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公开(公告)号：CN102097586A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010562566.5
申请日：2010-11-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于低温原子层淀积（ALD）技术领域，具体涉及一种基于全低温工艺的柔性纳米点阻变存储器及其制造方法。首先利用低温PVD方法在柔性衬底上生长底电极，然后通过低温ALD方法生长氧化层，之后生长纳米点，再通过低温ALD方法生长氧化层，最后生长顶电极。在氧化层中接入纳米点可以有效改善RRAM的高低阻态变换的稳定性，降低误差出现的概率，从而解决可靠性和实用性的问题。本发明可在未来柔性低温存储器制造中得到应用，并且改变目前存储器件的封装和存在方式，使得折叠和弯曲便携式存储器成为可能。
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