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公开(公告)号：CN101308889B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200710099289.7
申请日：2007-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种提高半导体型碳纳米管发光效率的方法，其特征在于，该方法包括：制备含有不同带隙半导体型碳纳米管的碳纳米管束；把碳纳米管束准备成发光器件，选择能量与碳纳米管束中的宽带隙半导体型碳纳米管的带隙相接近或相等的激发光去激发碳纳米管束来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的光致发光效率；或者把碳纳米管束准备成发光器件，在碳纳米管束两端施加偏压，来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的电荧光发光效率。
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公开(公告)号：CN101581672A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810106706.0
申请日：2008-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 肖文波 , 郑厚植 , 徐萍 , 鲁军 , 刘剑 , 李桂荣 , 谭平恒 , 赵建华 , 章昊 , 朱汇 , 甘华东 , 李蕴慧 , 朱科 , 吴昊 , 张泉 , 袁思芃 , 罗晶 , 申超 , 李科
IPC: G01N21/66
Abstract: 本发明一种测量电致自旋荧光的显微测量系统，其特征在于，包括：一显微拉曼光谱仪、一宽波段线偏振片和一宽波段四分之一波片，所述的显微拉曼光谱仪、宽波段线偏振片和宽波段四分之一波片相距一预定距离，且位于同一光路上；一磁体系统；一数字电压源表，该数字电压源表与磁体系统并联；一超长工作距离显微物镜，该超长工作距离显微物镜位于宽波段四分之一波片和磁体系统之间，且在同一光路上。
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公开(公告)号：CN1812139A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510005744.3
申请日：2005-01-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光存储器技术领域，特别是一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元。利用半导体双势垒异质结构光存储器单元来实现光探测和摄像单元器件。双势垒中间是宽量子阱；宽量子阱两端或者嵌入二个窄量子阱，或者二个量子点层，或者一个量子阱层和一个量子点层；在双势垒外侧分别有一个厚度适当的、不掺杂的隔离层，上述整个结构放在nin结构的不掺杂i区，构成的完整器件结构。
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公开(公告)号：CN101452043A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710178300.9
申请日：2007-11-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R33/12
Abstract: 本发明是一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统。所述显微测量系统用渥拉斯顿棱镜作为光起偏器，把一束HeNe激光变成线偏振光，然后使线偏振光通过与其成45度夹角的光弹调制器，根据光学原理，偏振光变成50kHz调制的左右旋圆偏振光，圆偏振光照射样品，样品中产生自旋极化的电子；在反向电场的驱动下，铁磁金属向半导体中注入自旋极化电子，但是由于半导体在圆偏振光的照射下会有50％的自旋极化电子，从而会对注入的自旋极化电子产生磁阻效应；在正向电场的驱动下，半导体中光照产生的自旋极化电子向铁磁这边驱动，受铁磁中极化电子的影响，会滤除与其自旋方向相反的注入电子。
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公开(公告)号：CN101308889A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200710099289.7
申请日：2007-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种提高半导体型碳纳米管发光效率的方法，其特征在于，该方法包括：制备含有不同带隙半导体型碳纳米管的碳纳米管束；把碳纳米管束准备成发光器件，选择能量与碳纳米管束中的宽带隙半导体型碳纳米管的带隙相接近或相等的激发光去激发碳纳米管束来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的光致发光效率；或者把碳纳米管束准备成发光器件，在碳纳米管束两端施加偏压，来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的电荧光发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101308084A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200710099288.2
申请日：2007-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种鉴别样品是否含有微小半导体碳纳米管束的方法，其特征在于，该方法包括：测试单壁碳纳米管样品的吸收光谱或者拉曼光谱；根据吸收光谱或者拉曼光谱来确定单壁碳纳米管样品中半导体碳纳米管的带隙；选择与较宽带隙半导体碳纳米管电子能级所对应激子能级相匹配的激发光来激发单壁碳纳米管样品的光致发光光谱；根据光致发光光谱中是否存在来自较窄带隙半导体碳纳米管的荧光信号来判断单壁碳纳米管样品是否含有微小半导体碳纳米管束。
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公开(公告)号：CN101206141A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610165535.X
申请日：2006-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J3/00 , G01J3/02 , G01J3/10 , G01J3/12 , G01J3/18 , G01J3/26 , G01J3/28 , G01S7/497 , G01S17/88 , G01S17/89 , G01S17/95
Abstract: 一种共焦显微中远红外探测器光谱响应测量系统，包括：一红外光源；一红外单色仪的输入端与红外光源的输出端相连接；一红外共焦显微系统位于红外单色仪输出光路上；一斩波限光单元位于红外共焦显微系统和三维微动平台之间，并位于红外单色仪的输出光路上；一三维微动平台位于红外单色仪的输出光路上；一样品致冷杜瓦固定在三维微动平台上；一前置放大器与样品致冷杜瓦相连接，起到对样品电信号的放大作用；一锁相放大器与前置放大器相连接；一控制计算机与锁相放大器和红外单色仪相连接，控制锁相放大器和红外单色仪实施测试过程，同时采集由锁相放大器和红外单色仪输入的数据信号。
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公开(公告)号：CN101059439A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610011750.4
申请日：2006-04-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种显微拉曼谱仪与近红外光谱仪的联合测试系统，包括：可见光显微拉曼光谱仪，该谱仪包括了样品平台和工作在可见光范围的探测器；反射镜位于可见光显微拉曼光谱仪的光路上；透镜位于反射镜折射的光路上；三维调节架位于透镜的光路上；多模石英光纤的一端固定在三维调节架上；近红外光谱仪与多模石英光纤的另一端连接。反射镜将从可见光显微拉曼光谱仪样品平台上样品发出的荧光信号偏离原方向，荧光信号经过透镜会聚后准确地入射到位置由三维调节架精密地调整的多模石英光纤内芯，多模石英光纤随之将信号传输到近红外光谱仪进行荧光光谱测量。
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公开(公告)号：CN101806623A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010143096.9
申请日：2010-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种多功能反射式磁光光谱测量系统，使用超连续白光光源、光栅单色仪、若干偏振镜片、光弹调制器、宽带1/4与1/2波片、消偏振分光棱镜(NPBS)、单端与差分探测器以及OXFORD低温超导磁体系统，组成结构灵活可变的光谱探测系统，可以在同一光路上实现反射式磁圆二向色性(MCD)、极向磁光克尔效应、偏振反射光谱以及磁线二向色性(MLD)的测量。该系统灵敏度高，可用于基础物理研究、材料特性分析和偏振调制光通信等诸多领域。
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公开(公告)号：CN100567963C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200610011750.4
申请日：2006-04-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种显微拉曼谱仪与近红外光谱仪的联合测试系统，包括：可见光显微拉曼光谱仪，该谱仪包括了样品平台和工作在可见光范围的探测器；反射镜位于可见光显微拉曼光谱仪的光路上；透镜位于反射镜折射的光路上；三维调节架位于透镜的光路上；多模石英光纤的一端固定在三维调节架上；近红外光谱仪与多模石英光纤的另一端连接。反射镜将从可见光显微拉曼光谱仪样品平台上样品发出的荧光信号偏离原方向，荧光信号经过透镜会聚后准确地入射到位置由三维调节架精密地调整的多模石英光纤内芯，多模石英光纤随之将信号传输到近红外光谱仪进行荧光光谱测量。
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