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公开(公告)号：CN102403231A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110373071.2
申请日：2011-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种使用纳米压印和接触式光刻制作硅纳米线晶体管的方法。其步骤包括：在原始SOI模板上用纳米压印结合定向淀积的方法制作宽度小于100纳米的镍线条阵列，作为硅纳米线的刻蚀掩蔽层，再次使用纳米压印，定义与先前的镍线条阵列垂直相交的100纳米级线宽的线条阵列，并结合干法刻蚀法制作出纳米线晶体管的沟道区，并在刻蚀出的硅纳米线上生长栅氧，然后自对准地形成多晶硅栅，最后使用接触式光刻定义源漏区域并淀积形成金属电极。本发明所需的图形化工艺条件简单，仅需要十微米级精度的接触式光刻机，以及简单的压印工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出顶栅硅纳米线场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN115034377B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202210559184.X
申请日：2022-05-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光电子技术领域，具体为一种光子神经元器件单元及光子神经计算器件。本发明的光子神经元器件单元是由波导、神经元材料上、下组合形成的片上光子器件结构；光子神经元材料具有双向转变特性，在操作前为非晶态或晶态，当施加的光强超过阈值时，部分或全部材料会转变为熔融的液态，产生光吸收率/透过率变化，实现神经元功能；光子神经计算器件的结构包括：光子神经突触单元和光子神经元器件单元；光子神经突触单元对光信号进行调制，通过波导复用后传递到光子神经元器件单元；光子神经元器件单元通过波导直接与下一个神经突触单元相连接；以此类推，构建大规律神经计算网络。本发明可以以满足高速、低能耗的光子神经计算应用需求。
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公开(公告)号：CN102403231B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110373071.2
申请日：2011-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种使用纳米压印和接触式光刻制作硅纳米线晶体管的方法。其步骤包括：在原始SOI模板上用纳米压印结合定向淀积的方法制作宽度小于100纳米的镍线条阵列，作为硅纳米线的刻蚀掩蔽层，再次使用纳米压印，定义与先前的镍线条阵列垂直相交的100纳米级线宽的线条阵列，并结合干法刻蚀法制作出纳米线晶体管的沟道区，并在刻蚀出的硅纳米线上生长栅氧，然后自对准地形成多晶硅栅，最后使用接触式光刻定义源漏区域并淀积形成金属电极。本发明所需的图形化工艺条件简单，仅需要十微米级精度的接触式光刻机，以及简单的压印工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出顶栅硅纳米线场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN114881222A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210583701.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微纳光电子技术领域，具体为一种光子存算一体器件和光子神经网络结构。本发明光子存算一体器件包括多环谐振器和光子存储材料，光子存储材料位于多环中的任意一个或几个上，或者位于通端或降端的波导上；在光子存储材料的上、下可添加电极层，通过光、电或热激励实现高带宽、高存储密度的光子存储和计算功能。本发明利用多环谐振器的宽通带、高品质因子特性，与波导上材料/器件的结构结合，实现高带宽、高存储密度的存算一体功能；光子神经网络包含由低阶多环谐振存储器构成的光子神经突触和由高阶多环谐振存储器构成的光子神经元。本发明为发展高速、低能耗、高精度、可扩展的光子神经网络等片上集成光路应用提供基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101692151B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910195817.8
申请日：2009-09-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线的制作方法。其步骤包括：在原始模板上淀积并烘烤二层胶体，并揭下作为软压印模板。在表面为硅层的衬底上旋涂一层光刻胶并前烘，使用前面得到的软模板进行压印，然后使用RIE刻蚀去除硅表面压印胶体的剩余层。利用衬底硅表面上的胶体作为刻蚀阻挡层，进行硅的各项异性刻蚀，最后得到所需的横截面为梯形或者三角形的硅纳米线图形。本发明方法简单，只需要一次压印；对昂贵的原始模板没有损伤，纳米线表面缺陷和陷阱少，而且纳米线的线宽可以调整。
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公开(公告)号：CN101692151A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910195817.8
申请日：2009-09-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线的制作方法。其步骤包括：在原始模板上淀积并烘烤二层胶体，并揭下作为软压印模板。在表面为硅层的衬底上旋涂一层光刻胶并前烘，使用前面得到的软模板进行压印，然后使用RIE刻蚀去除硅表面压印胶体的剩余层。利用衬底硅表面上的胶体作为刻蚀阻挡层，进行硅的各项异性刻蚀，最后得到所需的横截面为梯形或者三角形的硅纳米线图形。本发明方法简单，只需要一次压印；对昂贵的原始模板没有损伤，纳米线表面缺陷和陷阱少，而且纳米线的线宽可以调整。
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公开(公告)号：CN115308851B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210773130.3
申请日：2022-07-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微纳光电子技术领域，具体为一种与硅光集成工艺兼容的非垂直间接电加热装置。本发明的非垂直间接电加热结构包括光波导、相变材料层、绝缘包覆层、加热器、硅通孔TSV）。其中，相变材料层位于光波导上或嵌入光波导中；加热器及TSV位于绝缘包覆层中相变材料层的上方，不垂直于相变材料层，且垂直或平行于波导。本发明可用于集成光路中光子相变器件的热控制与切换。本发明结合加热器间接加热结构和加热器非垂直设计，避免了额外的损耗，降低了相变材料的受热不均匀，实现了与硅光集成标准工艺兼容。本发明为发展可靠、高效、低损耗、与硅光集成标准工艺兼容的光子相变器件及阵列提供了简便的调控策略。
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公开(公告)号：CN115308851A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210773130.3
申请日：2022-07-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微纳光电子技术领域，具体为一种与硅光集成工艺兼容的非垂直间接电加热装置。本发明的非垂直间接电加热结构包括光波导、相变材料层、绝缘包覆层、加热器、硅通孔（TSV）。其中，相变材料层位于光波导上或嵌入光波导中；加热器及TSV位于绝缘包覆层中相变材料层的上方，不垂直于相变材料层，且垂直或平行于波导。本发明可用于集成光路中光子相变器件的热控制与切换。本发明结合加热器间接加热结构和加热器非垂直设计，避免了额外的损耗，降低了相变材料的受热不均匀，实现了与硅光集成标准工艺兼容。本发明为发展可靠、高效、低损耗、与硅光集成标准工艺兼容的光子相变器件及阵列提供了简便的调控策略。
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公开(公告)号：CN115034377A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210559184.X
申请日：2022-05-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光电子技术领域，具体为一种光子神经元器件单元及光子神经计算器件。本发明的光子神经元器件单元是由波导、神经元材料上、下组合形成的片上光子器件结构；光子神经元材料具有双向转变特性，在操作前为非晶态或晶态，当施加的光强超过阈值时，部分或全部材料会转变为熔融的液态，产生光吸收率/透过率变化，实现神经元功能；光子神经计算器件的结构包括：光子神经突触单元和光子神经元器件单元；光子神经突触单元对光信号进行调制，通过波导复用后传递到光子神经元器件单元；光子神经元器件单元通过波导直接与下一个神经突触单元相连接；以此类推，构建大规律神经计算网络。本发明可以以满足高速、低能耗的光子神经计算应用需求。
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