-
公开(公告)号：CN101740717A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910145691.3
申请日：2009-05-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于金属氧化物不挥发存储器技术领域，涉及一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法，该CuxO基电阻型存储器包括上电极、铜下电极、以及设置在上电极和铜下电极之间的CuxO基存储介质，所述CuxO基存储介质是通过对覆盖在铜下电极上的CuSi化合物缓冲层氧化处理形成，其中，1＜x≤2。该发明提供的电阻型存储器能避免存储介质之下产生空洞，从而保证器件的良率以及可靠性，同时具有相对低功耗的特点。
-
公开(公告)号：CN101315969A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810039607.5
申请日：2008-06-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种具有掺杂控制层的电阻存储器。该电阻存储器包括：上电极、下电极、用于实现电阻值的存储转换的电阻存储介质层、用来实现对所述电阻存储介质层的金属元素掺杂及其掺杂含量控制的掺杂控制层。掺杂控制层与电阻存储介质层直接，上电极或者下电极中的金属元素透过掺杂控制层向存储介质层表面扩散，以实现对电阻存储介质层的可控低掺杂，从而达到稳定电阻存储器的电学性能的目的。
-
公开(公告)号：CN119867854A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510159897.0
申请日：2025-02-13
Applicant: 复旦大学附属中山医院 , 施爱德(厦门)医疗器材有限公司
IPC: A61B17/115 , A61B17/11 , A61B17/94
Abstract: 本发明公开了一种管型吻合器导引保护套组件。该导引保护套组件包括切口保护套、导引头和密封盖；所述切口保护套为设有内、外开环和管状薄膜的双喇叭口结构；所述导引头整体为弧形设计的锥形结构，所述锥形结构上设有用于与管型吻合器的中心杆插接的纵向孔道；所述密封盖能够与切口保护套外卡环过盈配合，起到密封作用；所述密封盖上设有不同尺寸的用于管型吻合器或其他手术器械通过并能与其形成密封的开孔。本发明根据腔镜手术中操作的复杂性与气密性要求，通过导引头组件和密封结构的设计，使得吻合器能够在腹腔镜下安全操作，减少组织损伤和手术时间；该保护套组件可以做为密封堵头，保证腹腔内的密封，从而使手术更方便，节约切换缝合时间。
-
公开(公告)号：CN112466930B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202011282535.4
申请日：2020-11-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/44 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。
-
公开(公告)号：CN115308851B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210773130.3
申请日：2022-07-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微纳光电子技术领域，具体为一种与硅光集成工艺兼容的非垂直间接电加热装置。本发明的非垂直间接电加热结构包括光波导、相变材料层、绝缘包覆层、加热器、硅通孔TSV）。其中，相变材料层位于光波导上或嵌入光波导中；加热器及TSV位于绝缘包覆层中相变材料层的上方，不垂直于相变材料层，且垂直或平行于波导。本发明可用于集成光路中光子相变器件的热控制与切换。本发明结合加热器间接加热结构和加热器非垂直设计，避免了额外的损耗，降低了相变材料的受热不均匀，实现了与硅光集成标准工艺兼容。本发明为发展可靠、高效、低损耗、与硅光集成标准工艺兼容的光子相变器件及阵列提供了简便的调控策略。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116744675A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310564445.1
申请日：2023-05-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于MoS2‑Si异质集成的叠层2T1C动态随机存储器件及其制备方法。本发明动态随机存储器件，其下层为建立在绝缘层上硅衬底上的NMOS，作为读晶体管工作，上层为MoS2‑MOSFET，作为写晶体管工作；两个晶体管的源极金属以及两者间的介质层共同构成MIM电容，同时MoS2‑FET的源极金属直接与SOI‑FET的栅极金属连接。本发明将硅基2T1C‑DRAM的写晶体管用MoS2‑FET替代，并使其垂直堆叠在读晶体管上，形成叠层结构，减小了存储单元面积；由于MoS2的禁带宽度更大，写晶体管闭电流减小，存储单元的数据存储时间提高。本发明存储器件集成度高、存储时间长、功耗低，可应用于高性能动态存储器领域。
-
公开(公告)号：CN116613179A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310564453.6
申请日：2023-05-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/144 , H01L27/12 , H01L21/84 , G06N3/063
Abstract: 本发明属于脉冲神经网络技术领域，具体为基于场效应正反馈晶体管的光电脉冲神经元及其制备方法。本发明光电脉冲神经元由半导体场效应正反馈晶体管与二维光电器件集合组成，包括衬底、氧化埋层、第一沟道区、栅氧化层、正栅极、第一源极掺杂区、第一漏极掺杂区、二维材料第二沟道区，以及第一源极金属接触、第一漏极金属接触、正栅极金属接触、衬底金属接触、第二源极金属接触和第二漏极金属接触。半导体场效应正反馈晶体管通过单个晶体管实现脉冲神经元的积累释放特性，可降低硬件开销和能耗。光电脉冲神经元具有光调控脉冲频率的功能，为实现高集成密度、低功耗和功能丰富的神经形态芯片提供新方案。
-
公开(公告)号：CN115763219A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211295202.4
申请日：2022-10-21
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明实施例提供一种涉及二维原子晶体材料转移技术领域，具有涉及一种制备图案化单层二维材料的方法，所述方法包括：制备上表面具有多个PDMS凸起的图案化PDMS印章，并使所述多个PDMS凸起以预设图案的样式排布；在薄膜衬底上生长连续的单层二维TMDs薄膜；将所述单层二维TMDs薄膜转印到所述PDMS凸起的上表面，得到图案化单层二维TMDs薄膜；将所述图案化单层二维TMDs薄膜转移到目标衬底上，得到图案化单层二维材料。通过所述方法转印图案化单层二维材料解决了现有技术二维材料图案化和转移二维材料流程复杂、成本高昂、耗时长的问题。
-
公开(公告)号：CN115308851A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210773130.3
申请日：2022-07-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微纳光电子技术领域，具体为一种与硅光集成工艺兼容的非垂直间接电加热装置。本发明的非垂直间接电加热结构包括光波导、相变材料层、绝缘包覆层、加热器、硅通孔（TSV）。其中，相变材料层位于光波导上或嵌入光波导中；加热器及TSV位于绝缘包覆层中相变材料层的上方，不垂直于相变材料层，且垂直或平行于波导。本发明可用于集成光路中光子相变器件的热控制与切换。本发明结合加热器间接加热结构和加热器非垂直设计，避免了额外的损耗，降低了相变材料的受热不均匀，实现了与硅光集成标准工艺兼容。本发明为发展可靠、高效、低损耗、与硅光集成标准工艺兼容的光子相变器件及阵列提供了简便的调控策略。
-
公开(公告)号：CN115034377A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210559184.X
申请日：2022-05-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光电子技术领域，具体为一种光子神经元器件单元及光子神经计算器件。本发明的光子神经元器件单元是由波导、神经元材料上、下组合形成的片上光子器件结构；光子神经元材料具有双向转变特性，在操作前为非晶态或晶态，当施加的光强超过阈值时，部分或全部材料会转变为熔融的液态，产生光吸收率/透过率变化，实现神经元功能；光子神经计算器件的结构包括：光子神经突触单元和光子神经元器件单元；光子神经突触单元对光信号进行调制，通过波导复用后传递到光子神经元器件单元；光子神经元器件单元通过波导直接与下一个神经突触单元相连接；以此类推，构建大规律神经计算网络。本发明可以以满足高速、低能耗的光子神经计算应用需求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
136
records
(took 0.023 seconds)
