-
-
公开(公告)号：CN109709069B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201811606056.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环谐振腔，该微环谐振腔位于模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅形成的直线一侧，与直波导位置对应且耦合连接，可与直波导进行光谐振耦合；气体传感上包层，位于一谐振耦合区域，该谐振耦合区域覆盖于直波导与微环谐振腔上方；以及绝缘上包层，覆盖于SOI基片上方除谐振耦合区域之外的区域。该气体传感器具有微型化、高灵敏度、响应速度快、不易受电磁干扰、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于制备和集成的综合性能。
-
公开(公告)号：CN109920713B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910179100.8
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J37/147 , H01J37/09 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 一种无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法，离子注入设备包括离子注入室，其包括离子源；离子引出组件；单离子释放组件，包括单离子束结构、离子阱和束线挡板；单离子检测组件，包括纳米孔光阑和单离子探测器；以及注入定位组件，包括样品台和成像单元，其中：离子源电离产生的离子由离子引出组件导出，经单离子束结构形成微束，然后通过离子阱选定待注入离子并进行逐个释放，形成单离子束；单离子束通过纳米孔光阑后注入样品，根据单离子探测器对离子数量的检测来控制束线挡板；样品台上固定带特征定位标记的样品，对样品台进行移动时，成像单元对特征定位标记进行成像定位，而使纳米孔光阑对准待注入位置，实现注入离子数量和位置的精确控制。
-
公开(公告)号：CN111399117A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010369829.4
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法，其中，该氮化硅微环谐振腔包括：氮化硅波导；氮化硅微环谐振腔，设置与氮化硅波导形成耦合连接；楔形垂直耦合器，包括：氮化硅布拉格光栅耦合器，通过一楔形耦合器与氮化硅波导相连接，多晶硅楔形耦合结构，设置于氮化硅布拉格光栅耦合器和/或楔形耦合器上，以及III-V族楔形耦合结构，设置于多晶硅楔形耦合结构上；III-V族波导，设置与III-V族楔形耦合结构相连接。本发明提供的该氮化硅微环谐振腔，可以实现III-V族波导与氮化硅波导之间的垂直耦合。所设计的混合集成微环谐振腔具有低损耗、高偏振抑制比、高可集成度、制备工艺简单等综合优势。
-
公开(公告)号：CN108117041A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711414427.6
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于浓硼掺杂硅的可动微纳结构的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在单晶硅衬底的上、下两面做掺杂，形成高浓度硼掺杂层、氧化硅层和硼硅相层；步骤2：用氢氟酸清洗，碱溶液清洗，RCA清洗；步骤3：采用低压化学气相沉积的方法双面生长富氮氮化硅层；步骤4：在富氮氮化硅层的一面光刻、刻蚀，制作出微纳结构凹槽；步骤5：在碱性溶液中溶解掉单晶硅衬底的部分本体硅，形成可动微纳结构；步骤6：在氢氟酸中除去富氮氮化硅层，RCA清洗，获得浓硼掺杂硅的可动微纳结构。本发明的制备方法，可以准确、低成本制作出所设计的单晶硅微纳可动结构，有望在MEMS传感器制备加工中得到广泛应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107957304A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711103665.5
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于二维电子气的MEMS压力传感器及其制备方法，所述MEMS压力传感器包括：衬底和玻璃板，其中所述衬底的背面有一背腔，所述衬底的背面与所述玻璃板键合，所述背腔与所述衬底的正面之间的部分构成感压薄膜，所述感压薄膜上设置有二维电子气层形成的压敏电阻条，所述感压薄膜和所述压敏电阻条上设置有绝缘层，所述压敏电阻条两端的绝缘层被刻蚀形成电学接触孔，所述压敏电阻条两端和所述电学接触孔上沉积有第一金属层，所述第一金属层上设置有第二金属层，所述第二金属层形成电学互联引线和压焊块。本发明的压力传感器灵敏度高、稳定性强，可以满足工业苛刻环境中的使用。
-
公开(公告)号：CN103904209B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410155903.7
申请日：2014-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线的平面热电器件的制备方法，包括：在衬底上制备一层P++层；在P++层上淀积第一绝缘材料层；淀积第一金属材料层，并在第一金属材料层上形成对称且具有一定间距的两个电阻；在电极引线附近开孔，暴露出部分P++层；在暴露出的部分P++层和电极引线上分别沉积第二金属材料层；在整个表面沉积第二绝缘材料层；暴露出蛇形电阻和电极引线之间的部分衬底，并在两个对称蛇形电阻的中央保留至少一个条形结构；刻蚀所述条形结构使其变成纳米线结构；从所暴露出的部分衬底进行湿法腐蚀，使得蛇形电阻、以及纳米线结构所在部位悬空；刻蚀所述第一绝缘层和第二绝缘层，暴露出第二金属材料层和纳米线结构。
-
公开(公告)号：CN105489756A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510881785.2
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L45/1666
Abstract: 本发明提出的一种基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法，解决了GST填充困难和对化学机械抛光(CMP)工艺的依赖的难题。处于晶态和非晶态下的GeSbTe合金在碱性溶液中的腐蚀速率差异超过一个数量级，通过加热电极对GeSbTe合金施加电脉冲能够且仅能够将位于水平对置电极缝隙内的GeSbTe合金材料设置为非晶态。这样通过在碱性溶液中腐蚀适当时间，可以把GeSbTe合金自对准地填充到水平电极缝隙内。工艺简单易行，对要要制备的局限性相变节点没有体积上的限制。本发明对于快速实现小单元功耗、大器件工作可靠性、与现有的CMOS工艺兼容，具有非常好的产业化应用前景。
-
公开(公告)号：CN105390612A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510881248.8
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/16
Abstract: 本发明提出了一种基于锥形衬底的相变存储器的制备方法。基于绝缘锥形衬底的相变单元，电极电场在相变材料中设计的局部区域(锥形衬底顶端上方)得以增强，诱导相变。这样就可以在不缩小相变材料物理体积的情况下，减小有效的相变体积，从而达到降低器件功耗的目的。该设计不涉及复杂的薄膜填充工艺，工艺精度要求低，简便易行。此外，由于备用的相变材料储备充分，该结构还具有较好的疲劳特性，器件的工作可靠性高，与现有的CMOS工艺兼容，具有非常好的产业化应用前景。
-
公开(公告)号：CN104393045A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410710282.4
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0684 , H01L29/66431
Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被高空穴浓度结构层、第一金属电极和第二金属电极覆盖的区域；其中，第一金属电极和第二金属电极与势垒层之间形成欧姆接触，第三金属电极与高空穴浓度结构层之间形成肖特基接触。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
157
records
(took 0.041 seconds)
