钉扎的目的，使金属栅/高k介质晶体管的亚阈值特性和阈值电压漂移得到改善。
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