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公开(公告)号：CN101943664A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910088590.7
申请日：2009-07-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一套强磁场环境和液氮温度下的自旋相关输运测量系统，包括：一液氮杜瓦；一手动五维调节平台，放置液氮杜瓦，用于调节液氮杜瓦的空间位置；一钕铁硼永磁体，同轴地套在液氮杜瓦的铝套筒外侧，用于提供测量的强磁场环境；一电动一维平移台，位于钕铁硼永磁体下方；一手动一维升降台，位于电动一维平移台下方，用于调节钕铁硼永磁体和液氮杜瓦的相对位置；一超长工作距离物镜，位于液氮杜瓦的光学窗口的正前方，用于聚焦激发光到样品、以及收集并准直样品发出的荧光；一宽波段偏振非敏感分束棱镜，位于钕铁硼永磁体的通孔的一侧；一荧光光路，从样品出射，并经过超长工作距离物镜准直到垂直于光学窗口的方向；一激发光光路，与荧光光路正交于宽波段偏振非敏感分束棱镜。
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公开(公告)号：CN101471396B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710304257.6
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种谐振腔增强探测器腔的控制方法，包括：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置；3)运用模拟程序，计算出与实际样品高反带完全对应的砷化镓层的厚度，砷化铝层的厚度以及与实际腔模完全对应所要求的腔体的厚度；4)根据步骤3)所得数据对第一次生长样品高反带的砷化镓层厚度、砷化铝层厚度以及腔体厚度进行校正，并对分子束外延设生长样品的时间参数进行校正，生长出新样品；5)采用显微拉曼光谱仪测量新样品反射谱。
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公开(公告)号：CN101581672A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810106706.0
申请日：2008-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 肖文波 , 郑厚植 , 徐萍 , 鲁军 , 刘剑 , 李桂荣 , 谭平恒 , 赵建华 , 章昊 , 朱汇 , 甘华东 , 李蕴慧 , 朱科 , 吴昊 , 张泉 , 袁思芃 , 罗晶 , 申超 , 李科
IPC: G01N21/66
Abstract: 本发明一种测量电致自旋荧光的显微测量系统，其特征在于，包括：一显微拉曼光谱仪、一宽波段线偏振片和一宽波段四分之一波片，所述的显微拉曼光谱仪、宽波段线偏振片和宽波段四分之一波片相距一预定距离，且位于同一光路上；一磁体系统；一数字电压源表，该数字电压源表与磁体系统并联；一超长工作距离显微物镜，该超长工作距离显微物镜位于宽波段四分之一波片和磁体系统之间，且在同一光路上。
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公开(公告)号：CN101206312A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610165536.4
申请日：2006-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种可改变工作波长且无光线偏移的滤光器，包括：一底板；一第一旋转台安装在底板上面一侧的上方；一第二旋转台安装在底板上面另一侧的上方；第一晶片固定器固定在第一旋转台上中央位置；一第二晶片固定器固定在第二旋转台上中央位置；一薄膜干涉滤光片安装在第一晶片固定器上；一光学晶片组安装在第二晶片固定器上；一丝轴基座固定在底板上中间的上端；一丝轴的一端安装在丝轴基座上；一滑块安装在丝轴上，其上部还带有可以滑轨配合的凸状卡头；一步进电机安装在底板中间的下端，与丝轴的另一端连接；一第一杆件的一端固定于第一旋转台上；一第二杆件的一端固定于第二旋转台上。
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公开(公告)号：CN1812139A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510005744.3
申请日：2005-01-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光存储器技术领域，特别是一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元。利用半导体双势垒异质结构光存储器单元来实现光探测和摄像单元器件。双势垒中间是宽量子阱；宽量子阱两端或者嵌入二个窄量子阱，或者二个量子点层，或者一个量子阱层和一个量子点层；在双势垒外侧分别有一个厚度适当的、不掺杂的隔离层，上述整个结构放在nin结构的不掺杂i区，构成的完整器件结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101916792B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910237780.0
申请日：2009-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/111 , G01J1/42
Abstract: 一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体中砷化镓层生长在有源区上；一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上，包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层，其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As，铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs，沿着生长方向，X由0.45渐变至0；一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
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公开(公告)号：CN101916791A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200910237779.8
申请日：2009-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0232 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 一种高量子效率多工作波长谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；其中谐振腔结构进一步还包括如下结构：一下反射镜生长在砷化镓缓冲层上，包括交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层；一腔体下砷化镓层，该腔体下砷化镓层生长在下反射镜上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体上砷化镓层生长在有源区上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层；其特征在于，下反射镜包括6对交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层，上反射镜包括1对依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
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公开(公告)号：CN101915657A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200910091400.7
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法，包括如下步骤：设计无上反射镜谐振腔增强型光电探测器的结构，形成探测器样品；将设计的探测器样品生长好以后，利用光谱仪测量样品的反射谱，标出反射谱中高反带区域的各个漏模；依据光学传输矩阵的原理编辑模拟程序，模拟得到与设计的无上反射镜谐振腔增强型光电探测器结构以及层厚完全一致的理论模拟反射谱；调节模拟程序中反射镜各层和腔体各层的厚度，使模拟得到的反射谱与实验测得的反射谱保持一致，然后改变模拟程序中吸收层的吸收系数，并观察模拟反射谱中各个漏模的变化，而同时源自谐振腔模式的漏模即腔模不会发生任何变化，从而判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器反射谱中的漏模是来自有源区吸收还是来自腔模。
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公开(公告)号：CN101882629A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910083493.9
申请日：2009-05-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/66 , H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 一种可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一微腔结构，该微腔结构生长在砷化镓缓冲层上。本发明可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件结构，运用这种器件结构，可以在一个器件结构中实现自旋的存储、自旋的探测以及光探测三种功能。
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公开(公告)号：CN101806623A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010143096.9
申请日：2010-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种多功能反射式磁光光谱测量系统，使用超连续白光光源、光栅单色仪、若干偏振镜片、光弹调制器、宽带1/4与1/2波片、消偏振分光棱镜(NPBS)、单端与差分探测器以及OXFORD低温超导磁体系统，组成结构灵活可变的光谱探测系统，可以在同一光路上实现反射式磁圆二向色性(MCD)、极向磁光克尔效应、偏振反射光谱以及磁线二向色性(MLD)的测量。该系统灵敏度高，可用于基础物理研究、材料特性分析和偏振调制光通信等诸多领域。
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