公开(公告)号：CN102386128A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110208255.3

申请日：2011-07-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  胡龙龙 ,  付爽 ,  张卫 ,  王鹏飞

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种修饰SiCOH薄膜微结构的方法。该发明首先通过溶胶-凝胶方法和旋涂技术制备SiCOH薄膜，然后进行热退火处理，最后将该薄膜置于宽普紫外灯下照射，实现对SiCOH薄膜微结构的修饰，使得薄膜中交联成键结构增加。本发明方法可显著改善SiCOH薄膜的力学性能。

公开(公告)号：CN101789418B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201010121881.4

申请日：2010-03-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 付爽 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种多孔超低介电常数薄膜材料及其制备方法。本发明的制备过程采用溶胶-凝胶工艺，以有机硅氧烷为前驱体，通过控制前驱体、成孔剂、催化剂和溶剂的比例、溶液的浓度，以及合成、后处理及退火温度等条件，制备了一种超低介电常数多孔薄膜材料。该工艺过程简单，所制备的薄膜中含有有序纳米孔，薄膜表面均匀，粗糙度低，并且热稳定性好，介电常数为1.9-2.0，在1MV/cm时漏电流密度在10-8～10-9A/cm2数量级。

公开(公告)号：CN101789418A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010121881.4

申请日：2010-03-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 付爽 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种多孔超低介电常数薄膜材料及其制备方法。本发明的制备过程采用溶胶-凝胶工艺，以有机硅氧烷为前驱体，通过控制前驱体、成孔剂、催化剂和溶剂的比例、溶液的浓度，以及合成、后处理及退火温度等条件，制备了一种超低介电常数多孔薄膜材料。该工艺过程简单，所制备的薄膜中含有有序纳米孔，薄膜表面均匀，粗糙度低，并且热稳定性好，介电常数为1.9-2.0，在1MV/cm时漏电流密度在10-8～10-9A/cm2数量级。