公开(公告)号：CN111399117B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010369829.4

申请日：2020-04-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 冯佐 ,  李兆峰 ,  杨富华 ,  王晓东 ,  何玉铭 ,  韩伟华

IPC: G02B6/124 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明公开了一种混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法，其中，该氮化硅微环谐振腔包括：氮化硅波导；氮化硅微环谐振腔，设置与氮化硅波导形成耦合连接；楔形垂直耦合器，包括：氮化硅布拉格光栅耦合器，通过一楔形耦合器与氮化硅波导相连接，多晶硅楔形耦合结构，设置于氮化硅布拉格光栅耦合器和/或楔形耦合器上，以及III‑V族楔形耦合结构，设置于多晶硅楔形耦合结构上；III‑V族波导，设置与III‑V族楔形耦合结构相连接。本发明提供的该氮化硅微环谐振腔，可以实现III‑V族波导与氮化硅波导之间的垂直耦合。所设计的混合集成微环谐振腔具有低损耗、高偏振抑制比、高可集成度、制备工艺简单等综合优势。

公开(公告)号：CN111399117A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010369829.4

申请日：2020-04-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 冯佐 ,  李兆峰 ,  杨富华 ,  王晓东 ,  何玉铭 ,  韩伟华

IPC: G02B6/124 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明公开了一种混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法，其中，该氮化硅微环谐振腔包括：氮化硅波导；氮化硅微环谐振腔，设置与氮化硅波导形成耦合连接；楔形垂直耦合器，包括：氮化硅布拉格光栅耦合器，通过一楔形耦合器与氮化硅波导相连接，多晶硅楔形耦合结构，设置于氮化硅布拉格光栅耦合器和/或楔形耦合器上，以及III-V族楔形耦合结构，设置于多晶硅楔形耦合结构上；III-V族波导，设置与III-V族楔形耦合结构相连接。本发明提供的该氮化硅微环谐振腔，可以实现III-V族波导与氮化硅波导之间的垂直耦合。所设计的混合集成微环谐振腔具有低损耗、高偏振抑制比、高可集成度、制备工艺简单等综合优势。