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公开(公告)号：CN101759142A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010034281.4
申请日：2010-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种纳流体测试器件的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的抗腐蚀的金属层；在电热绝缘材料层及金属层上制备一层制作纳流体通道的抗腐蚀绝缘材料层；抛光表面，去除金属层上面的抗腐蚀绝缘材料层；再用湿法腐蚀方法去除剩余的侧墙材料层形成纳流体通道；最后淀积一层绝缘材料将纳流体通道封顶，再在通道两端开孔并在通道两侧的金属上引出电极即可形成纳流体测试器件。
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公开(公告)号：CN101453200A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710178790.2
申请日：2007-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种共振隧穿二极管D触发器，包含有：一第一单稳态—双稳态转换逻辑单元；一第二单稳态-双稳态转换逻辑单元；一锁存单元由第一反相器和第二反相器构成，第一反相器的输出接第二反相器的输入端；第二反相器的输出接第一反相器的输入端；一第一传输门的输入端连接第一单稳态—双稳态转换逻辑单元的输出端，输出端连接至锁存单元的输入端；一第二传输门的输入端连接第二单稳态—双稳态转换逻辑单元的输出端，输出端连接锁存单元的输入端；一反相器的输出端连接第一单稳态—双稳态转换逻辑单元的输入端，该反相器的一端接地，该反相器的输入端连接至第二单稳态—双稳态转换逻辑单元的输入端。
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公开(公告)号：CN100495682C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610076521.0
申请日：2006-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/84
Abstract: 一种采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法，包括如：在衬底上依次生长典型的HEMT材料结构和RTD材料结构；光刻出RTD发射区的图形制备AuGeNi金属层，形成RTD金属发射极；光刻，形成有源区；光刻出HEMT的源漏电极；高温退火；光刻出HEMT栅槽图形刻蚀掉部分重掺杂帽层；在器件表面淀积生长一层钝化介质层；光刻出HEMT的栅电极图形生成TiPtAu金属作为HEMT器件的栅电极；光刻出引线孔；光刻出引线互连区域，蒸发或溅射厚TiAlTiAu金属电极，去胶剥离。
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公开(公告)号：CN100438085C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510005744.3
申请日：2005-01-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光存储器技术领域，特别是一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元。利用半导体双势垒异质结构光存储器单元来实现光探测和摄像单元器件。双势垒中间是宽量子阱；宽量子阱两端或者嵌入二个窄量子阱，或者二个量子点层，或者一个量子阱层和一个量子点层；在双势垒外侧分别有一个厚度适当的、不掺杂的隔离层，上述整个结构放在nin结构的不掺杂i区，构成的完整器件结构。
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公开(公告)号：CN100412536C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510006769.5
申请日：2005-02-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状，采用铟压焊技术制作电极，该电极与恒流源和电压表连接；步骤2：将步骤1所述的霍尔元件放入闭循环制冷系统中；步骤3：测量霍尔元件切向电阻与温度的关系曲线，确定镓锰砷导电特征从绝缘性转变到金属性的相变温度，从而确定镓锰砷薄膜的铁磁转变温度。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1866465A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510072978.X
申请日：2005-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及电子学器件技术领域，利用InGaAs作为缓冲层来增加半金属铁磁体闪锌矿结构锑化铬(zb－CrSb)厚度的分子束外延生长方法。包括分子束外延生长系统、源炉温度控制系统、五种元素固体源(包括Ga、As、In、Cr、Sb)、GaAs衬底、反射式高能电子衍射枪、超导量子干涉仪(SQUID)。利用分子束外延系统生长制备zb－CrSb样品。通过SQUID测量zb－CrSb的基本磁性质。从极低温下zb－CrSb的磁滞回线得到饱和磁矩，并由此来计算zb－CrSb的厚度。
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公开(公告)号：CN118833773A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410429986.8
申请日：2024-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体为一种基于聚酰亚胺牺牲层的RF MEMS开关的制备方法，S1、在衬底上制备隔离层；S2、在绝缘隔离层上制备金属共面波导以及开关驱动电极；S3、在金属共面波导上旋涂聚酰亚胺牺牲层，并固化；S4、在聚酰亚胺牺牲层上沉积SiO2薄膜；S5、以图形化的SiO2薄膜作为硬掩膜刻蚀触点凹窝；S6、以厚光刻胶作为掩膜刻蚀锚点通孔；S7、去除SiO2薄膜和厚光刻胶；S8、在图形化聚酰亚胺牺牲层上电镀金属悬臂梁；S9、去除聚酰亚胺牺牲层。本发明能够实现精确的小尺寸图形转移，得到具有高平整度和良好触点凹窝形貌的高质量聚酰亚胺牺牲层，进而提升RF MEMS开关的可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN115224147B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110427659.5
申请日：2021-04-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/054 , H01L31/0352 , H01L31/056 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构，该陷光结构包括：若干个陷光单元；陷光单元包括：四棱锥台和若干纳米线；若干纳米线位于上述四棱锥台的上表面；若干纳米线为弯曲状态，每一个纳米线与上述四棱锥台的上表面相接触的一端的弯曲角度小于远离上述四棱锥台上表面的一端的弯曲角度。本公开的陷光结构在制备时无需复杂的半导体工艺，无需接触非常危险的化学试剂；本公开陷光结构主要适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池以及大部分的III‑V族太阳能电池。
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公开(公告)号：CN112953433B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110433259.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H7/075
Abstract: 本公开提供一种多梁耦合的微机电谐振器，包括：谐振结构，包括多个谐振梁，且各个谐振梁顺次首尾相连耦合形成多边形环，相邻所述谐振梁耦合处设置有位移节点；电极，设置于所述谐振结构外围及所述谐振结构的内侧，通过机电转换介质层与所述谐振结构相隔；多个支撑梁，每个所述支撑梁的一端连接至一个所述位移节点；其中，各所述支撑梁的另一端连接至固定的基座，使得所述谐振结构处于悬空状态，因此在谐振结构工作时，电极驱动所述谐振结构，使所述每个谐振梁在所述多边形环所在面内朝垂直于对应谐振梁长度的方向做弯曲振动。
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